晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	反向恢复T (trr)	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C
AON7401_101	-	询价	3379	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	怡安740		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	12A（Ta）、35A（Tc）	6V、10V	14毫欧@9A，10V	3V@250μA	39nC@10V	±25V	2600pF@15V	-	3.1W（Ta）、29W（Tc）
AOC3868	0.3076	询价	第1322章	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-XDFN	AOC386		MOSFET（金属O化物）	2.5W	6-DFN (2.7x1.8)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000	2 N 沟道（双）共漏极			-	-		-	1.1V@250μA	50nC@4.5V		-	-
AOT5N100	1.2302	询价	6785	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT5		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		1000伏	4A（温度）	10V	4.2欧姆@2.5A，10V	4.5V@250μA	23nC@10V	±30V	1150pF@25V	-	195W（温度）
AO4435_103	-	询价	3092	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	10.5A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3V@250μA	24nC@10V	±25V	1400pF@15V	-	3.1W（塔）
AOTF10N60L	-	询价	2902	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫10		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	10A（温度）		750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V		1600pF@25V	-
AO4448L	-	询价	2654	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		80V	10A（塔）	7V、10V	16毫欧@10A，10V	4.2V@250μA	34nC@10V	±25V	2005pF@40V	-	3.1W（塔）
AO7801	-	询价	2466	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AO780		MOSFET（金属O化物）	300毫W	SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000	2 个 P 沟道（双）			20V	-		520毫欧@600mA，4.5V	900mV@250μA	1.8nC@4.5V		140pF@10V	逻辑电平门
AON2392	0.3015	询价	5352	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWFDFN	AON23		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (2x2)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	8A（塔）	4.5V、10V	32mOhm@8A，10V	2.4V@250μA	25nC@10V	±20V	840pF@50V	-	4.1W（塔）
AOT5N50	1.0000	询价	607	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT5		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1173-5	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		500V	5A（温度）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4.5V@250μA	19nC@10V	±30V	620pF@25V	-	104W（温度）
怡安2707	-	询价	6097	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-WDFN 裸露焊盘	AON27		MOSFET（金属O化物）		6-DFN (2x2)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	4A（塔）	2.5V、10V	117毫欧@4A，10V	1.5V@250μA	12nC@10V	±12V	15V时为305pF	肖特基分散（隔离）	2.8W（塔）
AO4450	0.1020	询价	9249	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	7A（塔）	4.5V、10V	30mOhm@7A，10V	3V@250μA	13nC@10V	±20V	516pF@20V	-	3.1W（塔）
AO4411L	-	询价	1655	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		30V	8A（塔）	4.5V、10V	32mOhm@8A，10V	2.4V@250μA	16nC@10V	±20V	760pF@15V	-	3.1W（塔）
AON6884L_002	-	询价	7479	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安688		MOSFET（金属O化物）	21W	8-DFN (5x6)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）			40V	34A（温度）		11.3毫欧@10A、10V	2.7V@250μA	16nC@4.5V		1950pF@20V	-
怡安7200	-	询价	6683	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	15.8A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	3.1W（Ta）、62W（Tc）
怡安7242	-	询价	9359	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		40V	30A（Ta）、50A（Tc）	4.5V、10V	3.9毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	32nC@10V	±20V	2365pF@20V	-	6.2W（Ta）、83W（Tc）
AOD5B65N1	0.4035	询价	5739	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法 IGBT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD5	标准		52W	TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人			400V，5A，60欧姆，15V											170纳秒	-	650伏	10A	15A	2.5V@15V，5A	81μJ（开），49μJ（关）	9.2nC	8纳秒/73纳秒
AO7405	0.1542	询价	9767	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	6-TSSOP、SC-88、SOT-363	AO740		MOSFET（金属O化物）		SC-70-6	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道		30V	1.4A（塔）	2.5V、10V	150mOhm@1.6A，10V	1.4V@250μA	5.06nC@4.5V	±12V	409pF@15V	-	350毫W（塔）
AOT66616L	1.4966	询价	9787	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT66616		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行	785-1825	EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		60V	38.5A（Ta）、140A（Tc）	6V、10V	3.2毫欧@20A，10V	3.4V@250μA	60nC@10V	±20V	2870pF@30V	-	8.3W（Ta）、125W（Tc）
AOTF20N60	1.4818	询价	3310	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫20		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		600伏	20A（温度）	10V	370毫欧@10A，10V	4.5V@250μA	74nC@10V	±30V	3680pF@25V	-	50W（温度）
AOT9N40	-	询价	5019	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT9		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道		400V	8A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	4.5V@250μA	16nC@10V	±30V	760pF@25V	-	132W（温度）
冠安6452	0.6350	询价	8431	阿尔法与欧米茄半导体公司	SDMOS™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安645		MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		100伏	6.5A（Ta）、26A（Tc）	7V、10V	25毫欧@20A，10V	4V@250μA	34nC@10V	±25V	2200pF@50V	-	2W（Ta）、35W（Tc）
怡安7548	-	询价	6846	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	安安75		MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	5,000		N沟道		30V	24A（温度）	4.5V、10V	8.8毫欧@20A，10V	2.5V@250μA	22nC@10V	±20V	1086pF@15V	-	3.1W（Ta）、23W（Tc）
AOD3T40P	0.6300	询价	1	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.3欧姆@1A，10V	5V@250μA	6nC@10V	±30V	139pF@100V	-	35W（温度）
AOTF6N90	0.7844	询价	9382	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	AOTF6		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		900伏	6A（温度）	10V	2.2欧姆@3A，10V	4.5V@250μA	35nC@10V	±30V	1450pF@25V	-	50W（温度）
AOT15S65L	2.8200	询价	230	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS™	管子	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	AOT15		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道		650伏	15A（温度）	10V	290毫欧@7.5A，10V	4V@250μA	17.2nC@10V	±30V	100V时为841pF	-	208W（温度）
AO4806L	-	询价	3926	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO480		MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）			20V	-		14毫欧@9.4A，10V	1V@250μA	17.9nC@4.5V		1810pF@10V	逻辑电平门
AO4433	-	询价	3943	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	11A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3.5V@250μA	38nC@10V	±25V	2200pF@15V	-	3W（塔）
AOSP32320C	0.5400	询价	19	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AOSP323		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道		30V	8.5A（塔）	4.5V、10V	22毫欧@8.5A，10V	2.3V@250μA	20nC@10V	±20V	650pF@15V	-	2.5W（塔）
AO4435L	-	询价	8661	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44		MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道		30V	10.5A（塔）	5V、20V	14毫欧@11A，20V	3V@250μA	24nC@10V	±25V	1400pF@15V	-	3.1W（塔）
AOD280A60	2.0100	询价	4	阿尔法与欧米茄半导体公司	aMOS5™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD280		MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		600伏	14A（温度）	10V	280毫欧@7A，10V	3V@250μA	10V时为23.5nC	±20V	1350 pF @ 100 V	-	138W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²