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离散半导体产品（（2160）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）
GBU10K	1.6300	RFQ	6	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU10	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu10kgn	Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 10 A		5 µA @ 800 V		10 a		单相	800 v
GBJ6B	0.6645	RFQ	9226	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ6	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ6B	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 3 A		5 µA @ 100 V		6 a		单相	100 v
GBJ35D	1.6410	RFQ	5407	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ35	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ35D	Ear99	8541.10.0080	200																1.1 V @ 17.5 A		10 µA @ 200 V		35 a		单相	200 v
GBJ6J	0.6645	RFQ	4675	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ6	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ6J	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 3 A		5 µA @ 600 V		6 a		单相	600 v
GBJ30G	1.1205	RFQ	5909	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ30	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ30G	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 15 A		5 µA @ 400 V		30 a		单相	400 v
GBPC15010T	1.8979	RFQ	8514	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，GBPC-T	GBPC15010	标准	GBPC-T	-	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	200																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 1000 V		15 a		单相	1 kV
gbu6a	0.5385	RFQ	6749	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU6	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		gbu6agn	Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 6 A		5 µA @ 50 V		6 a		单相	50 V
KBPC25005W	2.2995	RFQ	3128	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4平方英尺，KBPC-W	KBPC25005	标准	KBPC-W	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 50 V		25 a		单相	50 V
GBJ25M	0.9795	RFQ	5052	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBJ	GBJ25	标准	GBJ	下载	rohs3符合条件			1242-GBJ25M	Ear99	8541.10.0080	200																1.05 V @ 12.5 A		10 µA @ 1000 V		25 a		单相	1 kV
GA50JT17-247	-	RFQ	5672	基因半导体	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		SIC （硅碳化物交界晶体管）	TO-247	下载		（1 （无限）		1242-1247	Ear99	8541.29.0095	30		-	1700 v	100A（TC）	-	25mohm @ 50a	-		-		-	583W（TC）
1N5829	14.0145	RFQ	1994	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱	1N5829	肖特基	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1N5829GN	Ear99	8541.10.0080	250	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													20 v		580 mv @ 25 A		2 ma @ 20 V	-55°C〜150°C	25a	-
KBPC35010T	2.0176	RFQ	8979	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC35010	标准	KBPC-T	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	200																1.1 V @ 17.5 A		5 µA @ 1000 V		35 a		单相	1 kV
G3R75MT12J	11.0300	RFQ	9581	基因半导体	G3R™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	G3R75	sicfet （碳化硅）	TO-263-7	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		1242-G3R75MT12J	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	1200 v	42A（TC）	15V	90MOHM @ 20a，15v	2.69V @ 7.5mA	54 NC @ 15 V	±15V	1560 pf @ 800 V	-	224W（TC）
DB155G	0.2325	RFQ	6311	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB155	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB155GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500																1.1 V @ 1.5 A		5 µA @ 600 V		1.5 a		单相	600 v
KBU6M	1.7600	RFQ	7656	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-sip，kbu	KBU6	标准	KBU	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	400																1 V @ 6 A		10 µA @ 1000 V		6 a		单相	1 kV
GBU15D	0.6120	RFQ	9784	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU15	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		GBU15DGN	Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 15 A		5 µA @ 200 V		15 a		单相	200 v
KBPC1504T	2.1795	RFQ	7843	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC1504	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 7.5 A		5 µA @ 400 V		15 a		单相	400 v
KBPC2502T	2.2995	RFQ	3310	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	QC终端	4平方英尺，KBPC-T	KBPC2502	标准	KBPC	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	50																1.1 V @ 12.5 A		5 µA @ 200 V		25 a		单相	200 v
S12B	6.3300	RFQ	82	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203AA，do-4，螺柱		标准	do-4	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v		1.1 V @ 12 A		10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	12a	-
GD10MPS12E	3.8000	RFQ	5455	基因半导体	SIC SC Hottky MPS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		SIC （碳化硅）	TO-252-2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.8 V @ 10 A	0 ns	5 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	29a	367pf @ 1V，1MHz
S380Y	69.8500	RFQ	1	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-205ab，do-9，螺柱	S380	标准	DO-205AB（DO-9）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	8	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													1600 v		1.2 V @ 380 A		10 µA @ 1600 V	-60°C〜180°C	380a	-
FR70JR02	17.7855	RFQ	6539	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱		标准，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		FR70JR02GN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.4 V @ 70 A	250 ns	25 µA @ 100 V	-40°C〜125°C	70a	-
KBP208G	0.2280	RFQ	3867	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBP	KBP208	标准	KBP	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		KBP208GGS	Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 2 A		10 µA @ 50 V		2 a		单相	800 v
MBR6035R	21.3105	RFQ	4969	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘，螺柱坐骑	do-203ab，do-5，螺柱	MBR6035	肖特基，反极性	do-5	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		MBR6035RGN	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													35 v		650 mv @ 60 a		5 ma @ 20 V	-65°C〜150°C	60a	-
GBU4B	0.4725	RFQ	1430	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，GBU	GBU4	标准	gbu	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	500																1.1 V @ 4 A		5 µA @ 100 V		4 a		单相	100 v
GB01SLT12-252	1.3500	RFQ	5379	基因半导体	SIC SC Hottky MPS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	GB01SLT12	SIC （碳化硅）	TO-252	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	2,500	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.8 V @ 1 A	0 ns	2 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	1a	69pf @ 1V，1MHz
FST7335M	-	RFQ	1899年	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	D61-3M		肖特基	D61-3M	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	25	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	35 v	35a	700 MV @ 35 A		1 mA @ 35 V	-55°C〜150°C
murt30010r	118.4160	RFQ	4161	基因半导体	-	大部分	积极的		底盘安装	三个塔	Murt30010	标准	三个塔	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Murt30010RGN	Ear99	8541.10.0080	40	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	100 v	150a	1.3 V @ 150 A	100 ns	25 µA @ 50 V	-55°C〜150°C
MBRTA60020L	-	RFQ	8282	基因半导体	-	大部分	过时的		底盘安装	三个塔		肖特基	三个塔	-		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	18	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	20 v	300A	580 mv @ 300 A		3 ma @ 20 V	-55°C〜150°C
DB107G	0.1980	RFQ	5022	基因半导体	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）	DB107	标准	DB	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		DB107GGN	Ear99	8541.10.0080	2,500																1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V		1 a		单相	1 kV

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2160）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²