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晶体管（（888）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TSM16ND50CI C0G	3.1438	RFQ	6511	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡		MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	16A（TC）	10V	350MOHM @ 4A，10V	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	2551 PF @ 50 V	-	59.5W（TC）
TSM35N10CP ROG	1.6271	RFQ	8011	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM35	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	32A（TC）	4.5V，10V	37mohm @ 10a，10v	3V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	1598 PF @ 30 V	-	83.3W（TC）
TSM1NB60CH	0.7448	RFQ	1962年	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM1	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM1NB60CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	600 v	1A（TC）	10V	10ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	138 pf @ 25 V	-	39W（TC）
TSM650P02CX	0.2435	RFQ	6711	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM650	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM650P02CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		P通道	20 v	4.1A（TC）	1.8V，4.5V	65mohm @ 3A，4.5V	0.8V @ 250µA	6.4 NC @ 4.5 V	±10V	515 pf @ 10 V	-	1.56W（TC）
TSC5802DCP ROG	-	RFQ	1747年	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSC5802		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500													450 v	2.5 a	250µA	NPN	3V @ 600mA，2a	50 @ 100mA，5v	-
BC848A	0.0334	RFQ	7604	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848ATR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
BC848C	0.0337	RFQ	9340	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC848CTR	Ear99	8541.21.0075	9,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
TSM320N03CX	0.3118	RFQ	6160	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	TSM320	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM320N03CXTR	Ear99	8541.29.0095	12,000		n通道	30 V	（4a ta），5.5A（5A）（TC）	2.5V，4.5V	32MOHM @ 4A，4.5V	900mv @ 250µA	8.9 NC @ 4.5 V	±12V	792 PF @ 15 V	-	1W（TA），1.8W（TC）
BC850AW	0.0357	RFQ	4498	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC850		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC850AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM4NB65CH	0.9576	RFQ	7165	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	TSM4	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（IPAK）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM4NB65CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	650 v	4A（TC）	10V	3.37OHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	13.46 NC @ 10 V	±30V	549 pf @ 25 V	-	50W（TC）
TSM480P06CH	0.9337	RFQ	8510	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM480	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM480P06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		P通道	60 V	20A（TC）	4.5V，10V	48mohm @ 8a，10v	2.2V @ 250µA	22.4 NC @ 10 V	±20V	1250 pf @ 30 V	-	-
BC848B RFG	0.0343	RFQ	4883	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BC848		200兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000													30 V	100 ma	100NA（ICBO）	NPN	500mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	100MHz
TSM120N10PQ56 RLG	-	RFQ	6381	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	100 v	58A（TC）	10V	12mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	3902 PF @ 30 V	-	36W（TC）
TSM019NH04LCR RLG	6.3000	RFQ	4	台湾半导体公司	Perfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pdfnu（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	35A（TA），100A （TC）	4.5V，10V	1.9mohm @ 50a，10v	2.2V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±16V	6282 PF @ 25 V	-	150W（TC）
BC548A B1G	-	RFQ	2431	台湾半导体公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	BC548		500兆	到92	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	5,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	110 @ 2mA，5V	-
TSM150NB04LCR RLG	1.4100	RFQ	1	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM150	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	40 V	10a（10a），41A（41A）（TC）	4.5V，10V	15mohm @ 10a，10v	2.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	966 pf @ 20 V	-	3.1W（TA），56W（tc）
TSM60NB190CF C0G	7.2200	RFQ	3	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TSM60	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	18A（TC）	10V	190MOHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±30V	1311 pf @ 100 V	-	59.5W（TC）
TSM042N03C	0.8059	RFQ	8384	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM042	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM042N03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	30A（TC）	4.5V，10V	4.2MOHM @ 12A，10V	2.5V @ 250µA	24 NC @ 4.5 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	7W（TC）
TSM085N03PQ33	0.5699	RFQ	2961	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM085	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM085N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（13A）（52A）（52a tc）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 250µA	14.3 NC @ 10 V	±20V	817 PF @ 15 V	-	2.3W（TA），37W（TC）
BC849AW	0.0361	RFQ	6118	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323	BC849		200兆	SOT-323	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-BC849AWTR	Ear99	8541.21.0075	18,000													30 V	100 ma	15NA（icbo）	NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	100MHz
TSM018NA03CR RLG	1.4100	RFQ	69	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM018	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	185a（TC）	4.5V，10V	1.8mohm @ 29a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3479 pf @ 15 V	-	104W（TC）
TSM043NB04LCZ	1.7791	RFQ	7779	台湾半导体公司	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TSM043	MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM043NB04LCZ	Ear99	8541.29.0095	4,000		n通道	40 V	16a（16A），124A （TC）	4.5V，10V	4.3mohm @ 16a，10v	2.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	4387 PF @ 20 V	-	2W（TA），125W（125W）（TC）
TSM300NB06DCR RLG	2.2400	RFQ	4	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	TSM300	MOSFET （金属 o化物）	2W（TA），40W（TC）	8-pdfn（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）		60V	6a（6a），25a tc（25a））		30mohm @ 6a，10v	4.5V @ 250µA	17NC @ 10V		1079pf @ 30V	-
BC547B A1	-	RFQ	1117	台湾半导体公司	-	（TB）	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	到92	下载			到达不受影响	1801-BC547BA1TB	过时的		1													45 v	100 ma	15NA（icbo）	NPN	-	200 @ 2mA，5v	-
TSM060N03PQ33	0.6306	RFQ	5227	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM060	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn（3.1x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM060N03PQ33TR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	30 V	（15a）（62a ta）（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	25.4 NC @ 10 V	±20V	1342 PF @ 15 V	-	2.3W（ta），40W（TC）
TSM600P03C	0.3994	RFQ	2567	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TSM600	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM600P03CSTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	4.7A（TC）	4.5V，10V	60mohm @ 3a，10v	2.5V @ 250µA	5.1 NC @ 4.5 V	±20V	560 pf @ 15 V	-	2.1W（TC）
TSM110NB04LCV	0.6661	RFQ	6248	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	TSM110	MOSFET （金属 o化物）		8-pdfn （3.15x3.1）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM110NB04LCVTR	Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道	40 V	（9A）（ta），44A （TC）	4.5V，10V	11mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	1329 PF @ 20 V	-	1.9W（TA），42W（TC）
TSM900N06CH	0.6584	RFQ	6981	台湾半导体公司	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3存根线，IPAK	TSM900	MOSFET （金属 o化物）		TO-251（i-pak SL）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM900N06CH	Ear99	8541.29.0095	15,000		n通道	60 V	11A（TC）	4.5V，10V	90MOHM @ 6A，10V	2.5V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 15 V	-	25W（TC）
TSM80N1R2CP	2.6213	RFQ	5239	台湾半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TSM80	MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-TSM80N1R2CPTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	800 v	5.5A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.75a，10V	4V @ 250µA	19.4 NC @ 10 V	±30V	685 pf @ 100 V	-	110W（TC）
KTC3198-gr	0.0583	RFQ	2961	台湾半导体公司	-	（TB）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KTC3198		500兆	到92	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	1801-KTC3198-GRTB	Ear99	8541.21.0095	4,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	NPN	250mv @ 10mA，100mA	70 @ 2mA，6v	80MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（888）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²