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产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	技术	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）
IV1Q12050T4	38.5000	RFQ	4491	发明	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4084-IV1Q12050T4	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	58A（TC）	20V	65mohm @ 20a，20v	3.2V @ 6mA	120 NC @ 20 V	+20V，-5V	2750 PF @ 800 V	-	344W（TC）
IV1Q12050T3	37.4900	RFQ	3	发明	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	sicfet （碳化硅）	TO-247-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4084-IV1Q12050T3	Ear99	8541.29.0095	30	n通道	1200 v	58A（TC）	20V	65mohm @ 20a，20v	3.2V @ 6mA	120 NC @ 20 V	+20V，-5V	2770 PF @ 800 V	-	327W（TC）
IV1Q12160T4	18.7400	RFQ	106	发明	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	sicfet （碳化硅）	TO-247-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	4084-IV1Q12160T4	Ear99		30	n通道	1200 v	20A（TC）	20V	195mohm @ 10a，20v	2.9V @ 1.9mA	43 NC @ 20 V	+20V，-5V	885 PF @ 800 V	-	138W（TC）

2000+