晶体管(860)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
PJA3415A-AU_R1_000A1	0.3600	询价	6	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3415	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	20V	4.5A（塔）	1.8V、4.5V	48毫欧@4.5A，4.5V	1.3V@250μA	10nC@4.5V	±12V	980pF@10V	-	1.25W（塔）
PJP4NA50A_T0_00001	0.3261	询价	4413	强茂国际有限公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	PJP4	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJP4NA50A_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	4A（塔）	10V	2.3欧姆@2A，10V	4V@250μA	9.8nC@10V	±30V	449pF@25V	-	90W（温度）
BC850C-AU_R1_000A1	0.2100	询价	2	强茂国际有限公司	汽车、AEC-Q101、BC850-AU	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC850		330毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-BC850C-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	-
PJD16P06A_L2_00001	0.2357	询价	5517	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD16	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD16P06A_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	5A（Ta）、16A（Tc）	4.5V、10V	48毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1256pF@30V	-	2W（Ta）、25W（Tc）
MMBTA56_R1_00001	0.1900	询价	5	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBTA56		225毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-MMBTA56_R1_00001DKR	EAR99	8541.21.0095	3,000													80V	500毫安	100纳安	国民党	250毫伏@10毫安，100毫安	100@100mA，1V	100兆赫兹
PJQ5546-AU_R2_002A1	1.0000	询价	3	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ5546	MOSFET（金属O化物）		DFN5060-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	18.7A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	5.3毫欧@20A，10V	2.3V@50μA	20nC@10V	±20V	1320pF@25V	-	3.3W（Ta）、68W（Tc）
PJMF360N60E1_T0_00001	-	询价	4076	强茂国际有限公司	-	管子	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	PJMF360	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB-F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	600伏	11A（温度）	10V	360毫欧@3.8A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±30V	717 pF @ 400 V	-	32W（温度）
PJQ5448-AU_R2_000A1	0.6000	询价	1680	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ5448	MOSFET（金属O化物）		DFN5060-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ5448-AU_R2_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	9.6A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	10nC@4.5V	±20V	1040pF@20V	-	2.4W（Ta）、65.2W（Tc）
PJA3460_R1_00001	0.4400	询价	40	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3460	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJA3460_R1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	60V	2.5A（塔）	4.5V、10V	75毫欧@2A，10V	2.5V@250μA	9.3nC@10V	±20V	509pF@15V	-	1.25W（塔）
2SC164S_R1_00001	0.0675	询价	9311	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极		表面贴装	SOT-23-6	2SC164		1W	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	120,000													40V、30V	150毫安	50nA、500nA（ICBO）	2 NPN - 预偏置（双）	300mV @ 5mA、50mA / 300mV @ 1mA、10mA	100 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 5V	300兆赫、250兆赫	10k欧姆	-
BC847CS_R1_00001	0.3200	询价	1	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BC847		225毫W	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	3,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	2 NPN（双）	650mV@5mA、100mA	420@2mA，5V	200兆赫
PJL9824_R2_00001	0.4525	询价	3339	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9824	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJL9824_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		40V	13A（塔）		5.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	25nC@4.5V		1258pF@25V	-
PJS6800_S1_00001	0.1497	询价	3960	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6800	MOSFET（金属O化物）	1.25W（塔）	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6800_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	3.9A（塔）		48毫欧@3.9A，10V	1.2V@250μA	11.3nC@10V		490pF@15V	-
PJL9808_R2_00001	-	询价	8843	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9808	MOSFET（金属O化物）	1.25W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	8A（塔）		19毫欧@8A，10V	2.5V@250μA	4.3nC@4.5V		392pF@25V	-
PJS6806_S1_00001	0.5300	询价	第567章	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6806	MOSFET（金属O化物）	1.25W（塔）	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6806_S1_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		30V	4A（塔）		48毫欧@4A，10V	2.1V@250μA	5.8nC@10V		235pF@15V	-
PJD2NA90_L2_00001	-	询价	2089	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD2N	MOSFET（金属O化物）		TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD2NA90_L2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	900伏	2A（塔）	10V	6.4欧姆@1A，10V	4V@250μA	11.1nC@10V	±30V	396pF@25V	-	50W（温度）
PJA3436_R2_00001	-	询价	4470	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3436	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准			3757-PJA3436_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	20V	1.2A（塔）	1.8V、4.5V	380毫欧@1.2A，4.5V	1V@250μA	0.9nC@4.5V	±12V	10V时为39pF	-	1.25W（塔）
PJD80N03_L2_00001	0.2357	询价	8481	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD80	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD80N03_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	15A（Ta）、80A（Tc）	4.5V、10V	6毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	12nC@4.5V	±20V	1323pF@25V	-	2W（Ta）、55W（Tc）
BC817-25W_R1_00001	0.1900	询价	55	强茂国际有限公司	BC817-16W	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC817		300毫W	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000													45V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	160@100mA，1V	100兆赫兹
PJF8NA50_T0_00001	-	询价	6263	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF8NA50	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJF8NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	8A（塔）	10V	900毫欧@4A，10V	4V@250μA	16.2nC@10V	±30V	826pF@25V	-	49W（温度）
PJL9802_R2_00001	0.1497	询价	4082	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9802	MOSFET（金属O化物）	1.7W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJL9802_R2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	5A（塔）		48毫欧@5A，10V	2.1V@250μA	5.8nC@10V		235pF@15V	-
BC846BS-AU_R1_000A1	0.3200	询价	630	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BC846		250毫W	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-BC846BS-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0095	3,000													65V	100毫安	15nA（ICBO）	2 NPN（双）	300毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	-
DMMT3904W-AU_R1_000A1	0.2500	询价	2299	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	DMMT3904		225毫W	SOT-363	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-DMMT3904W-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	200毫安	50纳安	2 NPN（双）匹配	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
MMBT3904-AU_R1_000A1	0.1600	询价	28	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT3904		225毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-MMBT3904-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3,000													40V	200毫安	50纳安	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	100@10mA，1V	300兆赫
IMZ1AS_S1_00001	0.0500	询价	4266	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	IMZ1		300毫W	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	120,000													60V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP互补	400mV @ 5mA、50mA / 500mV @ 5mA、50mA	120@1mA，6V	180兆赫、140兆赫
MMBT2369A_R1_00001	0.0189	询价	5524	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	MMBT2369		225毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	120,000													15V	200毫安	400nA（ICBO）	NPN	500毫伏@10毫安，100毫安	40@10mA，1V	-
PJW1NA60B_R2_00001	-	询价	7000	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-261-4、TO-261AA	PJW1NA60B	MOSFET（金属O化物）		SOT-223	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	600伏	400mA（塔）	10V	10欧姆@500mA，10V	3.5V@250μA	6.1nC@10V	±30V	210pF@25V	-	3.3W（温度）
PJQ4602_R1_00001	0.2922	询价	4657	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	PJQ4602	MOSFET（金属O化物）	2W（Ta）、17.8W（Tc）	DFN3030B-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4602_R1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000	N 和 P 沟道互补		30V	6.4A（Ta）、18.5A（Tc）、6.4A（Ta）、18A（Tc）		28毫欧@6A、10V、31毫欧@4A、10V	2.1V@250μA，2.5V@250μA	7.8nC@10V		15V时为343pF，15V时为870pF	-
PJF4NA60_T0_00001	-	询价	5549	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF4NA60	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJF4NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	4A（塔）	10V	2.4欧姆@2A，10V	4V@250μA	11.1nC@10V	±30V	450pF@25V	-	33W（温度）
PJQ5548V-AU_R2_002A1	0.9100	询价	3838	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ5548	MOSFET（金属O化物）		DFN5060-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	13.6A（Ta）、45A（Tc）	7V、10V	10毫欧@20A，10V	3.5V@50μA	9.5nC@10V	±20V	673pF@25V	-	3.3W（Ta）、36W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(860)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²