SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
2N7002KTB_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KTB_R1_00001 0.3500
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ECAD 75 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-89、SOT-490 2N7002 MOSFET(金属O化物) SOT-523 读写 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 N沟道 60V 115mA(塔) 4.5V、10V 3欧姆@500mA,10V 2.5V@250μA 0.8nC@4.5V ±20V 35pF@25V - 200毫W(塔)
PJMP210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc. PJMP210N65EC_T0_00601 2.2700
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJMP210 MOSFET(金属O化物) TO-220AB-L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMP210N65EC_T0_00601 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 700伏 19A(TC) 10V 210毫欧@9.5A,10V 4V@250μA 34nC@10V ±30V 1412 pF @ 400 V - 150W(温度)
PJD40N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N15_L2_00001 0.6218
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ECAD 8890 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD40 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD40N15_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 150伏 5A(Ta)、40A(Tc) 10V 35毫欧@20A,10V 4V@250μA 52nC@10V ±20V 75V时为2207pF - 2W(Ta)、131W(Tc)
PJD7NA65_L2_00001 Panjit International Inc. PJD7NA65_L2_00001 -
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ECAD 6178 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD7N MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD7NA65_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 650伏 7A(塔) 10V 1.5欧姆@3.5A,10V 4V@250μA 16.8nC@10V ±30V 754pF@25V - 140W(温度)
PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808_R1_00001 0.4200
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ECAD 7 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PJX8808 MOSFET(金属O化物) 300毫W(塔) SOT-563 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 N 沟道(双) 20V 500mA(塔) 400毫欧@500毫安,4.5伏 900mV@250μA 1.4nC@4.5V 67pF@10V 逻辑电平门,1.2V驱动
PJD6NA40_L2_00001 Panjit International Inc. PJD6NA40_L2_00001 0.8900
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ECAD 1102 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD6N MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD6NA40_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 400V 6A(塔) 10V 950毫欧@3A,10V 4V@250μA 11.4nC@10V ±30V 553pF@25V - 77W(温度)
PJF10NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF10NA80_T0_00001 -
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ECAD 9178 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF10NA80 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB - 符合ROHS3标准 不适用 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 800V 10A(塔) 10V 1.15欧姆@5A,10V 4V@250μA 31nC@10V ±30V 1517pF@25V - 60W(温度)
PJA3406_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3406_R1_00001 0.4900
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ECAD 43 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3406 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3406_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 4.4A(塔) 4.5V、10V 48毫欧@4.4A,10V 2.1V@250μA 5.8nC@10V ±20V 15V时为235pF - 1.25W(塔)
PJQ2888_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2888_R1_00001 -
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ECAD 8259 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) SIC停产 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-WFDFN 裸露焊盘 PJQ2888 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) DFN2020-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2888_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 1.5A(塔) 325毫欧@1.5A,4.5V 1V@250μA 2.2nC@4.5V 150pF@10V -
PJL9421_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9421_R2_00001 0.2680
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ECAD 6898 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9421 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9421_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 40V 8.8A(塔) 4.5V、10V 17毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 19nC@4.5V ±20V 2030pF@25V - 2.1W(塔)
PJMF130N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF130N65EC_T0_00001 6.9000
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PJMF130 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB-F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMF130N65EC_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 650伏 29A(温度) 10V 130毫欧@10.8A,10V 4V@250μA 51nC@10V ±30V 1920 pF @ 400 V - 33W(温度)
PJD85N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD85N03_L2_00001 0.2631
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ECAD 5420 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD85 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD85N03_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 16A(Ta)、85A(Tc) 4.5V、10V 3.8毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 23nC@4.5V ±20V 2436pF@25V - 2W(Ta)、58W(Tc)
PJU2NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJU2NA90_T0_00001 -
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ECAD 4662 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PJU2NA90 MOSFET(金属O化物) TO-251AA - 3757-PJU2NA90_T0_00001 过时的 1 N沟道 900伏 2A(塔) 10V 6.4欧姆@1A,10V 4V@250μA 11.1nC@10V ±30V 396pF@25V - -
PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416AE_R1_00001 0.3800
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ECAD 35 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3416 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3416AE_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 6.5A(塔) 1.8V、4.5V 22毫欧@6.5A,4.5V 1V@250μA 8.6nC@4.5V ±8V 10V时为836pF - 1.25W(塔)
MMDT4403_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT4403_R1_00001 0.4500
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 MMDT4403 225毫W SOT-363 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMDT4403_R1_00001CT EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100纳安 2 PNP(双) 750mV@50mA、500mA 100@150mA,2V 200兆赫
PJS6809_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6809_S1_00001 0.5300
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ECAD 10 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6809 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6809_S1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 30V 2.6A(塔) 115毫欧@2.6A,10V 2.1V@250μA 9.8nC@10V 396pF@15V -
PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812_R1_00001 0.5100
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ECAD 2758 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT7812 MOSFET(金属O化物) 350毫W(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJT7812_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 30V 500mA(塔) 1.2欧姆@500mA,4.5V 1.1V@250μA 0.87nC@4.5V 34pF@15V -
PSMQC074N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc. PSMQC074N10NS2_R2_00201 1.7300
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ECAD 3044 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 PSMQC074 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3,000
BC807-25W_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-25W_R1_00001 0.1900
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 BC807-16W 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC807 300毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC807-25W_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 100兆赫兹
BC857CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857CW_R1_00001 0.1900
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ECAD 6 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC857CW_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 200兆赫
PJMF280N65E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF280N65E1_T0_00001 2.6100
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PJMF280 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB-F 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 3757-PJMF280N65E1_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 13.8A(温度) 10V 280毫欧@4.4A,10V 4V@250μA 30nC@10V ±30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W(温度)
PJQ5444-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5444-AU_R2_000A1 0.2893
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ECAD 6414 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5444 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5444-AU_R2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 40V 12.7A(Ta)、70A(Tc) 4.5V、10V 6.5毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 17nC@4.5V ±20V 1759pF@25V - 2.4W(Ta)、100W(Tc)
PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K_R1_00001 0.3000
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ECAD 8 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT138 MOSFET(金属O化物) 236mW(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 50V 360mA(塔) 1.6欧姆@500mA,10V 1.5V@250μA 1nC@4.5V 50pF@25V -
PJX138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJX138K_R1_00001 0.4700
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ECAD 34 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PJX138 MOSFET(金属O化物) 223毫W(塔) SOT-563 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJX138K_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 N 沟道(双) 50V 350mA(塔) 1.6欧姆@500mA,10V 1.5V@250μA 1nC@4.5V 50pF@25V -
PJP100P03_T0_00001 Panjit International Inc. PJP100P03_T0_00001 -
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ECAD 6694 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP100 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJP100P03_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 P沟道 30V 15.8A(Ta)、100A(Tc) 4.5V、10V 5毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 107nC@10V ±20V 6067pF@25V - 2W(Ta)、119W(Tc)
BC846A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846A-AU_R1_000A1 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车、AEC-Q101、BC846-AU 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC846 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846A-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V -
PJL9422_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9422_R2_00001 0.2375
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ECAD 7297 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9422 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9422_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 13A(塔) 4.5V、10V 6.5毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 17nC@4.5V ±20V 1759pF@25V - 2.1W(塔)
PJQ4410P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4410P_R2_00001 0.4200
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4410 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4410P_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 30V 10A(Ta)、35A(Tc) 4.5V、10V 12欧姆@10A,10V 2.5V@250μA 7.1nC@4.5V ±20V 660pF@25V - 2W(Ta)、27W(Tc)
PJF60R540E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R540E_T0_00001 0.7272
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ECAD 7762 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF60R540E MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJF60R540E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 1.3A(Ta)、9A(Tc) 10V 535毫欧@2.8A,10V 4V@250μA 10V时为23.7nC ±20V 531pF@25V - 48W(温度)
PJMH190N60E1_T0_00601 Panjit International Inc. PJMH190N60E1_T0_00601 3.6300
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 PJMH190 MOSFET(金属O化物) TO-247AD 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMH190N60E1_T0_00601 EAR99 8541.29.0095 30 N沟道 600伏 20.6A(温度) 10V 180毫欧@9.5A,10V 3.8V@250μA 40nC@10V ±30V 1410 pF @ 400 V - 160W(温度)
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