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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率-开头
BC846BS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846BS-AU_R1_000A1 0.3200
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ECAD 630 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BC846 250毫W SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846BS-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) 2 NPN(双) 300毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V -
DMMT3904W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. DMMT3904W-AU_R1_000A1 0.2500
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ECAD 2299 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 DMMT3904 225毫W SOT-363 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-DMMT3904W-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200毫安 50纳安 2 NPN(双)匹配 300毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 300兆赫
MMBT3904-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT3904-AU_R1_000A1 0.1600
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ECAD 28 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT3904 225毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMBT3904-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200毫安 50纳安 NPN 300毫伏@5毫安,50毫安 100@10mA,1V 300兆赫
MMBT2369A_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT2369A_R1_00001 0.0189
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ECAD 5524 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT2369 225毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 120,000 15V 200毫安 400nA(ICBO) NPN 500毫伏@10毫安,100毫安 40@10mA,1V -
PJW1NA60B_R2_00001 Panjit International Inc. PJW1NA60B_R2_00001 -
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ECAD 7000 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA PJW1NA60B MOSFET(金属O化物) SOT-223 - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 600伏 400mA(塔) 10V 10欧姆@500mA,10V 3.5V@250μA 6.1nC@10V ±30V 210pF@25V - 3.3W(温度)
PJS6602_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6602_S2_00001 0.1432
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ECAD 6519 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6602 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6602_S2_00001TR EAR99 8541.29.0095 10,000 N 和 P 沟道互补 20V 5.2A(塔)、3.4A(塔) 36mOhm@5.2A、4.5V、82mOhm@3.4A、4.5V 1.2V@250μA 4.1nC@4.5V,7nC@4.5V 10V时为396pF,10V时为522pF -
PJF18N20_T0_00001 Panjit International Inc. PJF18N20_T0_00001 1.0000
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF18N20 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJF18N20_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 200V 18A(温度) 10V 160mOhm@9A,10V 3V@250μA 24nC@10V ±20V 1017pF@25V - 50W(温度)
PJQ5462A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5462A_R2_00001 0.6400
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5462 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 8.5A(Ta)、42A(Tc) 4.5V、10V 12毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 40nC@10V ±20V 2142pF@25V - 2W(Ta)、60W(Tc)
BC847BFN3_R1_00001 Panjit International Inc. BC847BFN3_R1_00001 0.2700
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ECAD 6 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 3-UFDFN BC847 250毫W 3-DFN (0.6x1) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 8,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
PJE8408_R1_00001 Panjit International Inc. PJE8408_R1_00001 0.4100
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ECAD 第286章 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-89、SOT-490 PJE8408 MOSFET(金属O化物) SOT-523 读写 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 N沟道 20V 500mA(塔) 1.2V、4.5V 400毫欧@500毫安,4.5伏 900mV@250μA 1.4nC@4.5V ±10V 67pF@10V - 300毫W(塔)
PJP60R190E_T0_00001 Panjit International Inc. PJP60R190E_T0_00001 1.5046
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ECAD 5424 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP60R MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJP60R190E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 2.1A(Ta)、20A(Tc) 10V 196毫欧@10A,10V 4V@250μA 62nC@10V ±20V 1421pF@25V - 2W(Ta)、231W(Tc)
PJQ2422_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2422_R1_00001 0.4500
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ECAD 157 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 PJQ2422 MOSFET(金属O化物) DFN2020B-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2422_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 8A(塔) 4.5V、10V 18毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 4.3nC@4.5V ±20V 392pF@25V - 2W(塔)
PJL9836A_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9836A_R2_00001 0.2987
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ECAD 5429 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9836 MOSFET(金属O化物) 1.7W(塔) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9836A_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 2 个 N 沟道(双) 60V 6A(塔) 21毫欧@5.5A,10V 2.5V@250μA 28nC@10V 1680pF@20V -
BC817-16_R1_00001 Panjit International Inc. BC817-16_R1_00001 0.1900
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 BC817 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC817 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 100@100mA,1V 100兆赫兹
PJA3415AE_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3415AE_R1_00001 0.5100
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ECAD 66 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3415 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3415AE_R1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 20V 4.3A(塔) 1.8V、4.5V 50毫欧@4.3A,4.5V 1V@250μA 24nC@4.5V ±8V 907pF@10V - 1.25W(塔)
PJT7600_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7600_R1_00001 0.4900
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ECAD 9 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT7600 MOSFET(金属O化物) 350毫W(塔) SOT-363 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJT7600_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 3,000 N 和 P 沟道互补 20V 1A(塔)、700mA(塔) 150mOhm @ 1A, 4.5V , 325mOhm @ 700mA, 4.5V 1V@250μA 4.5V时为1.6nC,4.5V时为2.2nC 92pF@10V,151pF@10V -
PJD50N04-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD50N04-AU_L2_000A1 0.9500
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD50 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 40V 9.6A(Ta)、50A(Tc) 4.5V、10V 9.5毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 22nC@10V ±20V 1258pF@25V - 2.4W(Ta)、64.9W(Tc)
PJD4NA65_L2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA65_L2_00001 0.8800
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ECAD 8392 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD4NA65 MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD4NA65_L2_00001CT EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 650伏 4A(塔) 10V 2.7欧姆@2A,10V 4V@250μA 11.4nC@10V ±30V 463pF@25V - 77W(温度)
PJW5N10_R2_00001 Panjit International Inc. PJW5N10_R2_00001 0.1816
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ECAD 2923 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA PJW5N10 MOSFET(金属O化物) SOT-223 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJW5N10_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 100V 3.1A(Ta)、5A(Tc) 6V、10V 130毫欧@2.5A,10V 3.5V@250μA 12nC@10V ±20V 707pF@30V - 3.1W(塔)
PJL9415_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9415_R2_00001 0.6500
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9415 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 30V 12A(塔) 4.5V、10V 9.5毫欧@12A,10V 2.5V@250μA 26nC@4.5V ±20V 15V时为3168pF - 1.7W(塔)
PJX8807_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8807_R1_00001 0.5100
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ECAD 8 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PJX8807 MOSFET(金属O化物) 300毫W(塔) SOT-563 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJX8807_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 P 沟道(双) 20V 500mA(塔) 1.2欧姆@500mA,4.5V 1V@250μA 1.4nC@4.5V 38pF@10V -
MMBT4403W_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT4403W_R1_00001 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 MMBT4403 200毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMBT4403W_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100纳安 国民党 750mV@50mA、500mA 100@150mA,2V 200兆赫
BC856AW_R1_00001 Panjit International Inc. BC856AW_R1_00001 0.0194
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ECAD 1596 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC856 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 120,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 110@2mA,5V 200兆赫
PJS6601-AU_S1_000A1 Panjit International Inc. PJS6601-AU_S1_000A1 0.4800
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6601 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6601-AU_S1_000A1DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N 和 P 沟道互补 20V 4.1A(塔)、3.1A(塔) 56mOhm@4.1A。 4.5V,115毫欧@3.1A,4.5V 1.2V@250μA 4.6nC@4.5V,5.4nC@4.5V 10V时为350pF,10V时为416pF -
BC846AS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846AS-AU_R1_000A1 0.3200
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BC846 150毫W SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846AS-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) 2 NPN(双) 600毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V -
PJP6NA40_T0_00001 Panjit International Inc. PJP6NA40_T0_00001 -
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ECAD 2706 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP6 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJP6NA40_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 400V 6A(塔) 10V 950毫欧@3A,10V 4V@250μA 11.4nC@10V ±30V 553pF@25V - 100W(温度)
MMBT5551_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT5551_R1_00001 0.2200
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ECAD 29 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT5551 250毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMBT5551_R1_00001TR EAR99 8541.21.0075 3,000 160伏 600毫安 50nA(ICBO) NPN 200毫伏@5毫安,50毫安 80@10mA,5V 300兆赫
PJF60R620E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R620E_T0_00001 0.7015
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ECAD 6738 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF60R620E MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJF60R620E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 1.2A(Ta)、7A(Tc) 10V 620毫欧@2.4A,10V 4V@250μA 21nC@10V ±20V 457pF@25V - 1.04W(Ta)、45W(Tc)
PJD25P03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD25P03_L2_00001 -
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ECAD 5501 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD25 MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 30V 6.5A(Ta)、25A(Tc) 4.5V、10V 30毫欧@4A,10V 2.5V@250μA 7.8nC@4.5V ±20V 15V时为870pF - 2W(Ta)、30W(Tc)
PJP18N20_T0_00001 Panjit International Inc. PJP18N20_T0_00001 1.0700
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ECAD 5419 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP18 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 3757-PJP18N20_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 200V 18A(温度) 10V 160mOhm@9A,10V 3V@250μA 24nC@10V ±20V 1017pF@25V - 89W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

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