SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) ECCN htsus 标准包 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2)
TPN5R203PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN5R203PL,LQ 0.6400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPN5R203 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 38A(TC) 4.5V,10V 5.2MOHM @ 19a,10v 2.1V @ 200µA 22 NC @ 10 V ±20V 1975 pf @ 15 V - 610MW(610MW),61W(61W)TC)
TK28N65W5,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK28N65W5,S1F 6.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-247-3 TK28N65 MOSFET (金属 o化物) TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 27.6a(ta) 10V 130MOHM @ 13.8A,10V 4.5V @ 1.6mA 90 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W(TC)
TPH1R405PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R405PL,L1Q 1.5800
RFQ
ECAD 9110 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH1R405 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 45 v 120A(TC) 4.5V,10V 1.4mohm @ 50a,10v 2.4V @ 500µA 74 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 22.5 V - (960MW)(TA),132W(tc)
TPWR6003PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPWR6003PL,L1Q 3.0600
RFQ
ECAD 458 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powerwdfn TPWR6003 MOSFET (金属 o化物) 8-dsop提前 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 150a(TC) 4.5V,10V 0.6MOHM @ 50a,10v 2.1V @ 1mA 110 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 15 V - 960MW(TA),170W(tc)
TPN11006PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TPN11006PL,LQ 0.6400
RFQ
ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPN11006 MOSFET (金属 o化物) 8-tson Advance(3.1x3.1) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 26a(TC) 4.5V,10V 11.4mohm @ 13A,10V 2.5V @ 200µA 17 NC @ 10 V ±20V 1625 PF @ 30 V - 610MW(610MW),61W(61W)TC)
TK28V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W,LQ 5.2600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK28V65 MOSFET (金属 o化物) 4-DFN-EP(8x8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 27.6a(ta) 10V 120MOHM @ 13.8A,10V 3.5V @ 1.6mA 75 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 240W(TC)
TK31Z60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TK31Z60X,S1F 12.4300
RFQ
ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-247-4 TK31Z60 MOSFET (金属 o化物) TO-247-4L(t) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 30.8A(TA) 10V 88mohm @ 9.4a,10V 3.5V @ 1.5mA 65 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 230W(TC)
TK20J60W,S1VE Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60W,S1VE 5.3600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 TK20J60 MOSFET (金属 o化物) to-3p n(n) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 20A(TA) 10V 155mohm @ 10a,10v 3.7V @ 1mA 48 NC @ 10 V ±30V 1680 PF @ 300 V - 165W(TC)
TPH3R70APL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH3R70APL,L1Q 1.6400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH3R70 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 90A(TC) 4.5V,10V 3.7MOHM @ 45A,10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±20V 6300 PF @ 50 V - 960MW(TA),170W(tc)
TPH1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1R306PL,L1Q 2.0800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosix-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn TPH1R306 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 60 V 100A(TC) 4.5V,10V 1.34mohm @ 50a,10v 2.5V @ 1mA 91 NC @ 10 V ±20V 8100 PF @ 30 V - 960MW(TA),170W(tc)
TK110E10PL,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK110E10PL,S1X 1.3400
RFQ
ECAD 78 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 TK110E10 MOSFET (金属 o化物) TO-220 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 42A(TC) 4.5V,10V 10.7MOHM @ 21A,10V 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 pf @ 50 V - 87W(TC)
TPH1500CNH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPH1500CNH,L1Q 1.9800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 8-Powervdfn TPH1500 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 150 v 38A(TC) 10V 15.4mohm @ 19a,10v 4V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 75 V - 1.6W(TA),78W(tc)
TK10A50W,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK10A50W,S5X 1.9200
RFQ
ECAD 144 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK10A50 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 9.7A(ta) 10V 380MOHM @ 4.9A,10V 3.7V @ 500µA 20 nc @ 10 V ±30V 700 pf @ 300 V - 30W(TC)
TK110A10PL,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A10PL,S4X 1.0900
RFQ
ECAD 328 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK110A10 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 100 v 36a(TC) 4.5V,10V 10.8mohm @ 18a,10v 2.5V @ 300µA 33 NC @ 10 V ±20V 2040 pf @ 50 V - 36W(TC)
TK28V65W5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK28V65W5,LQ 5.5700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK28V65 MOSFET (金属 o化物) 4-DFN-EP(8x8) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 27.6a(ta) 10V 140MOHM @ 13.8A,10V 4.5V @ 1.6mA 90 NC @ 10 V ±30V 3000 PF @ 300 V - 240W(TC)
TK17A65W5,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK17A65W5,S5X 3.1400
RFQ
ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK17A65 MOSFET (金属 o化物) TO-220Si 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 17.3a(ta) 10V 230MOHM @ 8.7A,10V 4.5V @ 900µA 50 NC @ 10 V ±30V 1800 PF @ 300 V - 45W(TC)
TK60F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK60F10N1L,LXGQ 2.3200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB TK60F10 MOSFET (金属 o化物) TO-220SM(W) - 3(168)) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 60a(ta) 6V,10V 6.11MOHM @ 30a,10v 3.5V @ 500µA 60 NC @ 10 V ±20V 4320 PF @ 10 V - 205W(TC)
XPH6R30ANB,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPH6R30ANB,L1XHQ 1.8400
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 8-SOIC (0.197英寸,5.00mm宽度) XPH6R30 MOSFET (金属 o化物) 8(5x5) - (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 100 v 45A(TA) 6V,10V 6.3MOHM @ 22.5A,10V 3.5V @ 500µA 52 NC @ 10 V ±20V 3240 pf @ 10 V - (960MW)(TA),132W(tc)
TK160F10N1L,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1L,LXGQ 3.7000
RFQ
ECAD 4476 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB TK160F10 MOSFET (金属 o化物) TO-220SM(W) - 3(168)) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 100 v 160a(ta) 6V,10V 2.4mohm @ 80a,10v 3.5V @ 1mA 122 NC @ 10 V ±20V 10100 PF @ 10 V - 375W(TC)
SSM6K518NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K518NU,LF 0.4100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K518 MOSFET (金属 o化物) 6-udfnb(2x2) - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 6a(6a) 1.5V,4.5V 33MOHM @ 4A,4.5V 1V @ 1mA 3.6 NC @ 4.5 V ±8V 410 pf @ 10 V - 1.25W(TA)
SSM6K516NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6K516NU,LF 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C 表面安装 6-WDFN暴露垫 SSM6K516 MOSFET (金属 o化物) 6-udfnb(2x2) - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 6a(6a) 4.5V,10V 46mohm @ 4A,10V 2.5V @ 100µA 2.5 NC @ 4.5 V +20V,-12V 280 pf @ 15 V - 1.25W(TA)
RN1101MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN1101MFV,L3F 0.0261
RFQ
ECAD 9895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 表面安装 SOT-723 RN1101 150兆 VESM 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA,5mA 30 @ 10mA,5V 4.7科姆斯 4.7科姆斯
RN4988(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage RN4988 (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 6086 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 RN4988 200MW US6 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 100µA(ICBO) 1 npn,1 pnp- 预偏(二) 300mv @ 250µA,5mA 80 @ 10mA,5V 250MHz,200MHz 22KOHMS 47kohms
2SA1931,BOSCHQ(J Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,Boschq(j。 -
RFQ
ECAD 2292 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA(ICBO) PNP 400mv @ 200mA,2a 100 @ 1A,1V 60MHz
2SA2154CT-Y(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154CT-Y(TPL3) -
RFQ
ECAD 5156 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SC-101,SOT-883 2SA2154 100兆 CST3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 10,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) PNP 300mv @ 10mA,100mA 120 @ 2mA,6v 80MHz
2SA1242-Y(Q) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1242-y Q) -
RFQ
ECAD 3646 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-251-3,IPAK,TO-251AA 2SA1242 1 w PW-MOLD 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 200 20 v 5 a 100NA(ICBO) PNP 1V @ 100mA,4a 160 @ 500mA,2V 170MHz
RN2111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage RN2111MFV,L3F 0.2000
RFQ
ECAD 1153 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 SOT-723 RN2111 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 100NA(ICBO) pnp-预先偏见 300mv @ 250µA,5mA 120 @ 1mA,5V 10 kohms
2SA1020-Y(T6TR1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-y t6tr1,AF -
RFQ
ECAD 8896 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA(ICBO) PNP 500mv @ 50mA,1a 70 @ 500mA,2V 100MHz
2SD2695(T6CNO,A,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SD2695(t6cno,A,f) -
RFQ
ECAD 5381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 2SD2695 900兆 to-92mod 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0075 1 60 V 2 a 10µA(ICBO) NPN 1.5V @ 1mA,1a 2000 @ 1A,2V 100MHz
2SA1931,KEHINQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1931,Kehinq(m -
RFQ
ECAD 8804 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 2SA1931 2 w TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0075 1 50 V 5 a 1µA(ICBO) PNP 400mv @ 200mA,2a 100 @ 1A,1V 60MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库