SIC
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晶体管（35）

参考图片 产品编号 定价（美元） 数量 ECAD 可用数量 重量（kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 - 额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 供应商设备包 数据表 水分灵敏度水平（MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 FET类型 当前评分（AMP） 功率 - 输出 获得 排出源电压（VDSS） 电流 - 连续排水（ID） @ 25°C 驱动电压（最大RDS，最小RDS打开） rds on（max） @ id，vgs VGS（th）（Max） @ ID 门充电（QG）（Max） @ VGS VGS（最大） 输入电容（CISS）（最大） @ vds FET功能 功率耗散（最大） 噪音图 电压 - 测试
IXFK44N50F IXYS-RF IXFK44N50F -
RFQ
 ECAD 6527 0.00000000 ixys-rf Hiperrf™ 管子 过时的 -55°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK44 MOSFET（金属O化物） TO-264AA 下载 1（无限） Ear99 8541.29.0095 25 N通道 500 v 44a（TC） 10V 120mohm @ 22a，10v 5.5V @ 4mA 156 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXZ316N60 IXYS-RF IXZ316N60 -
RFQ
 ECAD 2656 0.00000000 ixys-rf Z-MOS™ 管子 过时的 600 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 65MHz MOSFET DE375 下载 1（无限） Ear99 8541.29.0095 25 N通道 18a 880W 23dB - 100 v
275-101N30A-00 IXYS-RF 275-101N30A-00 -
RFQ
 ECAD 8946 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 100 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 275-101 - MOSFET DE275 下载 1（无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 30 N通道 30a 550W - -
475-102N20A-00 IXYS-RF 475-102N20A-00 -
RFQ
 ECAD 2181 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 1000 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 475-102n - MOSFET DE475 下载 1（无限） 到达受影响 DE475-102N20A-00 Ear99 8541.29.0095 20 N通道 20a 1800W - -
275-201N25A-00 IXYS-RF 275-201N25A-00 -
RFQ
 ECAD 6984 0.00000000 ixys-rf de 管子 过时的 200 v 6-SMD，平坦的铅裸垫 275-201 - MOSFET DE275 下载 1（无限） 到达受影响 DE275-201N25A-00 Ear99 8541.29.0095 30 N通道 25a 590W - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Daily average RFQ Volume

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Standard Product Unit

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Worldwide Manufacturers

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    In-stock Warehouse

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Exposed Pad

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