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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
BC858A_R1_00001 Panjit International Inc. BC858A_R1_00001 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 BC856 卷带式 (TR) 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC858 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC858A_R1_00001CT EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 110@2mA,5V 200兆赫
PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 Panjit International Inc. PSMQC060N06LS1-AU_R2_006A1 1.6400
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ECAD 4089 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PSMQC060 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 68A(温度) 4.5V、10V 6毫欧@20A,10V 3V@250μA 37nC@10V ±20V 2057pF@30V - 50W(温度)
PJA3406_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3406_R1_00001 0.4900
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ECAD 43 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3406 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3406_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 4.4A(塔) 4.5V、10V 48毫欧@4.4A,10V 2.1V@250μA 5.8nC@10V ±20V 15V时为235pF - 1.25W(塔)
PJQ2888_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2888_R1_00001 -
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ECAD 8259 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) SIC停产 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-WFDFN 裸露焊盘 PJQ2888 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) DFN2020-8 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2888_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 1.5A(塔) 325毫欧@1.5A,4.5V 1V@250μA 2.2nC@4.5V 150pF@10V -
PJL9421_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9421_R2_00001 0.2680
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ECAD 6898 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9421 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9421_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 40V 8.8A(塔) 4.5V、10V 17毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 19nC@4.5V ±20V 2030pF@25V - 2.1W(塔)
PJMF130N65EC_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF130N65EC_T0_00001 6.9000
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PJMF130 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB-F 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMF130N65EC_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 650伏 29A(温度) 10V 130毫欧@10.8A,10V 4V@250μA 51nC@10V ±30V 1920 pF @ 400 V - 33W(温度)
BC849C_R1_00001 Panjit International Inc. BC849C_R1_00001 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 BC849 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC849 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC849C_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V 100兆赫兹
PJS6809_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6809_S1_00001 0.5300
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ECAD 10 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6809 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6809_S1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 30V 2.6A(塔) 115毫欧@2.6A,10V 2.1V@250μA 9.8nC@10V 396pF@15V -
MMDT4403_R1_00001 Panjit International Inc. MMDT4403_R1_00001 0.4500
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 MMDT4403 225毫W SOT-363 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMDT4403_R1_00001CT EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 600毫安 100纳安 2 PNP(双) 750mV@50mA、500mA 100@150mA,2V 200兆赫
PJD85N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD85N03_L2_00001 0.2631
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ECAD 5420 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD85 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD85N03_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 16A(Ta)、85A(Tc) 4.5V、10V 3.8毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 23nC@4.5V ±20V 2436pF@25V - 2W(Ta)、58W(Tc)
PJF10NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF10NA80_T0_00001 -
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ECAD 9178 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF10NA80 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB - 符合ROHS3标准 不适用 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 800V 10A(塔) 10V 1.15欧姆@5A,10V 4V@250μA 31nC@10V ±30V 1517pF@25V - 60W(温度)
BC857CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857CW_R1_00001 0.1900
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ECAD 6 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC857CW_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 200兆赫
PJU2NA90_T0_00001 Panjit International Inc. PJU2NA90_T0_00001 -
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ECAD 4662 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PJU2NA90 MOSFET(金属O化物) TO-251AA - 3757-PJU2NA90_T0_00001 过时的 1 N沟道 900伏 2A(塔) 10V 6.4欧姆@1A,10V 4V@250μA 11.1nC@10V ±30V 396pF@25V - -
BC807-25W_R1_00001 Panjit International Inc. BC807-25W_R1_00001 0.1900
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 BC807-16W 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC807 300毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC807-25W_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 500毫安 100nA(ICBO) 国民党 700毫伏@50毫安,500毫安 160@100mA,1V 100兆赫兹
PJA3416AE_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3416AE_R1_00001 0.3800
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ECAD 35 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3416 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3416AE_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 6.5A(塔) 1.8V、4.5V 22毫欧@6.5A,4.5V 1V@250μA 8.6nC@4.5V ±8V 10V时为836pF - 1.25W(塔)
PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812_R1_00001 0.5100
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ECAD 2758 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT7812 MOSFET(金属O化物) 350毫W(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJT7812_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 30V 500mA(塔) 1.2欧姆@500mA,4.5V 1.1V@250μA 0.87nC@4.5V 34pF@15V -
PJQ5453E-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5453E-AU_R2_002A1 1.1100
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5453 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 40V 12.8A(Ta)、61A(Tc) 4.5V、10V 11.3毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 56nC@10V ±25V 2858pF@25V - 3.3W(Ta)、75W(Tc)
PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838_R1_00001 0.5100
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT7838 MOSFET(金属O化物) 350毫W(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 50V 400mA(塔) 1.45欧姆@500mA,10V 1V@250μA 0.95nC@4.5V 36pF@25V -
PJU2NA1K_T0_00001 Panjit International Inc. PJU2NA1K_T0_00001 -
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ECAD 1024 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PJU2NA1K MOSFET(金属O化物) TO-251AA - 3757-PJU2NA1K_T0_00001 过时的 1 N沟道 1000伏 2A(塔) 10V 9欧姆@1A,10V 4V@250μA 14nC@10V ±30V 385pF@25V - 50W(温度)
PJA3434-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3434-AU_R1_000A1 -
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ECAD 6134 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3434 MOSFET(金属O化物) SOT-23 - REACH 不出行 3757-PJA3434-AU_R1_000A1TR EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 20V 750mA(塔) 1.2V、4.5V 400毫欧@600毫安,4.5伏 1V@250μA 1.4nC@4.5V ±10V 67pF@10V - 500毫W(塔)
PJMF280N65E1_T0_00001 Panjit International Inc. PJMF280N65E1_T0_00001 2.6100
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 PJMF280 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB-F 下载 符合ROHS3标准 不适用 REACH 不出行 3757-PJMF280N65E1_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 13.8A(温度) 10V 280毫欧@4.4A,10V 4V@250μA 30nC@10V ±30V 1040 pF @ 400 V - 35.7W(温度)
PJF5NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF5NA80_T0_00001 -
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ECAD 8425 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF5NA80 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB - 符合ROHS3标准 不适用 EAR99 8541.29.0095 2,000 N沟道 800V 5A(塔) 10V 2.7欧姆@2.5A,10V 4V@250μA 17nC@10V ±30V 660pF@25V - 48W(温度)
PJQ5445-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5445-AU_R2_000A1 -
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ECAD 8939 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5445 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 40V 8.5A(Ta)、45A(Tc) 4.5V、10V 17毫欧@15A,10V 2.5V@250μA 19nC@4.5V ±20V 2030pF@25V - 2W(Ta)、63W(Tc)
PJD60R980E_L2_00001 Panjit International Inc. PJD60R980E_L2_00001 0.4625
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ECAD 6353 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD60 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD60R980E_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 600伏 4A(温度) 10V 980毫欧@1.5A,10V 4V@250μA 14.4nC@10V ±20V 300pF@25V - 58W(温度)
PJC7476_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7476_R1_00001 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PJC7476 MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 100伏 300mA(塔) 4.5V、10V 6欧姆@300mA,10V 2.5V@250μA 1.8nC@10V ±20V 45pF@25V - 350毫W(塔)
2SC2222H_R1_00001 Panjit International Inc. 2SC2222H_R1_00001 0.4200
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ECAD 第955章 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-243AA 2SC2222H 1.1W SOT-89 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-2SC2222H_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 1,000 40V 600毫安 10纳安 NPN 1V@50mA、500mA 100@150mA,10V 300兆赫
PJD13N10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD13N10A_L2_00001 0.5100
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ECAD 6 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD13 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD13N10A_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 100伏 2.9A(Ta)、13A(Tc) 4.5V、10V 115毫欧@6.5A,10V 2.5V@250μA 20nC@10V ±20V 1413pF@25V - 2W(Ta)、41W(Tc)
PJQ5850-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ5850-AU_R2_000A1 0.2527
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ECAD 5680 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerTDFN PJQ5850 MOSFET(金属O化物) 2W(Ta)、14.4W(Tc) DFN5060B-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5850-AU_R2_000A1TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 40V 5A(Ta)、14A(Tc) 33mOhm@8A,10V 2.5V@250μA 4.4nC@4.5V 425pF@25V -
MMBT3906-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBT3906-AU_R1_000A1 0.1900
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ECAD 第653章 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT3906 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMBT3906-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200毫安 50纳安 国民党 400mV@5mA、50mA 100@10mA,1V 250兆赫
PJQ2460-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJQ2460-AU_R1_000A1 0.5100
询价
ECAD 第1443章 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 PJQ2460 MOSFET(金属O化物) DFN2020B-6 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2460-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 3.2A(塔) 4.5V、10V 75毫欧@3.2A,10V 2.5V@250μA 9.3nC@10V ±20V 509pF@15V - 2.4W(塔)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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  • Standard Product Unit

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    标准产品单位

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    2800+

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