晶体管(2247)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）
AO4354	0.7600	询价	167	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO43	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	23A（塔）	4.5V、10V	3.7毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	49nC@10V	±20V	2010pF@15V	-	3.1W（塔）
AOI4TL60	-	询价	7336	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的				兴趣区4				-		1（无限制）	REACH 不出行		过时的	0000.00.0000	70				-
AO9926BL_101	-	询价	6790	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO9926	MOSFET（金属O化物）	2W	8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000	2 个 N 沟道（双）		20V	7.6A		23毫欧@7.6A，10V	1.1V@250μA	12.5nC@10V		630pF@15V	-
AOI518_001	-	询价	9563	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	-	-	AOI51	MOSFET（金属O化物）		-	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	18A（Ta）、46A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	2.5W（Ta）、50W（Tc）
AOSS62934	0.4500	询价	第596章	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AOSS629	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	2A（塔）	4.5V、10V	140毫欧@2A，10V	2.7V@250μA	3.8nC@10V	±20V	250pF@50V	-	1.4W（塔）
AOD3N40	0.2725	询价	7779	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-50°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD3	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	400V	2.6A（温度）	10V	3.1欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	5.1nC@10V	±30V	225pF@25V	-	50W（温度）
怡安7200L	-	询价	4411	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerVDFN	爱安72	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3x3)	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	15.8A（Ta）、40A（Tc）	4.5V、10V	8毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	20nC@10V	±20V	1300pF@15V	-	3.1W（Ta）、62W（Tc）
怡安6782	-	询价	6395	阿尔法与欧米茄半导体公司	SRFET™	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	爱安67	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	24A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	2.4毫欧@20A，10V	2V@250μA	51nC@10V	±12V	6780pF@15V	肖特基分化（体）	2.5W（Ta）、83W（Tc）
AOB292L	1.9487	询价	8164	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	AOB292	MOSFET（金属O化物）		TO-263（D2Pak）	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	800		N沟道	100伏	14.5A（Ta）、105A（Tc）	6V、10V	4.1毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	126nC@10V	±20V	50V时为6775pF	-	2.1W（Ta）、300W（Tc）
冠安6234	0.4851	询价	2637	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	AON62	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	20A（Ta）、85A（Tc）	4.5V、10V	3.4毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	41nC@10V	±20V	2805pF@20V	-	2.3W（Ta）、83W（Tc）
AO4409	-	询价	1100	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	7.5毫欧@15A，10V	2.7V@250μA	120nC@10V	±20V	6400pF@15V	-	3.1W（塔）
AOTF8T50P	-	询价	8162	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包	奥特夫8	MOSFET（金属O化物）		TO-220F	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000		N沟道	500V	8A（温度）	10V	810毫欧@4A，10V	5V@250μA	19nC@10V	±30V	905pF@100V	-	38W（温度）
AOY2N60	0.2634	询价	2207	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	不适合新设计	-50°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOY2	MOSFET（金属O化物）		TO-251B	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		N沟道	600伏	2A（温度）	10V	4.7欧姆@1A，10V	4.5V@250μA	11nC@10V	±30V	295pF@25V	-	57W（温度）
奥恩斯32311	0.5191	询价	7252	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯323	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	-	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AONS32311TR	EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	56A（Ta）、220A（Tc）	4.5V、10V	1.35毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	150nC@10V	±20V	6060pF@15V	-	6.2W（Ta）、119W（Tc）
AOT404	-	询价	3195	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	AOT40	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	105V	40A（温度）	6V、10V	28毫欧@20A，10V	4V@250μA	46nC@10V	±25V	2445pF@25V	-	100W（温度）
AO4485_102	-	询价	6506	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	40V	10A（塔）	4.5V、10V	15毫欧@10A，10V	2.5V@250μA	55.4nC@10V	±20V	3000pF@20V	-	1.7W（塔）
AON6514_102	-	询价	1965年	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerSMD，读写	怡安651	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	30V	23A（Ta）、30A（Tc）	4.5V、10V	5毫欧@20A，10V	2.2V@250μA	10V时为22.5nC	±20V	951pF@15V	-	4.1W（Ta）、25W（Tc）
AOD66919	0.6619	询价	4969	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD66	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD66919TR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	100伏	22A（Ta）、70A（Tc）	4.5V、10V	6.5毫欧@20A，10V	2.6V@250μA	66nC@10V	±20V	50V时为3420pF	-	6.2W（Ta）、156W（Tc）
AOI409	0.4292	询价	3892	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	管子	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3 短截线，IPak	AOI40	MOSFET（金属O化物）		TO-251A	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,500人		P沟道	60V	26A（温度）	4.5V、10V	40毫欧@20A，10V	2.4V@250μA	54nC@10V	±20V	3600pF@30V	-	2.5W（Ta）、60W（Tc）
AO4498L	-	询价	1723	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	18A（温度）	4.5V、10V	5.5毫欧@18A，10V	2.5V@250μA	10V时为44.5nC	±20V	2300pF@15V	-	3.1W（温度）
美国在线1240	0.6674	询价	3543	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	3-PowerSMD，读写	美国在线12	MOSFET（金属O化物）		超SO-8™	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	40V	19A（Ta）、69A（Tc）	4.5V、10V	3mOhm@20A，10V	2.3V@250μA	50.5nC@10V	±20V	3800pF@20V	-	2.1W（Ta）、125W（Tc）
AOWF10N60_GV_001#M	-	询价	7231	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	最后一次购买				AOWF10				-			REACH 不出行	785-AOWF10N60_GV_001#M			1
怡安7292	1.1600	询价	3	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法莫斯	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-PowerWDFN	爱安72	MOSFET（金属O化物）		8-DFN-EP (3.3x3.3)	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	100伏	9A（Ta）、23A（Tc）	4.5V、10V	24毫欧@9A，10V	2.6V@250μA	25nC@10V	±20V	1170pF@50V	-	4.1W（Ta）、28W（Tc）
AO6403	0.1921	询价	8097	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-74、SOT-457	AO640	MOSFET（金属O化物）		6-TSOP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		P沟道	30V	6A（塔）	4.5V、10V	35mOhm@6A，10V	2.4V@250μA	18.5nC@10V	±20V	920pF@15V	-	2W（塔）
AO3416L_102	-	询价	1244	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	3-SMD，SOT-23-3变体	AO34	MOSFET（金属O化物）		SOT-23-3	-		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	20V	6.5A（塔）	1.8V、4.5V	22毫欧@6.5A，4.5V	1V@250μA	16nC@4.5V	±8V	1160pF@10V	-	1.4W（塔）
AOD424G	0.2270	询价	6638	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	AOD42	MOSFET（金属O化物）		TO-252（DPAK）	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行	785-AOD424GTR	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道	20V	30A（Ta）、46A（Tc）	2.5V、4.5V	4.9毫欧@20A，4.5V	1.25V@250μA	45nC@4.5V	±12V	3300pF@10V	-	6.2W（Ta）、50W（Tc）
奥恩斯66811	2.8200	询价	7825	阿尔法与欧米茄半导体公司	阿尔法SGT2™	卷带式 (TR)	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSMD，读写	奥恩斯668	MOSFET（金属O化物）		8-DFN (5x6)	下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	80V	41A（塔）、200A（TC）	5V、10V	2.5毫欧@20A，8V	3.8V@250μA	110nC@10V	±20V	5750pF@40V	-	7.5W（Ta）、258W（Tc）
AO4446	-	询价	2041	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO44	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	30V	15A（塔）	4.5V、10V	8.5毫欧@15A，10V	3V@250μA	40nC@10V	±20V		-	3W（塔）
AOT10N60_001	-	询价	1222	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	奥特10	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	600伏	10A（温度）	10V	750mOhm@5A，10V	4.5V@250μA	40nC@10V	±30V	1600pF@25V	-	250W（温度）
AO4310	-	询价	9964	阿尔法与欧米茄半导体公司	-	卷带式 (TR)	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	AO43	MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000		N沟道	36V	27A（塔）	4.5V、10V	3.1毫欧@20A，10V	2.3V@250μA	57nC@10V	±20V	18V时为3900pF	-	3.6W（塔）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(2247)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²