晶体管(860)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
PJF7NA60_T0_00001	-	询价	9238	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF7NA60	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJF7NA60_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	7A（塔）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	15.2nC@10V	±30V	723pF@25V	-	45W（温度）
2N7002K-AU_R1_000A2	0.2200	询价	28	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	2N7002	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道	60V	300mA（塔）	4.5V、10V	3欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA	0.8nC@5V	±20V	35pF@25V	-	500毫W（塔）
PJA3440_R1_00001	0.4000	询价	26	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3440	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	4.3A（塔）	4.5V、10V	42毫欧@4.3A，10V	2.5V@250μA	4.8nC@4.5V	±20V	410pF@20V	-	1.25W（塔）
PJQ4401P-AU_R2_000A1	0.7400	询价	4	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ4401	MOSFET（金属O化物）		DFN3333-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4401P-AU_R2_000A1TR	EAR99	8541.29.0095	5,000		P沟道	30V	10A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	8.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	27nC@4.5V	±20V	15V时为3228pF	-	2W（Ta）、60W（Tc）
PJE8439_R1_00001	0.4100	询价	3	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-523	PJE8439	MOSFET（金属O化物）		SOT-523	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJE8439_R1_00001CT	EAR99	8541.21.0095	4,000		P沟道	60V	200mA（塔）	2.5V、10V	4欧姆@500mA，10V	2.5V@250μA	1.1nC@4.5V	±20V	51pF@25V	-	300毫W（塔）
PSMP032N08NS1_T0_00601	2.4200	询价	1	强茂国际有限公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PSMP032N08	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB-L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PSMP032N08NS1_T0_00601	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	80V	166A（温度）	7V、10V	3.4毫欧@50A，10V	3.75V@250μA	76nC@7V	±20V	7430pF@40V	-	156W（温度）
PJA3432_R1_00001	0.3500	询价	32	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	PJA3432	MOSFET（金属O化物）		SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJA3432_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	1.6A（塔）	1.8V、4.5V	200毫欧@1.6A，4.5V	1.3V@250μA	1.5nC@4.5V	±8V	93pF@15V	-	1.25W（塔）
PJD18N20_L2_00001	0.9600	询价	1	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD18N20	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD18N20_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	200V	18A（温度）	10V	160mOhm@9A，10V	3V@250μA	24nC@10V	±20V	1017pF@25V	-	83W（温度）
PJX8805_R1_00001	0.1185	询价	8661	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-563、SOT-666	PJX8805	MOSFET（金属O化物）	300毫W（塔）	SOT-563	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJX8805_R1_00001TR	EAR99	8541.21.0095	4,000	2 个 P 沟道（双）		30V	500mA（塔）		390毫欧@500毫安，4.5伏	1.3V@250μA	1.6nC@4.5V		137pF@15V	-
BC847BPN-AU_R1_000A1	0.3200	询价	5	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	BC847		200毫W	SOT-363	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-BC847BPN-AU_R1_000A1DKR	EAR99	8541.21.0075	3,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN、PNP互补	400mV @ 5mA、100mA / 650mV @ 5mA、100mA	200@2mA，5V	100兆赫兹
BC849BW_R1_00001	0.0189	询价	2762	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC849		250毫W	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	120,000													30V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	200@2mA，5V	100兆赫兹
PJMP130N65EC_T0_00001	6.8300	询价	2	强茂国际有限公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	PJMP130	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB-L	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJMP130N65EC_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	2,000		N沟道	650伏	29A（温度）	10V	130毫欧@10.8A，10V	4V@250μA	51nC@10V	±30V	1920 pF @ 400 V	-	235W（温度）
BC817-40-AU_R1_000A1	0.1900	询价	5	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-236-3、SC-59、SOT-23-3	BC817		330毫W	SOT-23	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000													45V	500毫安	100nA（ICBO）	NPN	700毫伏@50毫安，500毫安	250@100mA，1V	100兆赫兹
PJQ4444P-AU_R2_000A1	0.8900	询价	1	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ4444	MOSFET（金属O化物）		DFN3333-8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ4444P-AU_R2_000A1DKR	EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道	40V	14A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	5.5毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	25nC@4.5V	±20V	1258pF@25V	-	2.4W（Ta）、60W（Tc）
PJZ9NA90_T0_10001	-	询价	6592	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	PJZ9NA90	MOSFET（金属O化物）		TO-3PL	-				3757-PJZ9NA90_T0_10001	过时的		1		N沟道	900伏	9A（塔）	10V	1.4欧姆@4.5A，10V	4V@250μA	31nC@10V	±30V	1634pF@25V	-	240W（温度）
PJS6461_S1_00001	0.4600	询价	48	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6461	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6461_S1_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	60V	3.2A（塔）	4.5V、10V	110毫欧@3.2A，10V	2.5V@250μA	10nC@10V	±20V	785pF@30V	-	2W（塔）
PJMF280N60E1_T0_00001	2.3900	询价	1	强茂国际有限公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	PJMF280	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB-F	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	3757-PJMF280N60E1_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	600伏	13.8A（温度）	10V	280毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	27nC@10V	±30V	926 pF @ 400 V	-	34W（温度）
PJD45P03_L2_00001	0.2402	询价	1797年	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD45	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD45P03_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	10A（Ta）、45A（Tc）	4.5V、10V	15.5毫欧@10A、10V	2.5V@250μA	14nC@4.5V	±20V	1556pF@15V	-	2W（Ta）、40W（Tc）
PJD8NA50_L2_00001	-	询价	6138	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD8N	MOSFET（金属O化物）		TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD8NA50_L2_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	500V	8A（塔）	10V	900毫欧@4A，10V	4V@250μA	16.2nC@10V	±30V	826pF@25V	-	130W（温度）
PJL9812_R2_00201	0.6300	询价	4	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	PJL9812	MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人	2 个 N 沟道（双）		30V	6A（塔）		35mOhm@6A，10V	1.3V@250μA	5.1nC@4.5V		421pF@15V	-
BC850CW_R1_00001	0.0189	询价	1164	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323	BC850		250毫W	SOT-323	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	120,000													45V	100毫安	15nA（ICBO）	NPN	600毫伏@5毫安、100毫安	420@2mA，5V	100兆赫兹
PJS6834_S2_00001	0.1178	询价	5115	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	PJS6834	MOSFET（金属O化物）	500毫W（塔）	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJS6834_S2_00001TR	EAR99	8541.21.0095	10,000	2 个 N 沟道（双）		20V	750mA（塔）		400毫欧@600毫安，4.5伏	900mV@250μA	1.4nC@4.5V		67pF@10V	-
PBHV9110DH_R1_00001	0.3800	询价	621	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-243AA	PBHV9110		1.4W	SOT-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PBHV9110DH_R1_00001DKR	EAR99	8541.29.0095	1,000													100V	1A	500nA（ICBO）	国民党	600mV@100mA，1A	140@150mA，2V	100兆赫兹
PJQ5948-AU_R2_002A1	1.1900	询价	2	强茂国际有限公司	汽车，AEC-Q101	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerTDFN	PJQ5948	MOSFET（金属O化物）	2.5W（Ta）、30W（Tc）	DFN5060B-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 N 沟道		40V	10.6A（Ta）、37A（Tc）		12.3毫欧@10A、10V	2.3V@50μA	13nC@10V		778pF @ 25V	逻辑电平门
PJD1NA60A_R2_00001	-	询价	8578	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD1NA60	MOSFET（金属O化物）		TO-252	-	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	-	10V	7.9欧姆@500mA，10V	4V@250μA	3.1nC@10V	±30V	148pF@25V	-	-
PJQ5448_R2_00001	-	询价	6875	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	PJQ5448	MOSFET（金属O化物）		DFN5060-8	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJQ5448_R2_00001CT	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	9.6A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	11毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	10nC@4.5V	±20V	1040pF@20V	-	2W（Ta）、54W（Tc）
PJF7NA80_T0_00001	-	询价	8035	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	PJF7NA80	MOSFET（金属O化物）		ITO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJF7NA80_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	800V	7A（塔）	10V	1.55欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	23nC@10V	±30V	1082pF@25V	-	50W（温度）
PJD60R620E_L2_00001	0.6218	询价	6590	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	PJD60	MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	3757-PJD60R620E_L2_00001TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	600伏	1.2A（Ta）、7A（Tc）	10V	620毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	21nC@10V	±20V	457pF@25V	-	2W（Ta）、78W（Tc）
PJP13NA50_T0_00001	-	询价	9171	强茂国际有限公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	PJP13	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）		3757-PJP13NA50_T0_00001	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	500V	13A（塔）	10V	520毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	28nC@10V	±30V	1435pF@25V	-	190W（温度）
IMZ2A_R1_00001	0.0378	询价	5950	强茂国际有限公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SOT-23-6	IMZ2		300毫W	SOT-23-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	120,000													50V	150毫安	100nA（ICBO）	NPN、PNP	400mV @ 5mA、50mA / 500mV @ 5mA、50mA	120@1mA，6V	180兆赫、140兆赫

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(860)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²