晶体管(306)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	集电极脉冲电流(Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
2SA1568	-	询价	3777	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				35W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1568DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																60V	12A						100μA（ICBO）	国民党	350mV@300mA，6A	50@6A，1V	40兆赫
2SA1907	-	询价	5212	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				60W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SA1907 DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																80V	6A						10μA（ICBO）	国民党	500mV@200mA，12A	50@2A，4V	20兆赫兹
EKI10198	-	询价	6809	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI10198 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		100V	47A（温度）	4.5V、10V	17.8毫欧@23.4A，10V	2.5V@1mA	55.8nC@10V	±20V	3990pF@25V	-	116W（温度）
2SB1588	-	询价	7770	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包				80W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SB1588DK	EAR99	8541.29.0075	1,000																150伏	10A						100μA（ICBO）	PNP-达林顿	2.5V@7mA，7A	5000 @ 7A，4V	50兆赫
SLA6012	-	询价	8026	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA60			5W、25W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA6012 DK	EAR99	8541.29.0095	250																60V	4A						10μA（ICBO）	3 NPN、3 PNP 达林顿（筏桥）	1.5V@6mA，3A	2000 @ 3A、4V	-
STA404A	7.1000	询价	1	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA404			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA404A DK	EAR99	8541.29.0095	800																200V	3A						100μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	2V@1.5mA，1A	1000 @ 1A，4V	-
STA509A	-	询价	3583	三肯	-	大部分	过时的	150℃	通孔	10-SIP	STA509		MOSFET（金属O化物）	4W（Ta）、20W（Tc）	10-SIP	下载	符合RoHS标准		1261-STA509A	EAR99	8541.29.0095	第440章	4 N 沟道			57V	3A（塔）		250mOhm@1A，10V	2.5V@250μA	-		200pF@10V	标准
DKI10526	-	询价	第1481章	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		100V	19A（塔）	4.5V、10V	47.7毫欧@9.3A，10V	2.5V@350μA	23nC@10V	±20V	1530pF@25V	-	37W（温度）
FGF65A3L	-	询价	9544	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FGF65	标准		72W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准		1261-FGF65A3L	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V，30A，10欧姆，15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	50A	90A	1.96V@15V，30A	600μJ（开），600μJ（关）	60℃	30纳秒/90纳秒
DKG1020	1.1958	询价	5070	三肯	-	卷带式 (TR)	的积极	150℃	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	DKG10		MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准		1261-DKG1020TR	EAR99	8541.29.0095	2,800		N沟道		100V	20A（塔）	4.5V、10V	4.7毫欧@42A，10V	2.5V@1mA	47nC@10V	±20V	2200pF@10V	-	40W（温度）
DKI06108	-	询价	2128	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	47A（温度）	4.5V、10V	9.1毫欧@23.6A，10V	2.5V@650μA	10V时为38.6nC	±20V	25V时为2520pF	-	47W（温度）
FGF65A4H	-	询价	9345	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FGF65	标准		72W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准		1261-FGF65A4H	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V、40A、10欧姆、15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	65A	120A	2.37V@15V，40A	700μJ（开），600μJ（关）	75℃	40纳秒/100纳秒
MGF65A6L	-	询价	2296	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3	MGF65	标准		405W	TO-3P-3L	下载	符合RoHS标准		1261-MGF65A6L	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V，60A，10欧姆，15V											65纳秒	沟渠场站	650伏	80A	180A	1.96V@15V，60A	1.7mJ（开）、1.4mJ（关）	110 纳克	50纳秒/130纳秒
FGF65A4L	-	询价	7190	三肯	-	大部分	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-3P-3全包	FGF65	标准		72W	TO-3PF	下载	符合RoHS标准		1261-FGF65A4L	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V、40A、10欧姆、15V											60纳秒	沟渠场站	650伏	65A	120A	1.96V@15V，40A	900μJ（开），900μJ（关）	75℃	40纳秒/100纳秒
2SK3004	-	询价	2822	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SK3004DK	EAR99	8541.29.0095	3,750		N沟道		250伏	18A（塔）	10V	250mOhm@9A，10V	4V@1mA		±20V	850pF@10V	-	35W（温度）
KGF65A6H	-	询价	9018	三肯	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3	KGF65	标准		405W	TO-247-3	下载	符合RoHS标准		1261-KGF65A6H	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V，60A，10欧姆，15V											50纳秒	沟渠场站	650伏	80A	100A	2.37V@15V，60A	1.4mJ（开），1.3mJ（关）	110 纳克	50纳秒/130纳秒
GKI06071	-	询价	8165	三肯	-	卷带式 (TR)	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerTDFN			MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		60V	11A（塔）	4.5V、10V	6毫欧@34A，10V	2.5V@1mA	53.6nC@10V	±20V	3810pF@25V	-	3.1W（Ta）、77W（Tc）
STA461C	3.6421	询价	3885	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA461			3.2W	10-SIP	下载	符合RoHS标准		1261-STA461C	EAR99	8541.29.0095	3,300																70V	6A						10μA（ICBO）	2 NPN	150mV@15mA，1.5A	400@1A，1V	-
STA413A	-	询价	1614	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	10-SIP	STA413			4W	10-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	STA413A DK	EAR99	8541.29.0095	800																35V	3A						10μA（ICBO）	4 NPN（四路）	500mV@5mA，1A	500@500mA，4V	-
FKI07174	-	询价	4513	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包			MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	FKI07174 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	31A（温度）	4.5V、10V	13.6毫欧@22.8A，10V	2.5V@650μA	10V时为36.2nC	±20V	25V时为2520pF	-	38W（温度）
SLA4030	-	询价	9329	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	12-SIP裸露标签	SLA40			5W	12-SIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA4030 DK	EAR99	8541.29.0095	250																100V	4A						10μA（ICBO）	4 NPN 达林顿（四通道）	1.5V@10mA，2A	2000 @ 2A，4V	-
SLA5074	-	询价	2505	三肯	-	管子	的积极	150°C（太焦）	通孔	15-SIP裸露接片，成型结构	SLA50		MOSFET（金属O化物）	4.8W	15-ZIP	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	SLA5074 DK	EAR99	8541.29.0095	180	4个N沟道（半桥）			60V	5A		300mOhm@3A、4V	2V@250μA	-		320pF@10V	逻辑电平门
埃基06075	-	询价	7084	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI06075 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	78A（温度）	4.5V、10V	6.3毫欧@39A，10V	2.5V@1mA	53.6nC@10V	±20V	3810pF@25V	-	116W（温度）
2SC2922	-	询价	9551	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-ESIP				200W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC2922DK	EAR99	8541.29.0075	250																180伏	17A						100μA（ICBO）	NPN	2V@800mA，8A	30 @ 8V、4V	50兆赫
KGF65A4L	-	询价	4467	三肯	-	管子	的积极	175°C（太焦）	通孔	TO-247-3	KGF65	标准		288 W	TO-247-3	下载	符合RoHS标准		1261-KGF65A4L	EAR99	8541.29.0095	1,440			400V、40A、10欧姆、15V											60纳秒	沟渠场站	650伏	65A	120A	1.96V@15V，40A	900μJ（开），900μJ（关）	75℃	40纳秒/100纳秒
2SC3857	-	询价	1973年	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	3-ESIP				150W	MT-200	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC3857DK	EAR99	8541.29.0095	250																200V	15A						100μA（ICBO）	NPN	3V@1A、10A	50@5A，4V	20兆赫兹
埃基07076	-	询价	1937年	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI07076 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	85A（温度）	4.5V、10V	6.6毫欧@44A，10V	2.5V@1.5mA	91nC@10V	±20V	6340pF@25V	-	135W（温度）
2SC3852	-	询价	4403	三肯	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				25W	TO-220F	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC3852DK	EAR99	8541.29.0095	1,000																60V	3A						10μA（ICBO）	NPN	500mV@50mA，2A	500@500mA，4V	15兆赫
2SC4138	-	询价	9351	三肯	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3				80W	TO-3P	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	2SC4138DK	EAR99	8541.29.0095	500																400伏	10A						100μA（ICBO）	NPN	500mV@1.2A、6A	10 @ 6A，4V	10兆赫兹
EKI07174	-	询价	3893	三肯	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	EKI07174 DK	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		75V	46A（温度）	4.5V、10V	13.6毫欧@22.8A，10V	2.5V@650μA	10V时为36.2nC	±20V	25V时为2520pF	-	90W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(306)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²