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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
PJU1NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJU1NA60_T0_00001 -
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ECAD 5364 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA PJU1NA60 MOSFET(金属O化物) TO-251AA - 3757-PJU1NA60_T0_00001 过时的 1 N沟道 600伏 1A(塔) 10V 14欧姆@500mA,10V 4V@250μA 3.3nC@10V ±30V 95pF@25V - 27W(温度)
PJQ4416EP_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4416EP_R2_00001 0.1845
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ECAD 7153 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4416 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4416EP_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 20V 11A(Ta)、30A(Tc) 1.8V、4.5V 11毫欧@10A,4.5V 1V@250μA 16nC@4.5V ±10V 1117pF@10V - 2W(Ta)、26W(Tc)
PJQ4548P-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ4548P-AU_R2_002A1 0.7500
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4548 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 8541.29.0095 5,000 N沟道 40V 12.4A(Ta)、43A(Tc) 4.5V、10V 9.1毫欧@10A、10V 2.3V@50μA 13nC@10V ±20V 778pF@25V - 2.5W(Ta)、30W(Tc)
PJD25N06A-AU_L2_000A1 Panjit International Inc. PJD25N06A-AU_L2_000A1 0.8000
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ECAD 950 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD25 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD25N06A-AU_L2_000A1DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 5.5A(Ta)、25A(Tc) 4.5V、10V 34mOhm@15A,10V 2.5V@250μA 20nC@10V ±20V 1173pF@25V - 2.4W(Ta)、48.4W(Tc)
PJQ4466AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4466AP-AU_R2_000A1 0.9400
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ECAD 第760章 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4466 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4466AP-AU_R2_000A1CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 60V 6A(Ta)、33A(Tc) 4.5V、10V 21毫欧@15A,10V 2.5V@250μA 28nC@10V ±20V 1680pF@20V - 2.4W(Ta)、53W(Tc)
PJP2NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJP2NA60_T0_00001 -
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ECAD 9832 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP2 MOSFET(金属O化物) TO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJP2NA60_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 2A(塔) 10V 4.4欧姆@1A,10V 4V@250μA 5.7nC@10V ±30V 257pF@25V - 44W(温度)
PJD4NA65_R2_00001 Panjit International Inc. PJD4NA65_R2_00001 0.8800
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ECAD 9370 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD4NA65 MOSFET(金属O化物) TO-252AA - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD4NA65_R2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 650伏 4A(塔) 10V 2.7欧姆@2A,10V 4V@250μA 11.4nC@10V ±30V 463pF@25V - -
BC848B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC848B-AU_R1_000A1 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车、AEC-Q101、BC848-AU 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC848 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC848B-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V -
MMBTA05-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. MMBTA05-AU_R1_000A1 0.2400
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBTA05 225毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMBTA05-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 60V 500毫安 100纳安 NPN 250毫伏@10毫安,100毫安 100@100mA,1V 100兆赫兹
PJL9420_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9420_R2_00001 0.3537
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ECAD 7188 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9420 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9420_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 14A(塔) 4.5V、10V 5.5毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 25nC@4.5V ±20V 1258pF@25V - 2.1W(塔)
BC857AW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857AW-AU_R1_000A1 0.0216
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ECAD 5316 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 120,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 110@2mA,5V 200兆赫
BC857BW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857BW-AU_R1_000A1 0.2100
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ECAD 5 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 200@2mA,5V 200兆赫
PJS6815_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6815_S1_00001 0.1523
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ECAD 3170 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6815 MOSFET(金属O化物) 1.25W(塔) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6815_S1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 3.6A(塔) 57毫欧@3.6A,4.5V 1.2V@250μA 18nC@4.5V 756pF@10V -
PJC138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJC138K-AU_R1_000A1 0.3400
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PJC138K MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJC138K-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 50V 360mA(塔) 2.5V、10V 1.6欧姆@500mA,10V 1.5V@250μA 1nC@4.5V ±20V 50pF@25V - 236mW(塔)
PJS6835_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6835_S2_00001 0.1178
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ECAD 8235 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6835 MOSFET(金属O化物) 500毫W(塔) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6835_S2_00001TR EAR99 8541.21.0095 10,000 2 个 P 沟道(双) 20V 500mA(塔) 1.2欧姆@500mA,4.5V 1V@250μA 1.4nC@4.5V 38pF@10V 逻辑电平门,1.2V驱动
PJQ5466A_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5466A_R2_00001 0.6000
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5466 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5466A_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 60V 6.5A(Ta)、40A(Tc) 4.5V、10V 21毫欧@15A,10V 2.5V@250μA 28nC@10V ±20V 1680pF@20V - 2W(Ta)、83W(Tc)
PJQ4410P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4410P_R2_00001 0.4200
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4410 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4410P_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 30V 10A(Ta)、35A(Tc) 4.5V、10V 12欧姆@10A,10V 2.5V@250μA 7.1nC@4.5V ±20V 660pF@25V - 2W(Ta)、27W(Tc)
PJL9422_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9422_R2_00001 0.2375
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ECAD 7297 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9422 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9422_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 40V 13A(塔) 4.5V、10V 6.5毫欧@10A、10V 2.5V@250μA 17nC@4.5V ±20V 1759pF@25V - 2.1W(塔)
PJP8NA65A_T0_00001 Panjit International Inc. PJP8NA65A_T0_00001 0.4445
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ECAD 第1776章 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJP8 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJP8NA65A_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 650伏 7.5A(塔) 10V 1.2欧姆@3.75A,10V 4V@250μA 29nC@10V ±30V 1245pF@25V - 145W(温度)
PBSS4350SA_R1_00001 Panjit International Inc. PBSS4350SA_R1_00001 0.1102
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ECAD 3872 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PBSS4350 1.25W SC-59 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PBSS4350SA_R1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 50V 3A 100纳安 NPN 370mV@300mA,3A 300@1A,2V 100兆赫兹
PSMQC094N10NS2_R2_00201 Panjit International Inc. PSMQC094N10NS2_R2_00201 1.6200
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ECAD 4252 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 PSMQC094 - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3,000
BC857AW_R1_00001 Panjit International Inc. BC857AW_R1_00001 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC857 250毫W SOT-323 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC857AW_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 110@2mA,5V 200兆赫
BC846BPN-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846BPN-AU_R1_000A1 0.3400
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BC846 225毫W SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846BPN-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) NPN、PNP互补 600mV @ 5mA、100mA / 650mV @ 5mA、100mA 200 @ 2mA, 5V / 220 @ 2mA, 5V 100兆赫兹
PJL9409_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9409_R2_00001 0.1494
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ECAD 4633 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9409 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9409_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 30V 6A(塔) 4.5V、10V 30毫欧@4A,10V 2.5V@250μA 7.8nC@4.5V ±20V 15V时为870pF - 1.7W(塔)
BC859C_R1_00001 Panjit International Inc. BC859C_R1_00001 0.0189
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ECAD 2781 0.00000000 强茂国际有限公司 BC856 卷带式 (TR) 的积极 -50°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC859 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 120,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 200兆赫
PJF60R540E_T0_00001 Panjit International Inc. PJF60R540E_T0_00001 0.7272
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ECAD 7762 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF60R540E MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJF60R540E_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 1.3A(Ta)、9A(Tc) 10V 535毫欧@2.8A,10V 4V@250μA 10V时为23.7nC ±20V 531pF@25V - 48W(温度)
BC857CS-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC857CS-AU_R1_000A1 0.2500
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ECAD 6678 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 BC857 225毫W SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC857CS-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 45V 100毫安 4μA(ICBO) 2 PNP(双) 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 200兆赫
PJL9407_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9407_R2_00001 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) PJL9407 MOSFET(金属O化物) 8-SOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJL9407_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 2,500人 P沟道 30V 5A(塔) 4.5V、10V 50mOhm@3A,10V 2.5V@250μA 4.8nC@4.5V ±20V 516pF@15V - 2.1W(塔)
BC846A-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC846A-AU_R1_000A1 0.1900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车、AEC-Q101、BC846-AU 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC846 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC846A-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 65V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 110@2mA,5V -
PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K_R1_00001 0.3000
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ECAD 8 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 PJT138 MOSFET(金属O化物) 236mW(塔) SOT-363 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 2 个 N 沟道(双) 50V 360mA(塔) 1.6欧姆@500mA,10V 1.5V@250μA 1nC@4.5V 50pF@25V -
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