SIC
close

晶体管(4)

参考图片 产品编号 价格（美元） 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量（公斤） 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 场效应管类型 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） Rds On（最大）@Id、Vgs Vgs(th)（顶部）@Id 惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs Vgs（最大） 输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds 场效应管特性 消耗（最大）
HTNFET-D Honeywell Aerospace HTNET-D -
询价
 ECAD 3097 0.00000000 霍尼韦尔航空航天公司 高温金属O化物半导体™ 大部分 的积极 -55°C ~ 225°C（太焦） 通孔 8-CDIP裸露焊盘 HT网络 MOSFET（金属O化物） 8-CDIP-EP 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） 342-1078 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V - 5V 400mOhm@100mA，5V 2.4V@100μA 4.3nC@5V 10V 290pF@28V - 50W（焦）
HTNFET-T Honeywell Aerospace HTNET-T -
询价
 ECAD 4674 0.00000000 霍尼韦尔航空航天公司 高温金属O化物半导体™ 大部分 的积极 -55°C ~ 225°C（太焦） 通孔 4-SIP HT网络 MOSFET（金属O化物） 4-电源选项卡 下载 不符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V - 5V 400mOhm@100mA，5V 2.4V@100μA 4.3nC@5V 10V 290pF@28V - 50W（焦）
HTNFET-DC Honeywell Aerospace HTNET-DC -
询价
 ECAD 第1677章 0.00000000 霍尼韦尔航空航天公司 高温金属O化物半导体™ 大部分 的积极 - 通孔 8-CDIP裸露焊盘 HT网络 MOSFET（金属O化物） - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V - 5V 400mOhm@100mA，5V 2.4V@100μA 4.3nC@5V 10V 290pF@28V - 50W（焦）
HTNFET-TC Honeywell Aerospace HTNET-TC -
询价
 ECAD 9171 0.00000000 霍尼韦尔航空航天公司 高温金属O化物半导体™ 大部分 的积极 - 通孔 - HT网络 MOSFET（金属O化物） - 下载 符合RoHS标准 1（无限制） EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V - 5V 400mOhm@100mA，5V 2.4V@100μA 4.3nC@5V 10V 290pF@28V - 50W（焦）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库

询价列表 (0 项)
购物车列表 (0 件)
Wishlist愿望清单 (0 件)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 裸露焊盘

数量：1

比较列表 (0 项)
按 Enter 进行搜索或按 ESC 关闭