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晶体管（（470）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
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DI105N04PQ-AQ	0.7569	RFQ	8794	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-qfn（5x6）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-DI105N04PQ-AQTR		8541.29.0000	5,000	n通道	40 V	105A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 50a，10v	2.4V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	3033 PF @ 25 V	-	83W（TC）
DI7A6N10平方	-	RFQ	5916	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI7A6N10SQTR		8541.29.0000	1	n通道	100 v	7.6a（ta）	6V，10V	20mohm @ 7.5a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 25 V	-	2.5W（TA）
DI110N15PQ	3.0450	RFQ	1688年	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-qfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI110N15PQTR		8541.21.0000	5,000	n通道	150 v	110A（TC）	10V	12mohm @ 60a，10v	5V @ 250µA	77 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 75 V	-	56W（TC）
2N7002	0.0287	RFQ	4212	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	2N7002	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-2N7002TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道	60 V	280mA（TA）	5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±30V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
MMFT3334K-AQ	0.1729	RFQ	6624	diotec半导体	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-MMFT3334K-AQTR		8541.21.0000	3,000	P通道	30 V	4A（TJ）	4V，10V	71MOHM @ 3A，10V	2V @ 100µA	5.9 NC @ 10 V	±20V	280 pf @ 15 V	-	1W（ta）
mmbtrc119ss	0.0298	RFQ	1430	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBTRC119		200兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMBTRC119SSTR		8541.21.0000	3,000												50 V	100 ma	500NA	npn-预先偏见	-	30 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	10 kohms
BC859B-AQ	0.0236	RFQ	8766	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BC859B-AQTR		8541.21.0000	3,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
mmftp3401-aq	0.1702	RFQ	5420	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-MMFT3401-AQTR		8541.21.0000	3,000	P通道	30 V	4A（ta）	2.5V，10V	65MOHM @ 4A，10V	1.3V @ 250µA		±12V	954 pf @ 0 V	-	1.4W（TA）
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DI020N06D1	0.3173	RFQ	3262	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3，DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-DI020N06D1TR		8541.21.0000	2,500	n通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	25.3 NC @ 10 V	±20V	590 pf @ 15 V	-	45W（TC）
BCP51-10	-	RFQ	7985	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			1.3 w	SOT-223	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-BCP51-10TR		8541.29.0000	1												45 v	1 a	100NA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	120MHz
BC857B-AQ	0.0236	RFQ	7305	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC857		250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BC857B-AQTR		8541.21.0000	3,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	PNP	650mv @ 5mA，100mA	220 @ 2mA，5V	100MHz
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BC328-40	0.0328	RFQ	9038	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用		2796-BC328-40TR		8541.21.0000	4,000												25 v	800 MA	100NA	PNP	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
MMBTA06-AQ	0.0512	RFQ	6489	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	2796-MMBTA06-AQTR		8541.21.0000	3,000												80 V	500 MA	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
mmftp84	0.0431	RFQ	2	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-MMFTP84TR		8541.21.0000	3,000	P通道	60 V	130mA（ta）	10V	10ohm @ 130mA，10v	2V @ 1mA		±20V	45 pf @ 25 V	-	250MW（TA）
2n7002a-aq	-	RFQ	7100	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3（TO-236）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-2N7002A-AQTR		8541.21.0000	1	n通道	60 V	280mA（TA）	5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±30V	50 pf @ 25 V	-	350MW（TA）
BC557B	0.0241	RFQ	444	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-BC557BTR		8541.21.0000	4,000												45 v	100 ma	15NA	PNP	650mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	150MHz
BC849A	0.0182	RFQ	8698	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		2796-BC849ATR		8541.21.0000	3,000												30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
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DI014N25D1-AQ	-	RFQ	2711	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA（DPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	2796-DI014N25D1-AQTR		8541.29.0000	1	n通道	250 v	15A（TC）	10V	280mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA		±20V		-	62.5W（TC）
DI035P02PT	0.5339	RFQ	8019	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-qfn （3x3）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	2796-DI035P02PTTR		8541.29.0000	5,000	P通道	20 v	35A（TC）	2.5V，10V	3.9mohm @ 20a，10v	1.2V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±12V	6850 pf @ 10 V	-	52W（TC）
BC548B	0.0241	RFQ	4677	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	到92	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	2796-BC548BTR		8541.21.0000	4,000												30 V	100 ma	15NA	NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
BC847C	0.0182	RFQ	1809年	diotec半导体	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			250兆	SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0000	3,000												45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（470）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²