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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
PJQ5848-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5848-AU_R2_000A1 0.4950
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ECAD 2577 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerTDFN PJQ5848 MOSFET(金属O化物) 2W(Ta)、23.8W(Tc) DFN5060B-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5848-AU_R2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 40V 8.6A(Ta)、30A(Tc) 12毫欧@12A,10V 2.5V@250μA 10nC@4.5V 1040pF@20V -
MMDT2227A_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT2227A_R1_00001 0.3800
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 MMDT2227 225毫W、200毫W SOT-363 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMDT2227A_R1_00001CT EAR99 8541.21.0075 3,000 40V、60V 600毫安 10纳安、50纳安 NPN、PNP互补 1V @ 50mA、500mA / 1.6V @ 50mA、500mA 100@150mA,10V 300兆赫、200兆赫
PJMF990N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF990N65EC_T0_00001 2.1800
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PJMF990 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB-F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMF990N65EC_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 650伏 4.7A(温度) 10V 990毫欧@2A,10V 4V@250μA 9.7nC@10V ±30V 306 pF @ 400 V - 22.5W(温度)
PJP7NA65_T0_00001 Panjit International Inc. PJP7NA65_T0_00001 -
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ECAD 第1442章 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP7 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJP7NA65_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 7A(塔) 10V 1.5欧姆@3.5A,10V 4V@250μA 16.8nC@10V ±30V 754pF@25V - 145W(温度)
PJP6NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJP6NA90_T0_00001 -
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ECAD 5296 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP6 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJP6NA90_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 900伏 6A(塔) 10V 2.3欧姆@3A,10V 4V@250μA 10V时为23.6nC ±30V 915pF@25V - 167W(温度)
MMDT4401_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT4401_R1_00001 0.3400
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 MMDT4401 225毫W SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMDT4401_R1_00001CT EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100纳安 2 NPN(双) 750mV@50mA、500mA 100@150mA,1V 250兆赫
PJQ5424_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5424_R2_00001 0.7200
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5424 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 13.5A(Ta)、100A(Tc) 4.5V、10V 3.8毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 24nC@4.5V ±20V 2238pF@25V - 2W(Ta)、83W(Tc)
PJF2NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJF2NA90_T0_00001 -
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ECAD 3332 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF2NA90 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJF2NA90_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 900伏 2A(塔) 10V 6.4欧姆@1A,10V 4V@250μA 11.1nC@10V ±30V 396pF@25V - 39W(温度)
PJD3NA80_L2_00001 Panjit International Inc. PJD3NA80_L2_00001 -
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ECAD 6464 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD3NA80 MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD3NA80_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 800V 3A(塔) 10V 4.8欧姆@1.5A,10V 4V@250μA 11nC@10V ±30V 406pF@25V - 80W(温度)
PJQ4546VP-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ4546VP-AU_R2_002A1 0.9400
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4546 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 40V 15A(Ta)、61A(Tc) 7V、10V 6.3毫欧@15A,10V 3.5V@50μA 23nC@10V ±20V 1283pF@25V - 2.5W(Ta)、42W(Tc)
BC857B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857B-AU_R1_000A1 0.1900
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ECAD 第436章 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车、AEC-Q101、BC856-AU 卷带式 (TR) 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC857 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC857B-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 220@2mA,5V 200兆赫
PJQ2461-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJQ2461-AU_R1_000A1 0.1644
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ECAD 8016 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 PJQ2461 MOSFET(金属O化物) DFN2020B-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2461-AU_R1_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 60V 2.4A(塔) 4.5V、10V 170mOhm@2A,10V 2.5V@250μA 10V时为8.3nC ±20V 430pF@30V - 2W(塔)
PJX138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJX138K-AU_R1_000A1 0.3700
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PJX138 MOSFET(金属O化物) 223毫W(塔) SOT-563 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJX138K-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 N 沟道(双) 50V 350mA(塔) 1.6欧姆@500mA,10V 1.5V@250μA 1nC@4.5V 50pF@25V -
PJD3NA50_L2_00001 Panjit International Inc. PJD3NA50_L2_00001 -
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ECAD 第1537章 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD3NA50 MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD3NA50_L2_00001CT EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 500V 3A(塔) 10V 3.2欧姆@1.5A,10V 4V@250μA 6.5nC@10V ±30V 260pF@25V - 34W(温度)
PJW7N04-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW7N04-AU_R2_000A1 0.1973
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ECAD 第1349章 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA PJW7N04 MOSFET(金属O化物) SOT-223 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJW7N04-AU_R2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 6.5A(塔) 4.5V、10V 42mOhm@5A,10V 2.5V@250μA 4.8nC@4.5V ±20V 410pF@20V - 3.7W(塔)
PBHV9110DW_R2_00001 Panjit International Inc. PBHV9110DW_R2_00001 0.4300
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA PBHV9110 2.6W SOT-223 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PBHV9110DW_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 2,500人 100V 1A 500nA(ICBO) 国民党 600mV@100mA,1A 140@150mA,2V 100兆赫兹
PJF60R980E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R980E_T0_00001 0.5451
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ECAD 8053 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF60R980E MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJF60R980E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 4A(温度) 10V 980毫欧@1.5A,10V 4V@250μA 14.4nC@10V ±20V 300pF@25V - 40W(温度)
PJMD360N60EC_L2_00001 Panjit International Inc. PJMD360N60EC_L2_00001 2.9700
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJMD360 MOSFET(金属O化物) TO-252AA 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 600伏 11A(温度) 10V 360毫欧@5.5A,10V 4V@250μA 18.7nC@10V ±30V 735 pF @ 400 V - 87.5W(温度)
2SB1429_R1_00001 Panjit International Inc. 2SB1429_R1_00001 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2SB1429 1.25W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-2SB1429_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 20V 3A 100nA(ICBO) 国民党 300毫伏@300毫安,3安 200@500mA,2V 160兆赫
PJQ4468AP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4468AP_R2_00001 0.8700
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4468 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4468AP_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 60V 5A(Ta)、18A(Tc) 4.5V、10V 34mOhm@10A,10V 2.5V@250μA 20nC@10V ±20V 1173pF@25V - 2W(Ta)、24W(Tc)
PJD35N06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD35N06A-AU_L2_000A1 0.3178
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ECAD 4032 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD35 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD35N06A-AU_L2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 4.7A(Ta)、35A(Tc) 4.5V、10V 21毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 28nC@10V ±20V 1680pF@20V - 1.3W(Ta)、75W(Tc)
PJQ4444P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4444P_R2_00001 0.6700
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ECAD 4591 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4444 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 40V 14A(Ta)、70A(Tc) 4.5V、10V 5.5毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 25nC@4.5V ±20V 1258pF@25V - 2W(Ta)、50W(Tc)
PJD16P04_L2_00001 Panjit International Inc. PJD16P04_L2_00001 0.6700
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD16 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 40V 5A(Ta)、16A(Tc) 4.5V、10V 45毫欧@10A,10V 2.5V@250μA 8.3nC@4.5V ±20V 929pF@15V - 2W(Ta)、22W(Tc)
PJU4NA65_T0_00001 Panjit International Inc. PJU4NA65_T0_00001 -
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ECAD 7547 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PJU4NA65 MOSFET(金属O化物) TO-251AA - 3757-PJU4NA65_T0_00001 过时的 1 N沟道 650伏 4A(塔) 10V 2.7欧姆@2A,10V 4V@250μA 11.4nC@10V ±30V 463pF@25V - 77W(温度)
PJQ4404P-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4404P-AU_R2_000A1 0.6500
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4404 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4404P-AU_R2_000A1CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 30V 15A(Ta)、60A(Tc) 4.5V、10V 6mOhm@10A,10V 2.5V@250μA 12nC@4.5V ±20V 1323pF@25V - 2W(Ta)、31W(Tc)
PJT7801_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7801_R1_00001 0.5100
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT7801 MOSFET(金属O化物) 350毫W(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 700mA(塔) 325mOhm@700mA,4.5V 1V@250μA 2.2nC@4.5V 165pF@10V -
PJQ2405_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2405_R1_00001 0.6100
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 PJQ2405 MOSFET(金属O化物) DFN2020B-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2405_R1_00001CT EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 20V 7.2A(塔) 1.8V、4.5V 32毫欧@7.2A,4.5V 900mV@250μA 18.9nC@4.5V ±8V 1785pF@10V - 2.8W(塔)
PJL9854_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9854_R2_00001 0.6700
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9854 MOSFET(金属O化物) 1.7W(塔) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 2,500人 2 个 N 沟道(双) 40V 9A(塔) 12毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 10nC@4.5V 1040pF@20V -
BC817-40_R1_00001 Panjit International Inc. BC817-40_R1_00001 0.1600
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ECAD 23 0.00000000 强茂国际有限公司 BC817 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC817 300毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC817-40_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) NPN 700毫伏@50毫安,500毫安 250@100mA,1V 100兆赫兹
PJQ5846_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5846_R2_00001 0.4603
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ECAD 9615 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerTDFN PJQ5846 MOSFET(金属O化物) 1.7W(Ta)、32W(Tc) DFN5060B-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5846_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 40V 9.5A(Ta)、40A(Tc) 10.5毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 22nC@10V 1258pF@25V -
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