晶体管(860)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
PJA3404A_R1_00001	0.3700	询价	17号	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3404	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJA3404A_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	5.6A（塔）	4.5V、10V	23毫欧@5.6A，10V	2.1V@250μA	12.8nC@10V	±20V	602pF@15V	-	1.25W（塔）
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PJF4NA65_T0_00001	-	询价	5713	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF4NA65	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJF4NA65_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	650伏	4A（塔）	10V	2.7欧姆@2A，10V	4V@250μA	11.4nC@10V	±30V	463pF@25V	-	33W（温度）
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MMDT2907AQ_R1_00001	0.2900	询价	17号	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	MMDT2907		150毫W	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-MMDT2907AQ_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0075	3,000													60V	600毫安	50纳安	2 PNP（双）	1.6V@50mA、500mA	100@150mA，10V	200兆赫
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PJD2NA70_L2_00001	-	询价	1745	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD2N	MOSFET（金属O化物）		TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD2NA70_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	700伏	2A（塔）	10V	6.5欧姆@1A，10V	4V@250μA	7.8nC@10V	±30V	260pF@25V	-	39W（温度）
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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(860)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²