晶体管(860)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
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PJD1NA60A_L2_00001	-	询价	5189	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD1NA60	MOSFET（金属O化物）		TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	1A（塔）	10V	7.9欧姆@500mA，10V	4V@250μA	3.1nC@10V	±30V	148pF@25V	-	28W（温度）
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PJZ6NA90_T0_10001	-	询价	3667	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	PJZ6NA90	MOSFET（金属O化物）		TO-3PL	-				3757-PJZ6NA90_T0_10001	过时的		1		N沟道	900伏	6A（塔）	10V	2.3欧姆@3A，10V	4V@250μA	10V时为23.6nC	±30V	915pF@25V	-	192W（温度）
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PJP60R540E_T0_00001	0.7394	询价	8938	强茂国际有限公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	PJP60R	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJP60R540E_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	1.3A（Ta）、9A（Tc）	10V	535毫欧@2.8A，10V	4V@250μA	10V时为23.7nC	±20V	531pF@25V	-	94W（温度）
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BC857C-AU_R1_000A1	0.0216	询价	4267	强茂国际有限公司	汽车、AEC-Q101、BC856-AU	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC857		330毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	120,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	国民党	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	200兆赫
PJQ4460AP-AU_R2_000A1	0.4900	询价	4	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ4460	MOSFET（金属O化物）		DFN3333-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4460AP-AU_R2_000A1CT	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	60V	3.7A（Ta）、11A（Tc）	4.5V、10V	72毫欧@6A，10V	2.5V@250μA	9.3nC@10V	±20V	509pF@15V	-	2.4W（Ta）、23.8W（Tc）
PJL9809_R2_00001	0.1992	询价	5105	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9809	MOSFET（金属O化物）	1.25W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJL9809_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 P 沟道（双）		30V	5.3A（塔）		30毫欧@4A，10V	2.5V@250μA	7.8nC@4.5V		870pF@15V	-
PJD100N04_L2_00001	0.5880	询价	3901	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD100	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD100N04_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	17A（Ta）、100A（Tc）	4.5V、10V	3.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	50nC@4.5V	±20V	5214pF@25V	-	2W（Ta）、70W（Tc）
PJT7800_R1_00001	0.5100	询价	7	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	PJT7800	MOSFET（金属O化物）	350毫W（塔）	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	1A（塔）		150mOhm@1A，4.5V	1V@250μA	1.6nC@4.5V		92pF@10V	-
PJD7NA60_L2_00001	-	询价	7794	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD7N	MOSFET（金属O化物）		TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD7NA60_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	7A（塔）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	15.2nC@10V	±30V	723pF@25V	-	140W（温度）
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PJW3N10A_R2_00001	0.4300	询价	12	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	PJW3N10A	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100V	2.2A（塔）	4.5V、10V	310毫欧@2.2A，10V	2.5V@250μA	9.1nC@10V	±20V	508pF@30V	-	3.1W（塔）
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PJQ4606_R1_00001	0.3076	询价	3787	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	PJQ4606	MOSFET（金属O化物）	2W（Ta）、18W（Tc）	DFN3030B-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4606_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道互补		30V	7.6A（Ta）、23A（Tc）、6.7A（Ta）、20A（Tc）		19毫欧@8A、10V、30毫欧@4A、10V	2.5V@250μA	4.8nC@4.5V，7.8nC@4.5V		25V时为429pF，15V时为846pF	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(860)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²