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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFK250N10P	24.5300	RFQ	78	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK250		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	250A（TC）	10V	6.5MOHM @ 50a，10v	5V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	16000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXBH2N250	66.4200	RFQ	178	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH2	标准		32 W		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											920 ns	-	2500 v	5 a	13 a	3.5V @ 15V，2a	-	10.6 NC	-
IXTH6N50D2	9.3800	RFQ	15	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	6A（TC）	-	500mohm @ 3a，0v	-	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXBX25N250	44.2800	RFQ	9462	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX25	标准		300 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	621487	Ear99	8541.29.0095	30			-											1.6 µs	-	2500 v	55 a	180 a	3.3V @ 15V，25a	-	103 NC	-
IXTP08N50D2	2.4900	RFQ	8375	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXBF32N300	81.7300	RFQ	25	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF32	标准		160 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											1.5 µs	-	3000 v	40 a	250 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-
IXBT12N300	23.7863	RFQ	8225	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT12	标准		160 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.4 µs	-	3000 v	30 a	100 a	3.2V @ 15V，12A	-	62 NC	-
IXFK240N15T2	21.7200	RFQ	1242	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK240		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	240a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	460 NC @ 10 V	±20V	32000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFT18N90P	-	RFQ	5654	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft18		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	18A（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	97 NC @ 10 V	±30V	5230 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFX320N17T2	32.2000	RFQ	8250	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX320		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		170 v	320a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	640 NC @ 10 V	±20V	45000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXTQ74N15T	-	RFQ	5488	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq74		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	74A（TC）		-	-				-	-
IXTQ88N15	-	RFQ	2016	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq88		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	88A（TC）	10V	-	-		±20V		-	-
IXTT30N50L	-	RFQ	4237	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTT30N50L2	18.2200	RFQ	3405	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt30n50l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTU08N100P	-	RFQ	5859	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu08		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		1000 v	8A（TC）		-	-				-	-
IXTV102N25T	-	RFQ	6518	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv102		MOSFET （金属 o化物）			加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	102A（TC）		-	-				-	-
IXTV98N20T	-	RFQ	6243	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv98		MOSFET （金属 o化物）			加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	98A（TC）		-	-				-	-
IXTY08N120P	-	RFQ	3299	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1200 v	8A（TC）		-	-				-	-
IXUC200N055	-	RFQ	3077	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXUC200		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	200a（TC）	10V	5.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 2mA	200 NC @ 10 V	±20V		-	300W（TC）
MIO600-65E11	-	RFQ	3468	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E11	mio				标准	E11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														npt	6500 v	600 a		4.2V @ 15V，600A				120 MA	不	150 nf @ 25 V
MKI75-06A7T	-	RFQ	6558	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MKI75			280 w	标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	完整的桥梁逆变器														npt	600 v	90 a		2.6V @ 15V，75a				1.3 ma	是的	3.2 NF @ 25 V
MWI100-06A8T	-	RFQ	7316	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI100			410 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	130 a		2.5V @ 15V，100a				1.2 ma	不	4.3 NF @ 25 V
MWI150-06A8T	-	RFQ	2921	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI150			515 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	170 a		2.5V @ 15V，150a				1.5 ma	不	6.5 nf @ 25 V
MWI200-06A8T	-	RFQ	6303	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	E3	MWI200			675 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	225 a		2.5V @ 15V，200a				1.8 ma	不	9 nf @ 25 V
MWI75-12A8T	-	RFQ	7245	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	-	MWI75			500 w	标准	-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	1200 v	125 a		2.6V @ 15V，75a				5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
VMO1200-01F	170.0700	RFQ	70	ixys	Hiperfet™	托盘	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	y3-li	VMO1200		MOSFET （金属 o化物）			y3-li	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	1220a（TC）	10V	1.35MOHM @ 932a，10V	4V @ 64mA	2520 NC @ 10 V	±20V		-	-
GWM100-0085x1-SMD SAM	-	RFQ	2284	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM100		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			85V	103a		6.2MOHM @ 75A，10V	4V @ 250µA	114NC @ 10V		-	-
GWM120-0075P3-SL	-	RFQ	1375	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			75V	118a		5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 1mA	100NC @ 10V		-	-
GWM120-0075x1-SMD	-	RFQ	5504	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	36	6 n通道（3相桥）			75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
GWM160-0055X1-SMDSAM	-	RFQ	7041	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM160		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			55V	150a		3.3MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	105nc @ 10V		-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²