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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S2M0040120K | 24.9100 | ![]() | 128 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | - | 通孔 | TO-247-4 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | N沟道 | 1200伏 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | S2M0040120D | 24.5300 | ![]() | 第247章 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | - | 通孔 | TO-247-3 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-3 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 25 | N沟道 | 1200伏 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||
![]() | SSTX404S | 0.2600 | ![]() | 67 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | SSTX404 | 350毫W | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 40V | 600毫安 | 10nA(ICBO) | NPN | 1V@50mA、500mA | 100@150mA,10mV | - | |||||||||||||
![]() | S2M0080120D | 14.9200 | ![]() | 276 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | SiCFET(碳化硅) | TO-247AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N沟道 | 1200伏 | 41A(温度) | 20V | 100毫欧@20A,20V | 4V@10mA | 54nC@20V | +25V,-10V | 1324pF@1000V | - | 231W(温度) | ||||||||||
![]() | S2M0025120D | 44.4500 | ![]() | 5528 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | SiCFET(碳化硅) | TO-247AD | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N沟道 | 1200伏 | 63A(Tj) | 20V | 34mOhm@50A,20V | 4V@15mA | 130nC@20V | +25V,-10V | 1000V时为4402pF | - | 446W(温度) | ||||||||||
![]() | S2M0080120K | 15.3500 | ![]() | 260 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 41A(温度) | 20V | 100毫欧@20A,20V | 4V@10mA | 54nC@20V | +25V,-10V | 1324pF@1000V | - | 231W(温度) | ||||||||||
![]() | SSTX304S | 0.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | SSTX304 | 350毫W | SOT-23-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 60V | 600毫安 | 10nA(ICBO) | PNP + 隔离(隔离) | 1.6V@50mA、500mA | 100@150mA,10mV | - | |||||||||||||
![]() | S2M0025120K | 44.8100 | ![]() | 5161 | 0.00000000 | SMC分层解决方案 | - | 管子 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-4 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 63A(温度) | 20V | 34mOhm@50A,20V | 4V@15mA | 130nC@20V | +25V,-10V | 1000V时为4402pF | - | 446W(温度) |

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