晶体管(581)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 测试
C2M0040120D	46.2600	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	管子	不适合新设计		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C2M0040120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					1200伏	60A（温度）	20V	52毫欧@40A，20V	2.8V@10mA	115nC@20V	+25V，-10V	1893pF@1000V	-	330W（温度）
PTFA041501F-V4-R0	118.9330	询价	4937	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V			2 纸张封装，鳍片底部	PTFA041501	420MHz～500MHz	LDMOS		H-37248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			1微安	900毫安	150W	21分贝											-	28V
CAS120M12BM2	545.3100	询价	第492章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	大部分	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAS120		碳化硅（SiC）	925W	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）						1200V（1.2kV）	193A（TC）		16毫欧@120A，20V	2.6V@6mA（典型值）	378nC@20V		6470pF @ 800V	-
CCB016M12GM3T	329.7700	询价	7808	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极					CCB016					-		不适用	1697-CCB016M12GM3T			18
PXAC182002FC-V1-R250	-	询价	8087	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的					PXAC182002					下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250
E4D10120E	5.2651	询价	第1567章	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					E4D10120					-			1697-E4D10120E			75
PTFC260202FC-V1-R0	-	询价	8710	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-37248-4	PTFC260202	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50	双重的		-	170毫安	5W	20分贝											-	28V
CMF10120D	-	询价	5218	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	管子	过时的		-55°C ~ 135°C（太焦）	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	600		N沟道					1200伏	24A（温度）	20V	220毫欧@10A，20V	4V@500μA	47.1nC@20V	+25V，-5V	928 pF @ 800 V	-	134W（温度）
PTVA030121EA-V1-R250	33.9926	询价	第1331章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极					PTVA030121					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250
C3M0016120K	82.8800	询价	第741章	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0016120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					1200伏	115A（温度）	15V	22.3毫欧@75A，15V	3.6V@23mA	211nC@15V	+15V，-4V	6085pF@1000V	-	556W（温度）
CGHV40100P	323.5600	询价	43	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440206	CGHV40100	0Hz～4GHz	HEMT		440206	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	100			8.7A	600毫安	116W	11分贝											-	50V
PTAC260302FC-V1-R250	-	询价	8097	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的					PTAC260302					下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250
PTFA072401FL-V5-R0	121.4836	询价	3164	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V			2 纸张封装，鳍片底部	PTFA072401	725MHz～770MHz	LDMOS		H-34288-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			10微安	1.9安	240W	19分贝											-	30V
CGHV59070F	317.3200	询价	123	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏			440224	CGHV59070	4.4GHz～5.9GHz	HEMT		440224	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0075	75			-	150毫安	76W	13.3分贝											-	50V
PTRA097058NB-V1-R2	119.8668	询价	8752	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HB2SOF-6-1	PTRA097058	730MHz～960MHz	LDMOS（双）		PG-HB2SOF-6-1	下载			1697-PTRA097058NB-V1-R2TR			250	-		10微安	450毫安	800W	18.4分贝											-	48V
PXAC241702FC-V1	-	询价	7598	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	SIC停产	65V		安装结构	H-37248-4		2.4GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	50			-	360毫安	28W	16.5分贝											-	28V
CGHV60075D5-GP4	63.8800	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏			死	CGHV60075	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0075	10			-	125毫安	75W	17分贝											-	50V
E3M0032120K	22.7329	询价	4984	沃尔夫斯皮德公司	汽车、AEC-Q101、E	管子	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiC（碳化硅结晶体管）		TO-247-4L	-			1697-E3M0032120K			30		N沟道					1200伏	67A（温度）	15V	43毫欧@38.9A，15V	3.6V@10.7mA	113nC@15V	+19V，-8V	1000V时为3460pF		278W（温度）
C3M0280090D	6.2500	询价	6	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C3M0280090		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30		N沟道					900伏	11.5A（温度）	15V	360毫欧@7.5A，15V	3.5V@1.2mA	9.5nC@15V	+18V、-8V	150 pF @ 600 V	-	54W（温度）
GTRA263902FC-V2-R0	185.3754	询价	4388	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA263902	2.495GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248C-4	下载			1697-GTRA263902FC-V2-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50			-	280毫安	370W	13.8分贝											-	48V
CMPA1D1E030D	504.4300	询价	7215	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		表面贴装	死		13.75GHz～14.5GHz	HEMT		死	-			1697-CMPA1D1E030D			1	-		-	300毫安	30W	25分贝											-	40V
CGHV22100F	-	询价	9014	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	管子	过时的	125V			440162		1.8GHz～2.2GHz	HEMT		440162	下载		1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1			6A	500毫安	100W	20分贝											-	50V
PXAC203302FV-V1-R0	-	询价	5136	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的					PXAC203302					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		过时的		250
PXAC201202FC-V2-R250	-	询价	3423	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC201202	2.2GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250			-	240毫安	16W	17分贝											-	28V
CPMF-1200-S080B	-	询价	3269	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	大部分	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	死			SiCFET（碳化硅）		死	下载		1（无限制）		EAR99	8541.21.0095	1		N沟道					1200伏	50A（Tj）	20V	110毫欧@20A，20V	4V@1mA	90.8nC@20V	+25V，-5V	800V时为1915pF	-	313毫W（Tj）
CGH27030S-AMP1	765.5400	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	大部分	的积极	120V			12-VFDFN 裸露焊盘		6GHz	HEMT		12-DFN (4x3)	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8543.70.9810	1			-	200毫安	30W	21.1分贝											-	28V
PXAE213708NB-V1-R2	85.3006	询价	1835年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	PG-HB2SOF-8-1	PXAE213708	2.11GHz～2.18GHz	LDMOS		PG-HB2SOF-8-1	下载			1697-PXAE213708NB-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250			10微安	750毫安	54W	16分贝											-	29伏
PTFA220121M-V4	-	询价	6416	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	65V		表面贴装	10-LDFN 裸露焊盘		2.14GHz	LDMOS		PG-SON-10	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0075	500			-	150毫安	9.3W	16.2分贝											-	28V
PTFC210202FC-V1-R250	52.1059	询价	2242	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		安装结构	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250	双重的		-	170毫安	5W	21分贝											-	28V
PXFC191507FC-V1-R250	74.3516	询价	4756	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计					PXFC191507					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(581)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²