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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头 电阻器 - 基极 (R1) 电阻器 - 发射极基极 (R2)
MMBT4401-HF Comchip Technology MMBT4401-HF 0.2600
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ECAD 8 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT4401 300毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-MMBT4401-HFTR EAR99 8541.21.0095 3,000 40V 600毫安 100纳安 NPN 750mV@50mA、500mA 100@150mA,1V 250兆赫
2SC1623-L5-HF Comchip Technology 2SC1623-L5-HF 0.0396
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ECAD 5590 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 200毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-2SC1623-L5-HFTR EAR99 8541.21.0095 3,000 50V 100毫安 100nA(ICBO) 300毫伏@10毫安,100毫安 135@1mA,6V 250兆赫
BC857AW-HF Comchip Technology BC857AW-HF 0.0598
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ECAD 5211 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 150毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-BC857AW-HFTR EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 125@2mA,5V 100兆赫兹
DTC114WCA-HF Comchip Technology DTC114WCA-HF 0.0529
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ECAD 9827 0.00000000 芯芯科技 DTC114WCA-HF 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 故障码114 200毫W SOT-23-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 641-DTC114WCA-HFTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 NPN - 预偏置 300mV@500μA,10mA 24@10mA,5V 250兆赫 10欧姆 4.7欧姆
CMS25NN03V8-HF Comchip Technology CMS25NN03V8-HF -
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ECAD 5883 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55℃~150℃ 表面贴装 8-PowerWDFN CMS25 - 1.7W(Ta)、20.8W(Tc) 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS25NN03V8-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 30V 25A 20毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 7.2nC@4.5V 572pF@15V -
MMBT2222A-G Comchip Technology MMBT2222A-G 0.3000
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ECAD 70 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT2222 300毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 10纳安 NPN 1V@50mA、500mA 100@150mA,10mV 300兆赫
CEH2315-HF Comchip Technology CEH2315-HF 0.1823
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ECAD 7430 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6薄型、TSOT-23-6 MOSFET(金属O化物) 6-TSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CEH2315-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 30V 5A(塔) 4.5V、10V 50毫欧@3.8A,10V 3V@250μA 11.2nC@10V ±20V 650pF@15V - 2W
CMS45N10H8-HF Comchip Technology CMS45N10H8-HF 1.2800
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ECAD 2 0.00000000 芯芯科技 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN MOSFET(金属O化物) P-PAK (5x6) - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS45N10H8-HF EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 100V 45A(温度) 4.5V、10V 20毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 16.2nC@10V ±20V 1003.9pF@50V - 94.7W(温度)
BC858A-HF Comchip Technology BC858A-HF 0.0434
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ECAD 4052 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC858 250毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 125@2.2mA,5V 100兆赫兹
CMS25N03V8-HF Comchip Technology CMS25N03V8-HF -
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ECAD 7161 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerWDFN CMS25 MOSFET(金属O化物) 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS25N03V8-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 25A(温度) 4.5V、10V 18毫欧@10A,10V 2.5V@250μA 7.2nC@4.5V ±20V 572pF@15V - 1.7W(Ta)、20W(Tc)
CMS80N03H8-HF Comchip Technology CMS80N03H8-HF -
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ECAD 7427 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN CMS80 MOSFET(金属O化物) DFN5x6(PR-PAK) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 641-CMS80N03H8-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 80A(温度) 5.5毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 11.1nC@4.5V ±20V 1160pF@25V - 2W(Ta)、53W(Tc)
MMBT5401-HF Comchip Technology MMBT5401-HF 0.0370
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ECAD 8219 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT5401 300毫W SOT-23-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 641-MMBT5401-HFTR EAR99 8541.21.0075 3,000 160伏 600毫安 50nA(ICBO) 国民党 500毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,5V 300兆赫
ASS8050-L-HF Comchip Technology ASS8050-L-HF 0.0682
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ECAD 5190 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 ASS8050 300毫W SOT-23-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 641-ASS8050-L-HFTR EAR99 8541.21.0075 3,000 25V 1.5A 100nA(ICBO) NPN 500毫伏@80毫安,800毫安 120@100mA,1V 100兆赫兹
CMS25N10D-HF Comchip Technology CMS25N10D-HF -
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ECAD 8972 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 CMS25 MOSFET(金属O化物) D-PAK (TO-252) - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS25N10D-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 100V 25A(温度) 4.5V、10V 48毫欧@25A,10V 2.5V@250μA 60nC@10V ±20V 15V时为3848pF - 2W(Ta)、60W(Tc)
2N3906-HF Comchip Technology 2N3906-HF 0.0638
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ECAD 6890 0.00000000 芯芯科技 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 2N3906 625毫W TO-92 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-2N3906-HF EAR99 8541.21.0075 1,000 40V 200毫安 50纳安 国民党 400mV@5mA、50mA 100@10mA,1V 250兆赫
BSS84W-G Comchip Technology BSS84W-G 0.1040
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ECAD 8346 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BSS84 MOSFET(金属O化物) SOT-323 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-BSS84W-GTR EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 50V 130mA(塔) 5V 10欧姆@100mA,5V 2V@1mA ±20V 45pF@25V - 200毫W(塔)
A2N7002H-HF Comchip Technology A2N7002H-HF 0.0628
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ECAD 8129 0.00000000 芯芯科技 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 A2N7002 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-A2N7002H-HFTR EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 300mA(塔) 5V、10V 2.5欧姆@500mA,10V 2.5V@250μA ±20V 41pF@20V - 350毫W(塔)
CMS02P06T6-HF Comchip Technology CMS02P06T6-HF -
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ECAD 6880 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 CMS02 MOSFET(金属O化物) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS02P06T6-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 60V 2.4A(塔) 4.5V、10V 175mOhm@2A,10V 3V@250μA 4.5V时为4.6nC ±20V 531pF@15V - 1.1W(塔)
2N7002W-HF Comchip Technology 2N7002W-HF 0.0691
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ECAD 4904 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 2N7002 MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-2N7002W-HFTR EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 115mA(塔) 5V、10V 5欧姆@500mA,10V 2.5V@250μA ±20V 50pF@25V - 200毫W(塔)
MMBT4403-HF Comchip Technology MMBT4403-HF 0.2600
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ECAD 39 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT4403 300毫W SOT-23-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100纳安 国民党 750mV@50mA、500mA 100@150mA,2V 200兆赫
ABC858B-HF Comchip Technology ABC858B-HF 0.0506
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ECAD 9848 0.00000000 芯芯科技 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-ABC858B-HFTR EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 650mV@5mA、100mA 220@2mA,5V 100兆赫兹
AS9013-L-HF Comchip Technology AS9013-L-HF 0.0640
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ECAD 2641 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 AS9013 300毫W SOT-23-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 641-AS9013-L-HFTR EAR99 8541.21.0075 3,000 25V 500毫安 100纳安 NPN 600毫伏@50毫安,500毫安 120@50mA,1V 150兆赫
BC857CW-G Comchip Technology BC857CW-G 0.0450
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ECAD 5149 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 150毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 100兆赫兹
CMS2010-HF Comchip Technology CMS2010-HF -
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ECAD 4456 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) CMS2010 MOSFET(金属O化物) 1.5W(塔) 8-TSSOP - 641-CMS2010-HFTR EAR99 8541.29.0095 1 2 N 沟道(双)共漏极 20V 7A(塔) 18毫欧@6.5A,4.5V 900mV@250μA 15nC@4.5V 1150pF@10V -
CMS2305A-HF Comchip Technology CMS2305A-HF -
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ECAD 3841 0.00000000 芯芯科技 - 大部分 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 - 641-CMS2305A-HF EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 30V 3.2A(塔) 1.8V、10V 25毫欧@10A,10V 1.2V@250μA 10nC@4.5V ±12V 735pF@25V - 1.38W(塔)
ADTA114ECA-HF Comchip Technology ADTA114ECA-HF 0.0515
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ECAD 5879 0.00000000 芯芯科技 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 ADTA114 200毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-ADTA114ECA-HFTR EAR99 8541.21.0075 3,000 50V 100毫安 500纳安 PNP - 预偏置 + 差分 300mV@500μA,10mA 30@5mA,5V 250兆赫 10欧姆 10欧姆
FMMT493-HF Comchip Technology FMMT493-HF 0.0828
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ECAD 1994年 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-FMMT493-HFTR EAR99 8541.21.0095 3,000 100V 1A 100纳安 600mV@100mA,1A 100@250mA,10V 150兆赫
CMS42N06V8-HF Comchip Technology CMS42N06V8-HF -
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ECAD 9043 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerWDFN MOSFET(金属O化物) 8-PDFN (SPR-PAK) (3.3x3.3) - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS42N06V8-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 42A(温度) 4.5V、10V 12毫欧@10A,10V 2.2V@250μA 10V时为39.2nC ±20V 2100pF@25V - 2W(Ta)、52W(Tc)
CMS16P06D-HF Comchip Technology CMS16P06D-HF -
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ECAD 5798 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) D-PAK (TO-252) - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMS16P06D-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 60V 5A(Ta)、16A(Tc) 4.5V、10V 48毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 22nC@10V ±20V 1256pF@30V - 2W(Ta)、25W(Tc)
CMSN3416K-HF Comchip Technology CMSN3416K-HF 0.0869
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ECAD 6166 0.00000000 芯芯科技 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 CMSN3416 MOSFET(金属O化物) SOT-23-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 641-CMSN3416K-HFTR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 7A(塔) 1.8V、4.5V 18毫欧@7A,4.5V 1V@250μA 8.1nC@4.5V ±12V 980pF@10V - 1.3W(塔)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库