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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
PJA3400_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3400_R1_00001 0.4400
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ECAD 36 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3400 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3400_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 4.9A(塔) 2.5V、10V 38毫欧@4.9A,10V 1.3V@250μA 5.7nC@10V ±12V 490pF@15V - 1.25W(塔)
PJQ5866A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5866A_R2_00001 0.8700
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN PJQ5866 MOSFET(金属O化物) 1.7W(Ta)、56W(Tc) DFN5060B-8 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 60V 7A(Ta)、40A(Tc) 17毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 13.5nC@4.5V 1574pF@25V -
PJQ4446P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4446P_R2_00001 0.6000
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4446 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4446P_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 40V 10.5A(Ta)、48A(Tc) 4.5V、10V 9毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 22nC@10V ±20V 1258pF@25V - 2W(Ta)、41.7W(Tc)
PJT7413_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7413_S1_00001 0.4700
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ECAD 7 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT7413 MOSFET(金属O化物) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJT7413_S1_00001TR EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 20V 2.5A(塔) 1.5V、4.5V 85毫欧@2.5A,4.5V 1.2V@250μA 7nC@4.5V ±12V 522pF@10V - 750毫W(塔)
PJL9416_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9416_R2_00001 0.2412
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ECAD 6586 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9416 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9416_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 30V 16A(塔) 4.5V、10V 4.2毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 23nC@4.5V ±20V 15V时为2436pF - 2.1W(塔)
BC846BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC846BW_R1_00001 0.1900
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC846 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846BW_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
PJS6414_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6414_S1_00001 0.1185
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ECAD 4030 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6414 MOSFET(金属O化物) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6414_S1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 6.6A(塔) 1.8V、4.5V 36毫欧@6.6A,4.5V 1.2V@250μA 4.1nC@4.5V ±12V 400pF@10V - 2W(塔)
PJD16P06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD16P06A-AU_L2_000A1 0.7100
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD16 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 60V 5A(Ta)、16A(Tc) 4.5V、10V 48毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 22nC@10V ±20V 1256pF@30V - 2W(Ta)、25W(Tc)
BCX53-16-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BCX53-16-AU_R1_000A1 0.1145
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ECAD 7292 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA BCX53 1.4W SOT-89 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BCX53-16-AU_R1_000A1TR EAR99 8541.29.0075 1,000 100V 1A 100nA(ICBO) 国民党 600mV@100mA,1A 100@150mA,2V 100兆赫兹
PJD60N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD60N04-AU_L2_000A1 0.3762
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ECAD 9217 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD60 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD60N04-AU_L2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 40V 12.7A(Ta)、60A(Tc) 4.5V、10V 6.5毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 17nC@4.5V ±20V 1759pF@25V - 2.4W(Ta)、75W(Tc)
PJA3461_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3461_R1_00001 0.4500
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3461 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 60V 1.9A(塔) 4.5V、10V 190毫欧@1.9A,10V 2.5V@250μA 10V时为8.3nC ±20V 430pF@30V - 1.25W(塔)
PJD45N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD45N03_L2_00001 0.1728
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ECAD 4477 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD45 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD45N03_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 10A(Ta)、45A(Tc) 4.5V、10V 12毫欧@10A,10V 2.5V@250μA 7.1nC@4.5V ±20V 660pF@25V - 2W(Ta)、40W(Tc)
BC846BW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846BW-AU_R1_000A1 0.1900
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ECAD 第324章 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC846 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846BW-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V -
PJMP900N60EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMP900N60EC_T0_00001 3.1600
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJMP900 MOSFET(金属O化物) TO-220AB-L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMP900N60EC_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 600伏 5A(温度) 10V 900毫欧@2.3A,10V 4V@250μA 10V时为8.8nC ±30V 310 pF @ 400 V - 47.5W(温度)
PJP3NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJP3NA80_T0_00001 0.5292
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ECAD 3207 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJP3NA80_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 800V 3A(塔) 10V 4.8欧姆@1.5A,10V 4V@250μA 11nC@10V ±30V 406pF@25V - 106W(温度)
PJE8402_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8402_R1_00001 0.4400
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-523 PJE8402 MOSFET(金属O化物) SOT-523 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 N沟道 20V 700mA(塔) 1.8V、4.5V 150mOhm@700mA,4.5V 1V@250μA 1.6nC@4.5V ±8V 92pF@10V - 300毫W(塔)
PJL9850_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9850_R2_00001 0.5000
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9850 MOSFET(金属O化物) 1.7W(塔) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9850_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 2,500人 2 个 N 沟道(双) 40V 5.4A(塔) 32mOhm@5A,10V 2.5V@250μA 4.4nC@4.5V 425pF@25V -
PJX8828_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8828_R1_00001 0.4000
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PJX8828 MOSFET(金属O化物) 300毫W(塔) SOT-563 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJX8828_R1_00001CT EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 N 沟道(双) 30V 300mA(塔) 1.2欧姆@300mA,4.5V 1V@250μA 0.9nC@4.5V 45pF@10V -
PJF8NA65A_T0_00001 Panjit International Inc. PJF8NA65A_T0_00001 -
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ECAD 5840 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PJF8NA65 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB-F - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJF8NA65A_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 7.5A(塔) 10V 1.2欧姆@3.75A,10V 4V@250μA 29nC@10V ±30V 1245pF@25V - 46W(温度)
BC848BW_R1_00001 Panjit International Inc. BC848BW_R1_00001 0.0189
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ECAD 9775 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC848 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 120,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
PJQ5544V-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5544V-AU_R2_002A1 1.6600
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5544 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 40V 22.7A(Ta)、120A(Tc) 7V、10V 3.6毫欧@20A,10V 3.5V@50μA 34nC@10V ±20V 2544pF@25V - 3.3W(Ta)、94W(Tc)
PJU4NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA60_T0_00001 -
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ECAD 2609 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PJU4NA60 MOSFET(金属O化物) TO-251AA - 3757-PJU4NA60_T0_00001 过时的 1 N沟道 600伏 4A(塔) 10V 2.4欧姆@2A,10V 4V@250μA 11.1nC@10V ±30V 450pF@25V - 77W(温度)
BC807-16_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-16_R1_00001 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC807 330毫W SOT-23 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC807-16_R1_00001CT EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 100@100mA,1V 100兆赫兹
PJL9426_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9426_R2_00001 0.1787
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ECAD 4142 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9426 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9426_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 10A(塔) 4.5V、10V 11毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 10nC@4.5V ±20V 1040pF@20V - 2.1W(塔)
BC849CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC849CW_R1_00001 0.1900
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC849 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC849CW_R1_00001CT EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V 100兆赫兹
PJQ4441P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4441P_R2_00001 0.6700
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4441 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 P沟道 40V 8.5A(Ta)、44A(Tc) 4.5V、10V 17毫欧@10A,10V 2.5V@250μA 19nC@4.5V ±20V 2030pF@25V - 2W(Ta)、59.5W(Tc)
PJD2NA60_R2_00001 Panjit International Inc. PJD2NA60_R2_00001 0.7100
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ECAD 6377 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD2N MOSFET(金属O化物) TO-252AA - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD2NA60_R2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 600伏 2A(塔) 10V 4.4欧姆@1A,10V 4V@250μA 5.7nC@10V ±30V 257pF@25V - -
PSMQC280N10LS2_R2_00201 Panjit International Inc. PSMQC280N10LS2_R2_00201 0.9400
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ECAD 1307 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 PSMQC280 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3,000
PJA3434_R2_00001 Panjit International Inc. PJA3434_R2_00001 -
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ECAD 1413 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3434 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 REACH 不出行 3757-PJA3434_R2_00001TR EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 20V 750mA(塔) 1.2V、4.5V 400毫欧@600毫安,4.5伏 1V@250μA 1.4nC@4.5V ±10V 67pF@10V - 500毫W(塔)
PJL9425_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9425_R2_00001 0.2412
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ECAD 2235 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9425 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 3757-PJL9425_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 40V 10A(塔) 4.5V、10V 14毫欧@10A,10V 2.5V@250μA 23nC@4.5V ±20V 2767pF@25V - 2.1W(塔)
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