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晶体管（（201）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
2n7002-g	-	RFQ	4716	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	250mA（ta）	4.5V，10V	3ohm @ 250mA，10v	2.5V @ 250µA	1 NC @ 10 V	-	25 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
DTC123JCA-HF	0.0529	RFQ	3502	comchip技术	DTC123JCA-HF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-DTC123JCA-HFTR	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
MMBTA44-G	0.4300	RFQ	16	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTA44		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000													400 v	200 MA	100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，10v	-
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SS8050-G	0.2900	RFQ	264	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SS8050		300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													25 v	1.5 a	100NA（ICBO）	NPN	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	100MHz
MMBT3904-G	0.2100	RFQ	131	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3904		200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													40 V	200 MA	-	NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
BC857C-HF	0.0529	RFQ	6340	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		250兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA		100MHz
CMS61P06CT-HF	-	RFQ	7059	comchip技术	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CMS61	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	Rohs符合条件			641-CMS61P06CT-HF	Ear99	8541.29.0095	50		P通道	60 V	61A（TC）	6V，10V	22mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	37.2 NC @ 10 V	±20V	2165 PF @ 25 V	-	2W（TA），171W（TC）
CMS3400-HF	-	RFQ	1233	comchip技术	CMS	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	-				641-CMS3400-HF	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	5.8A（ta）	2.5V，10V	41MOHM @ 5.8A，10V	1.4V @ 250µA	9.5 NC @ 4.5 V	±12V	820 pf @ 15 V	-	1.4W（TA）
2SC1623-L7-HF	0.0400	RFQ	1188	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-2SC1623-L7-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	100 ma	100NA（ICBO）		300mv @ 10mA，100mA	300 @ 1mA，6v	250MHz
CMS42N10H8-HF	-	RFQ	6277	comchip技术	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		DFN5x6（PR-PAK）	-				641-CMS42N10H8-HF	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	6.6a（ta）	4.5V，10V	60mohm @ 3.2a，10v	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1325 PF @ 30 V	-	3.6W（TA），83.3W（tc）
CMS30N10V8-HF	-	RFQ	2285	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS30N10V8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	30A（TC）	4.5V，10V	24mohm @ 10v，10a	2.5V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1325 PF @ 30 V	-	2.1W（TA），31.3W（tc）
CMS32P03V8-HF	-	RFQ	6409	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CMS32	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS32P03V8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	30 V	7.7A（32A）（32a tc）	4.5V，10V	20mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	12.5 NC @ 4.5 V	±20V	1345 PF @ 15 V	-	1.6W（TA），29W（tc）
BC858CW-G	0.0450	RFQ	6388	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC858		150兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
DTC123YCA-HF	0.0529	RFQ	1958年	comchip技术	DTC123YCA-HF	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DTC123		200兆	SOT-23-3	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		641-DTC123YCA-HFTR	Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	33 @ 10mA，5V	250 MHz	2.2 kohms	10 kohms
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2n3906-g	0.3300	RFQ	14	comchip技术	-	包	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000													40 V	200 MA	100NA（ICBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	30 @ 100mA，1V	250MHz
CMS02P06T6-HF	-	RFQ	6880	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	CMS02	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS02P06T6-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.4A（TA）	4.5V，10V	175MOHM @ 2A，10V	3V @ 250µA	4.6 NC @ 4.5 V	±20V	531 PF @ 15 V	-	1.1W（TA）
CMS35N04V8-HF	-	RFQ	8792	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	CMS35	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS35N04V8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	40 V	35A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	19.7 NC @ 10 V	±20V	1220 pf @ 25 V	-	2W（TA），44W（tc）
CMS25NN03V8-HF	-	RFQ	5883	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C〜150°C	表面安装	8-Powerwdfn	CMS25	-	1.7W（TA），20.8W（tc）	8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS25NN03V8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		30V	25a		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	7.2nc @ 4.5V		572pf @ 15V	-
CMSBN6601-HF	0.5241	RFQ	7242	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，没有铅	CMSBN6601	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA）	CSPB2718-6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）		20V	13A（TA）		11.5MOHM @ 3A，4.5V	1.3V @ 1mA	25.4NC @ 10V		-	-
DTC143XUA-HF	0.0614	RFQ	7473	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-70，SOT-323	DTC143		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.21.0075	3,000														100 ma	500NA	npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
CMS42N06V8-HF	-	RFQ	9043	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（Spr-pak）（3.3x3.3）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS42N06V8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	60 V	42A（TC）	4.5V，10V	12mohm @ 10a，10v	2.2V @ 250µA	39.2 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	2W（2），52W（52W）TC）
CMS11N10Q8-HF	-	RFQ	7891	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMS11N10Q8-HFTR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	11a（11a）	4.5V，10V	14mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	4708 PF @ 25 V	-	3.1W（TA）
CMS03P06T6-HF	0.2077	RFQ	5296	comchip技术	*	大部分	积极的								-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000
CMS2010-HF	-	RFQ	4456	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	CMS2010	MOSFET （金属 o化物）	1.5W（TA）	8-tssop	-				641-CMS2010-HFTR	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水		20V	7a（ta）		18mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	15nc @ 4.5V		1150pf @ 10V	-
CMSP2011A6-HF	0.2494	RFQ	3243	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		DFNWB2X2-6L-J	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-CMSP2011A6-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	24mohm @ 7.2a，4.5V	1V @ 250µA	35 NC @ 4.5 V	±12V	1580 pf @ 6 V	-	750MW（TA）
MMBTA14-HF	0.0732	RFQ	8034	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			300兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-MMBTA14-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000													30 V	300 MA	100NA	npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	20000 @ 100mA，5V	125MHz
BSS138-HF	0.0628	RFQ	8418	comchip技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		641-BSS138-HFTR	Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220a，10v	1.6V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（201）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²