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（2287）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（vtm）（VTM）（最大）	（（av）（av））	当前 -关闭状态（最大）	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大
NTE2934	7.3100	RFQ	449	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3	MOSFET （金属 o化物）		下午3点	下载	Rohs不合规			2368-NTE2934	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		400 v	11.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.75a，10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 25 V	-	92W（TC）
NTE56008	5.6500	RFQ	52	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE56008	Ear99	8541.30.0080	1	单身的			40 MA											标准	600 v	15 a	2 v	150a @ 60Hz	50 mA
2N4221A	7.5600	RFQ	26	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以		300兆	到72	下载	Rohs不合规			2368-2N4221A	Ear99	8541.21.0095	1			n通道		30 V							6pf @ 15V																							30 V	2 ma @ 15 V	6 V @ 100 PA				400欧姆					15 ma
NTE5220AK	12.8800	RFQ	29	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	do-4	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5220AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							100 v	40欧姆
NTE5327W	8.2000	RFQ	18	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	4平方	标准		-	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5327W	Ear99	8541.10.0080	1																										1.2 V @ 12.5 A	10 µA @ 800 V		25 a				单相	800 v
NTE5332	1.6700	RFQ	1	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	标准		-	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5332	Ear99	8541.10.0080	1																										1.2 V @ 1 A	10 µA @ 600 V		1 a				单相	600 v
1N5243B	0.1200	RFQ	904	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±0.5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	-	下载	rohs3符合条件			2368-1N5243B	Ear99	8541.10.0050	1																											500 NA @ 9.9 V												13 V	13欧姆
NTE5607	4.1500	RFQ	301	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			TO-126	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5607	Ear99	8541.10.0080	1	单身的			30 ma											标准	600 v	4 a	2.5 v	30a @ 60Hz	30 ma
NTE5229AK	13.3600	RFQ	16	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	do-4	下载	Rohs不合规			2368-NTE5229AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							175 v	250欧姆
2N4870	3.0000	RFQ	52	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		300兆	到92	下载	rohs3符合条件			2368-2N4870	Ear99	8541.21.0095	1																																						-				PNP	-	-	-
NTE2383	9.3500	RFQ	72	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2383	Ear99	8541.29.0095	1			P通道		100 v	10.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.3A，10V	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±20V	835 pf @ 25 V	-	75W（TC）
NTE53020	6.2500	RFQ	1	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方	标准		-	下载	rohs3符合条件			2368-NTE53020	Ear99	8541.10.0070	1																										1.1 V @ 25 A	50 µA @ 1000 V		50 a				单相	1 kV
NTE6044	22.1000	RFQ	32	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的			螺柱坐骑	do-203aa，do-5，螺柱	标准		do-5	下载	rohs3符合条件			2368-NTE6044	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							1000 v	1.4 V @ 60 A	10 mA @ 1000 V	-65°C〜175°C	60a	-
NTE5286AK	26.8600	RFQ	42	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	下载	Rohs不合规			2368-NTE5286AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							105 v	25欧姆
NTE5288AK	33.8600	RFQ	12	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5288AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							120 v	40欧姆
NTE5742	115.6800	RFQ	20	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块	标准		-	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5742	Ear99	8541.10.0080	1																										1.15 V @ 100 A	10 ma @ 800 V		75 a				三期	800 v
NTE5218AK	12.8800	RFQ	20	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	do-4	下载	Rohs不合规			2368-NTE5218AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							87 v	30欧姆
NTE5240AK	40.4000	RFQ	36	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		50 W	do-5	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5240AK	Ear99	8541.10.0050	1																																							3.9 v	0.16欧姆
NTE457	1.5300	RFQ	1	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		125°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）		310 MW	到92	下载	rohs3符合条件			2368-NTE457	Ear99	8541.21.0095	1			n通道		25 v							7pf @ 15V																							25 v	1 mA @ 15 V	500 mv @ 10 na
NTE56031	11.5600	RFQ	17	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			TO-218隔离	下载	rohs3符合条件			2368-NTE56031	Ear99	8541.30.0080	1	单身的			80 ma											标准	600 v	40 a	1.3 v	400a，420a	50 mA
NTE342	19.7200	RFQ	420	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		1.5 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2368-NTE342	Ear99	8541.29.0095	1																															17 V	2 a						500µA（ICBO）				NPN	-	10 @ 100mA，10v	-
NTE2984	2.7500	RFQ	212	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2368-NTE2984	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	17a（TC）	5V	140MOHM @ 8.5a，5V	2V @ 250µA	18 nc @ 5 V	±10V	870 pf @ 25 V	-	60W
NTE2699	2.1500	RFQ	372	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		2 w	TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	根据要求获得可用的信息	2368-NTE2699	Ear99	8541.29.0095	1																															60 V	15 a						1ma				NPN	500mv @ 600mA，12a	150 @ 3a，2v	-
1N969B	0.1100	RFQ	305	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		500兆	do-35	下载	Rohs不合规			2368-1N969B	Ear99	8541.10.0050	1																											5 µA @ 16.7 V												22 v	29欧姆
NTE5808	1.0400	RFQ	2	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	标准		do-27	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5808	Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							800 v	1.2 V @ 9.4 A	500 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	3a	-
NTE2389	7.6700	RFQ	282	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件			2368-NTE2389	Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	35A（TA）	10V	45mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA		30V	2000 pf @ 25 V	-	125W（TA）
NTE5519	14.9200	RFQ	102	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-40°C〜150°C	底盘安装	按适合			按适合	下载	Rohs不合规			2368-NTE5519	Ear99	8541.30.0000	1				50 mA												600 v	35 a	2 v	350a @ 60Hz	25 ma	1.6 v		2 ma	标准恢复
2N7000	0.4000	RFQ	10	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	MOSFET （金属 o化物）		到92	下载	rohs3符合条件			2368-2N7000	Ear99	8541.21.0095	1			n通道		60 V	200ma（ta）		5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA			60 pf @ 25 V	-
NTE5587	273.0000	RFQ	4	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	螺柱坐骑	TO-209AE，TO-118-4，螺柱			TO-118	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5587	Ear99	8541.10.0080	1																600 v	550 a	3 V	9100A，10000A	150 ma	1.4 v	350 a	30 ma	标准恢复
NTE5190A	12.8800	RFQ	37	NTE Electronics，Inc	-	包	积极的	±5％	-65°C〜175°C	底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		10 W	do-4	下载	rohs3符合条件			2368-NTE5190A	Ear99	8541.10.0050	1																																							14 V	3欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2287）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²