晶体管(201)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
CMS23P04D-HF	-	询价	2360	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-CMS23P04D-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	40V	23A（温度）	4.5V、10V	40毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	9nC@4.5V	±20V	1004pF@15V	-	2W（Ta）、31.3W（Tc）
CMS03P06T6-HF	0.2077	询价	5296	芯芯科技	*	大部分	的积极								-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000
BC856B-HF	0.0434	询价	4231	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC856		250毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000												65V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2.2mA，5V	100兆赫兹
2N3906-G	0.3300	询价	14	芯芯科技	-	包	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)				TO-92	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	1,000												40V	200毫安	100nA（ICBO）	国民党	400mV@5mA、50mA	30@100mA，1V	250兆赫
DTA114YCA-HF	0.0529	询价	7840	芯芯科技	DTA114YCA-HF	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DTA114		200毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		641-DTA114YCA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	68@10mA，5V	250兆赫	10欧姆	47欧姆
2SC1623-L6-HF	0.0396	询价	3239	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			200毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-2SC1623-L6-HFTR	EAR99	8541.21.0095	3,000												50V	100毫安	100nA（ICBO）		300毫伏@10毫安，100毫安	200@1mA，6V	250兆赫
CMS10N10Q8-HF	-	询价	7858	芯芯科技	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-				641-CMS10N10Q8-HF	EAR99	8541.29.0095	1	N沟道	100V	10A（塔）	4.5V、10V	25.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	31nC@10V	±20V	1519pF@30V	-	2.5W（塔）
ABC858BW-HF	0.0800	询价	8852	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	ABC858		200毫W	SOT-323	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		641-ABC858BW-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000												30V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	250兆赫
CMSN3416K-HF	0.0869	询价	6166	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	CMSN3416	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-CMSN3416K-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	20V	7A（塔）	1.8V、4.5V	18毫欧@7A，4.5V	1V@250μA	8.1nC@4.5V	±12V	980pF@10V	-	1.3W（塔）
CMS2305A-HF	-	询价	3841	芯芯科技	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-				641-CMS2305A-HF	EAR99	8541.29.0095	1	P沟道	30V	3.2A（塔）	1.8V、10V	25毫欧@10A，10V	1.2V@250μA	10nC@4.5V	±12V	735pF@25V	-	1.38W（塔）
ADTA114ECA-HF	0.0515	询价	5879	芯芯科技	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	ADTA114		200毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-ADTA114ECA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置 + 差分	300mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	250兆赫	10欧姆	10欧姆
CMS03N06T-HF	-	询价	9871	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3		MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载		1（无限制）		641-CMS03N06T-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	60V	3A（塔）	4.5V、10V	105mOhm@3A，10V	2V@250μA	14.6nC@10V	±20V	510pF@30V	-	1.7W（塔）
FMMT493-HF	0.0828	询价	1994年	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3			250毫W	SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-FMMT493-HFTR	EAR99	8541.21.0095	3,000												100V	1A	100纳安		600mV@100mA，1A	100@250mA，10V	150兆赫
DTA123JCA-HF	0.0529	询价	9891	芯芯科技	DTA123JCA-HF	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	DTA123		200毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		641-DTA123JCA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	PNP - 预偏置	300mV@250μA，5mA	80@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	47欧姆
CMS42N06V8-HF	-	询价	9043	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN		MOSFET（金属O化物）		8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-CMS42N06V8-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	60V	42A（温度）	4.5V、10V	12毫欧@10A，10V	2.2V@250μA	10V时为39.2nC	±20V	2100pF@25V	-	2W（Ta）、52W（Tc）
CMS16P06D-HF	-	询价	5798	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252)	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-CMS16P06D-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	P沟道	60V	5A（Ta）、16A（Tc）	4.5V、10V	48毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1256pF@30V	-	2W（Ta）、25W（Tc）
DTC123YCA-HF	0.0529	询价	1958年	芯芯科技	DTC123YCA-HF	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	故障码123		200毫W	SOT-23-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		641-DTC123YCA-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000												50V	100毫安	500纳安	NPN - 预偏置	300mV@500μA，10mA	33@10mA，5V	250兆赫	2.2欧姆	10欧姆
CMSP2011A6-HF	0.2494	询价	3243	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘		MOSFET（金属O化物）		DFNWB2x2-6L-J	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-CMSP2011A6-HFTR	EAR99	8541.21.0095	3,000	P沟道	20V	11A（塔）	2.5V、4.5V	24毫欧@7.2A，4.5V	1V@250μA	35nC@4.5V	±12V	1580pF@6V	-	750毫W（塔）
ABC857BW-HF	0.0800	询价	9032	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	ABC857		200毫W	SOT-323	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		641-ABC857BW-HFTR	EAR99	8541.21.0075	3,000												45V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2mA，5V	250兆赫
BC857BW-G	0.2600	询价	1365	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC857		150毫W	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000												45V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	220@2.2mA，5V	100兆赫兹
CMS11N10Q8-HF	-	询价	7891	芯芯科技	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）		MOSFET（金属O化物）		8-SOP	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		641-CMS11N10Q8-HFTR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N沟道	100V	11A（塔）	4.5V、10V	14毫欧@10A，10V	2.4V@250μA	75nC@10V	±20V	4708pF@25V	-	3.1W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(201)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²