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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
MMBT3906_R1_00001 Panjit International Inc. MMBT3906_R1_00001 0.1300
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ECAD 62 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 MMBT3906 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-MMBT3906_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0075 3,000 40V 200毫安 50纳安 国民党 400mV@5mA、50mA 100@10mA,1V 250兆赫
PJD6N10A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD6N10A_L2_00001 0.1611
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ECAD 1108 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD6N MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD6N10A_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 100V 1.7A(Ta)、6A(Tc) 4.5V、10V 310毫欧@3A,10V 2.5V@250μA 9.1nC@10V ±20V 508pF@30V - 2W(Ta)、25W(Tc)
PJQ2416_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2416_R1_00001 0.5100
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-WDFN 裸露焊盘 PJQ2416 MOSFET(金属O化物) DFN2020B-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ2416_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 11A(塔) 1.8V、4.5V 11毫欧@9.5A,4.5V 1V@250μA 16nC@4.5V ±10V 1177pF@10V - 2W(塔)
PJQ1917_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ1917_R1_00001 0.0822
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ECAD 1405 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 3-UFDFN PJQ1917 MOSFET(金属O化物) DFN1006-3 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ1917_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 10,000 P沟道 20V 700mA(塔) 1.2V、4.5V 600毫欧@300毫安,4.5伏 1V@250μA 1.1nC@4.5V ±8V 51pF@10V - 500毫W(塔)
PJD6NA40_L2_00001 Panjit International Inc. PJD6NA40_L2_00001 0.8900
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ECAD 1102 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD6N MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD6NA40_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 400V 6A(塔) 10V 950毫欧@3A,10V 4V@250μA 11.4nC@10V ±30V 553pF@25V - 77W(温度)
PJD40N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N15_L2_00001 0.6218
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ECAD 8890 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD40 MOSFET(金属O化物) TO-252 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD40N15_L2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 150伏 5A(Ta)、40A(Tc) 10V 35毫欧@20A,10V 4V@250μA 52nC@10V ±20V 75V时为2207pF - 2W(Ta)、131W(Tc)
PJA138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJA138L_R1_00001 0.4700
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA138 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA138L_R1_00001TR EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 250mA(塔) 1.8V、10V 4.2欧姆@250mA,10V 1.5V@250μA 0.7nC@4.5V ±20V 15pF@15V - 500毫W(塔)
PJMP210N65EC_T0_00601 Panjit International Inc. PJMP210N65EC_T0_00601 2.2700
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 PJMP210 MOSFET(金属O化物) TO-220AB-L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJMP210N65EC_T0_00601 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 700伏 19A(TC) 10V 210毫欧@9.5A,10V 4V@250μA 34nC@10V ±30V 1412 pF @ 400 V - 150W(温度)
2N7002KTB_R1_00001 Panjit International Inc. 2N7002KTB_R1_00001 0.3500
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ECAD 75 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-89、SOT-490 2N7002 MOSFET(金属O化物) SOT-523 读写 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 N沟道 60V 115mA(塔) 4.5V、10V 3欧姆@500mA,10V 2.5V@250μA 0.8nC@4.5V ±20V 35pF@25V - 200毫W(塔)
PJD7NA65_L2_00001 Panjit International Inc. PJD7NA65_L2_00001 -
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ECAD 6178 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD7N MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD7NA65_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 650伏 7A(塔) 10V 1.5欧姆@3.5A,10V 4V@250μA 16.8nC@10V ±30V 754pF@25V - 140W(温度)
PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808_R1_00001 0.4200
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ECAD 7 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-563、SOT-666 PJX8808 MOSFET(金属O化物) 300毫W(塔) SOT-563 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000 2 个 N 沟道(双) 20V 500mA(塔) 400毫欧@500毫安,4.5伏 900mV@250μA 1.4nC@4.5V 67pF@10V 逻辑电平门,1.2V驱动
PJF3NA80_T0_00001 Panjit International Inc. PJF3NA80_T0_00001 -
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ECAD 7834 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF3NA80 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB - 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJF3NA80_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 800V 3A(塔) 10V 4.8欧姆@1.5A,10V 4V@250μA 11nC@10V ±30V 406pF@25V - 39W(温度)
PJC138L_R1_00001 Panjit International Inc. PJC138L_R1_00001 0.4900
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PJC138L MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJC138L_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 200mA(塔) 1.8V、10V 4.2欧姆@200mA,10V 1.5V@250μA 0.7nC@4.5V ±20V 15pF@15V - 350毫W(塔)
PJQ4476AP-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJQ4476AP-AU_R2_000A1 1.0500
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ECAD 4 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4476 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 5,000 N沟道 100V 6.3A(Ta)、35A(Tc) 4.5V、10V 25毫欧@15A,10V 2.5V@250μA 31nC@10V ±20V 1519pF@30V - 2W(Ta)、62W(Tc)
PJQ5419_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5419_R2_00001 0.2139
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ECAD 2475 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5419 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5419_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 30V 8.5A(Ta)、30A(Tc) 4.5V、10V 20毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 11nC@4.5V ±20V 1169pF@15V - 2W(Ta)、27W(Tc)
BC850B-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC850B-AU_R1_000A1 0.0216
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ECAD 6618 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车、AEC-Q101、BC850-AU 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 BC850 330毫W SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 120,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 200@2mA,5V 100兆赫兹
PJD90N03_L2_00001 Panjit International Inc. PJD90N03_L2_00001 1.0500
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD90 MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJD90N03_L2_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 20A(Ta)、90A(Tc) 4.5V、10V 2.6毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 35nC@4.5V ±20V 4305pF@25V - 2W(Ta)、100W(Tc)
PJF10NA60_T0_00001 Panjit International Inc. PJF10NA60_T0_00001 -
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ECAD 9358 0.00000000 强茂国际有限公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全包 PJF10NA60 MOSFET(金属O化物) ITO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 3757-PJF10NA60_T0_00001 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 600伏 10A(塔) 10V 900毫欧@5A,10V 4V@250μA 23nC@10V ±30V 1192pF@25V - 50W(温度)
PJD15P06A_L2_00001 Panjit International Inc. PJD15P06A_L2_00001 0.6400
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ECAD 30 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 PJD15 MOSFET(金属O化物) TO-252 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 60V 4A(Ta)、15A(Tc) 4.5V、10V 68毫欧@7.5A,10V 2.5V@250μA 17nC@10V ±20V 879pF@30V - 2W(Ta)、25W(Tc)
PJC7403_R1_00001 Panjit International Inc. PJC7403_R1_00001 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 PJC7403 MOSFET(金属O化物) SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJC7403_R1_00001DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 P沟道 20V 700mA(塔) 1.8V、4.5V 325mOhm@700mA,4.5V 1V@250μA 2.2nC@4.5V ±8V 165pF@10V - 350毫W(塔)
PJS6401_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6401_S1_00001 0.1185
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ECAD 2716 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6401 MOSFET(金属O化物) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJS6401_S1_00001TR EAR99 8541.29.0095 3,000 P沟道 30V 4.6A(塔) 2.5V、10V 71毫欧@4.6A,10V 1.3V@250μA 15.5nC@10V ±12V 637pF@15V - 2W(塔)
PJQ5548-AU_R2_002A1 Panjit International Inc. PJQ5548-AU_R2_002A1 0.8700
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ECAD 3 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5548 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 40V 14.5A(Ta)、48A(Tc) 4.5V、10V 8.8毫欧@20A,10V 2.3V@50μA 13nC@10V ±20V 778pF@25V - 3.3W(Ta)、36W(Tc)
BC858AW_R1_00001 Panjit International Inc. BC858AW_R1_00001 0.0210
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ECAD 4229 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC858 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 120,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 110@2mA,5V 200兆赫
PJQ5440_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ5440_R2_00001 1.2500
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ5440 MOSFET(金属O化物) DFN5060-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ5440_R2_00001CT EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 40V 17A(Ta)、100A(Tc) 4.5V、10V 2.8毫欧@20A,10V 2.5V@250μA 50nC@4.5V ±20V 5214pF@25V - 2W(Ta)、70W(Tc)
BC859CW_R1_00001 Panjit International Inc. BC859CW_R1_00001 0.0210
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ECAD 2327 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC859 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 120,000 30V 100毫安 15nA(ICBO) 国民党 650mV@5mA、100mA 420@2mA,5V 200兆赫
PJQ4413P_R2_00001 Panjit International Inc. PJQ4413P_R2_00001 0.1289
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ECAD 第2452章 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 不适合新设计 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 8-PowerVDFN PJQ4413 MOSFET(金属O化物) DFN3333-8 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJQ4413P_R2_00001TR EAR99 8541.29.0095 5,000 P沟道 30V 5A(塔) 4.5V、10V 50mOhm@3A,10V 2.5V@250μA 4.8nC@4.5V ±20V 516pF@15V - 2W(塔)
PJA3412_R1_00001 Panjit International Inc. PJA3412_R1_00001 0.4900
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ECAD 11 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PJA3412 MOSFET(金属O化物) SOT-23 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-PJA3412_R1_00001DKR EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 4.1A(塔) 1.8V、4.5V 56mOhm@4.1A,4.5V 1.2V@250μA 4.5V时为4.6nC ±12V 350pF@10V - 1.25W(塔)
PJQ2815_R1_00001 Panjit International Inc. PJQ2815_R1_00001 0.6700
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ECAD 7 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-VDFN 裸露焊盘 PJQ2815 MOSFET(金属O化物) 1.5W(塔) DFN2020-6L 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 2 个 P 沟道(双) 20V 4.2A(塔) 52毫欧@4.2A,4.5V 900mV@250μA 24nC@4.5V 907pF@10V -
BC850CW-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BC850CW-AU_R1_000A1 0.2100
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ECAD 6 0.00000000 强茂国际有限公司 汽车,AEC-Q101 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 BC850 250毫W SOT-323 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 3757-BC850CW-AU_R1_000A1DKR EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 15nA(ICBO) NPN 600毫伏@5毫安、100毫安 420@2mA,5V -
PJS6412_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6412_S1_00001 0.5000
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ECAD 2 0.00000000 强茂国际有限公司 - 卷带式 (TR) 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 SOT-23-6 PJS6412 MOSFET(金属O化物) SOT-23-6 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 30V 8A(塔) 4.5V、10V 23毫欧@8A,10V 2.5V@250μA 4.3nC@4.5V ±20V 392pF@25V - 2W(塔)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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