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晶体管(22)
| 参考图片 | 产品编号 | 价格（美元） | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量（公斤） | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 技术 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 场效应管类型 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs | Vgs（最大） | 输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds | 消耗（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MFT2N2A2S323 | - |  | 5807 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT2N2A2S323TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 20V | 6.5A（塔） | 10V时为4.7nC | 470pF@10V | |||||
| MFT2P1A5S23E | - | | 5679 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT2P1A5S23ETR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | P沟道 | 20V | 1.5A（塔） | 1.7nC@50V | 165pF@50V | |||||
 | MFT22P4A2D2020E | 0.5000 | | 100 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 2997-MFT22P4A2D2020ETR | 10 | P沟道 | 20V | 4.2A（塔） | 24nC@10V | 917pF@10V | ||||||||
 | MFT4N200T220 | 0.8000 | | 2 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT4N200T220TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 40V | 200A（塔） | 235nC@10V | 6120pF@15V | |||||
 | MFT6P3A5S223 | - | | 3057 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT6P3A5S223TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | P沟道 | 60V | 3.5A（塔） | 10.8nC@30V | 880pF@30V | |||||
| MFT6N3A0S23 | - | | 3702 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT6N3A0S23TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 60V | 5.2A（塔） | 5nC@10V | 560pF@15V | |||||
 | MFT65N46T263 | - | | 6872 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃～175℃ | 表面贴装 | MOSFET（金属O化物） | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT65N46T263TR | 8532.25.0020 | 1 | N沟道 | 10V | |||||||
| MFT3N5A02S23 | - | | 1420 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT3N5A02S23TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 30V | 5.2A（塔） | 5nC@10V | 560pF@15V | |||||
| MFT2N2A0S23E | - | | 8277 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT2N2A0S23ETR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 20V | 2A（塔） | 1.8nC@10V | 92pF@10V | |||||
 | MFT6N2A5S23 | 0.3000 | | 12 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT6N2A5S23TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 60V | 2.5A（塔） | 3.6nC@30V | 405pF@30V | |||||
 | MFT10N7A0S8 | - | | 2933 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT10N7A0S8TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 100伏 | 7A（塔） | 31nC@80V | 1519pF@30V | |||||
| MFT2N6A5S23EA | - | | 9568 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT2N6A5S23EATR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 20V | 2.2A（塔） | 10V时为8.6nC | 10V时为836pF | |||||
 | MFT6N4A0S223 | 0.5000 | | 2 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT6N4A0S223TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 60V | 4A（塔） | 3.6nC@30V | 50V时为3230pF | |||||
 | MFT62PA25S563EA | - | | 2793 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT62PA25S563EATR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | P沟道 | 60V | 250mA（塔） | 1.1nC@25V | 38pF@30V | |||||
 | MFT6N48T252 | 0.8000 | | 2 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT6N48T252TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 60V | 48A（塔） | 21nC@50V | 1290pF@50V | |||||
 | MFT20N15T252 | - | | 4074 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃～150℃ | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT20N15T252TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 200V | 15A（塔） | 47nC@160V | 1955pF@25V | ||||
 | MFT10N168AT263 | 2.5000 | | 3 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT10N168AT263TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | P沟道 | 100伏 | 168A（塔） | 88nC@50V | 50V时为3230pF | |||||
 | MFT2N3A0S23 | - | | 2585 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55℃～150℃ | 表面贴装 | MOSFET（金属O化物） | 下载 | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT2N3A0S23TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | ±12V | 280pF@10V | 500毫W | ||||
| MFT6P9A0S223 | - | | 6633 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT6P9A0S223TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | P沟道 | 60V | 9A（塔） | 7nC@30V | 405pF@30V | |||||
| MFT10PA90S23 | - | | 4790 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT10PA90S23TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | P沟道 | 100伏 | 900mA（塔） | 8nC@50V | 50V时为448pF | |||||
 | MFT62NA64S363EA | 0.9000 | | 3 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | MOSFET（金属O化物） | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT62NA64S363EATR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 | N沟道 | 60V | 640mA（塔） | 17pF@25V | ||||||
| MFT10N70P56 | 1.0000 | | 100 | 0.00000000 | 梅里泰克 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 符合RoHS标准 | 1（无限制） | 2997-MFT10N70P56TR | EAR99 | 8532.25.0020 | 10 |
2000+
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