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2488）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet （amp） 测试条件 当前 -测试 功率 -输出 获得 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 噪音图 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 电压 -测试 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
RN2425(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage RN2425（TE85L，F） 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 RN2425 200兆 S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 800 MA 500NA pnp-预先偏见 250mv @ 1mA，50mA 90 @ 100mA，1V 200 MHz 10 kohms
RN4989FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4989FE，LF（ct 0.2400
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-563，SOT-666 RN4989 100MW ES6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 4,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 47kohms 22KOHMS
TPCA8031-H(TE12L,Q Toshiba Semiconductor and Storage tpca8031-h te12l，q -
RFQ
 ECAD 8993 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSV-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPCA8031 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 24A（24A） 4.5V，10V 11mohm @ 12a，10v 2.5V @ 1mA 21 NC @ 10 V ±20V 2150 pf @ 10 V - 1.6W（TA），30W（TC）
2SA1162-GR,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1162-gr，LXHF 0.3900
RFQ
 ECAD 454 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 200兆 S-Mini 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
TTA1452B,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TTA1452B，S4X 1.9800
RFQ
 ECAD 9235 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 2 w TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 80 V 12 a 5µA（ICBO） PNP 400mv @ 300mA，6a 120 @ 1A，1V 50MHz
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK2035 （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 1230 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 SC-75，SOT-416 2SK2035 MOSFET （金属 o化物） SSM - （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v （100mA）（TA） 2.5V 12ohm @ 10mA，2.5V - 10V 8.5 pf @ 3 V - 100mW（TA）
TPCA8016-H(TE12LQM Toshiba Semiconductor and Storage tpca8016-h（TE12LQM -
RFQ
 ECAD 6814 0.00000000 东芝半导体和存储 - Digi-Reel® 过时的 表面安装 8-Powervdfn TPCA8016 MOSFET （金属 o化物） 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 60 V 25A（TA） 21MOHM @ 13A，10V 2.3V @ 1mA 22 NC @ 10 V 1375 PF @ 10 V -
TPCP8004(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8004（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 6792 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TPCP8004 MOSFET （金属 o化物） PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 8.3a（ta） 4.5V，10V 8.5MOHM @ 4.2A，10V 2.5V @ 1mA 26 NC @ 10 V ±20V 1270 pf @ 10 V - 840MW（TA）
RN2115,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2115，LXHF（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-75，SOT-416 RN2115 100兆 SSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 100 ma 500NA pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 50 @ 10mA，5V 200 MHz 2.2 kohms 10 kohms
SSM6N24TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N24TU，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 7409 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6N24 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2 n 通道（双） 30V 500mA（ta） 145mohm @ 500mA，4.5V 1.1V @ 100µA - 245pf @ 10V -
RN4987,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN4987，LXHF（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 RN4987 200MW US6 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50V 100mA 500NA 1 npn，1 pnp- 预偏（二） 300mv @ 250µA，5mA 80 @ 10mA，5V 250MHz，200MHz 10KOHMS 47kohms
2SC2229-Y(T6ONK1FM Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-y t6onk1fm -
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2229 800兆 to-92mod 下载 （1 （无限） 2SC2229YT6ONK1FM Ear99 8541.21.0075 1 150 v 50 mA 100NA（ICBO） NPN 500mv @ 1mA，10mA 70 @ 10mA，5V 120MHz
TK20S04K3L(T6L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TK20S04K3L （T6L1，NQ -
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiv 胶带和卷轴（（tr） 过时的 175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK20S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 40 V 20A（TA） 6V，10V 14mohm @ 10a，10v 3V @ 1mA 18 nc @ 10 V ±20V 820 pf @ 10 V - 38W（TC）
2SA1020-O(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SA1020-O（M）（m） -
RFQ
 ECAD 4526 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SA1020 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 50 V 2 a 1µA（ICBO） PNP 500mv @ 50mA，1a 70 @ 500mA，2V 100MHz
TK6A55DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK6A55DA（STA4，Q，m） 1.4900
RFQ
 ECAD 8915 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK6A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 5.5A（ta） 10V 1.48OHM @ 2.8A，10V 4.4V @ 1mA 12 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 35W（TC）
SSM6P40TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6P40TU，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 3853 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6P40 MOSFET （金属 o化物） 500MW（TA） UF6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 2（p 通道（双） 30V 1.4a（ta） 226mohm @ 1A，10V 2V @ 1mA 2.9nc @ 10V 120pf @ 15V 逻辑水平门，4V驱动器
TPN4R712MD,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPN4R712MD，L1Q 0.8500
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn TPN4R712 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.1x3.1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 20 v 36a（TC） 2.5V，4.5V 4.7MOHM @ 18A，4.5V 1.2V @ 1mA 65 NC @ 5 V ±12V 4300 PF @ 10 V - 42W（TC）
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM，S1X 2.3500
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 东芝半导体和存储 U-MOSX-H 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 80 V 120A（TC） 6V，10V 3.3mohm @ 50a，10v 3.5V @ 1.3mA 110 NC @ 10 V ±20V 7670 pf @ 40 V - 230W（TC）
2SC2235-Y(6MBH1,AF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2235-Y （6MBH1，AF -
RFQ
 ECAD 8417 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 150°C（TJ） 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 2SC2235 900兆 to-92mod 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 1 120 v 800 MA 100NA（ICBO） NPN 1V @ 50mA，500mA 80 @ 100mA，5V 120MHz
TK160F10N1,LXGQ Toshiba Semiconductor and Storage TK160F10N1，LXGQ 3.8300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 175°C 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB TK160F10 MOSFET （金属 o化物） TO-220SM（W） 下载 3（168）） Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 100 v 160a（ta） 10V 2.4mohm @ 80a，10v 4V @ 1mA 121 NC @ 10 V ±20V 8510 PF @ 10 V - 375W（TC）
3SK294(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 3SK294（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 12.5 v 表面安装 SC-82A，SOT-343 3SK294 500MHz MOSFET USQ 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30mA 10 MA - 26dB 1.4dB 6 V
RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN1106MFV，L3XHF（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SOT-723 RN1106 150兆 VESM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 100 ma 500NA npn-预先偏见 300mv @ 500µA，5mA 80 @ 1mA，5V 4.7科姆斯 47科姆斯
TK4A55D(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage TK4A55D（sta4，Q，m） -
RFQ
 ECAD 6988 0.00000000 东芝半导体和存储 π-mosvii 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 TK4A55 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 550 v 4A（ta） 10V 1.88OHM @ 2A，10V 4.4V @ 1mA 11 NC @ 10 V ±30V 490 pf @ 25 V - 35W（TC）
TK13E25D,S1X(S Toshiba Semiconductor and Storage TK13E25D，S1X（s 2.2900
RFQ
 ECAD 4902 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 TK13E25 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 13A（TA） 10V 250mohm @ 6.5a，10v 3.5V @ 1mA 25 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 100 V - 102W（TC）
RN2311,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2311，LF 0.1800
RFQ
 ECAD 7033 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 SC-70，SOT-323 RN2311 100兆 SC-70 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50 V 100 ma 100NA（ICBO） pnp-预先偏见 300mv @ 250µA，5mA 120 @ 1mA，5V 200 MHz 10 kohms
TPC8062-H,LQ(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPC8062-H，LQ（厘米 -
RFQ
 ECAD 2139 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvii-H 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） TPC8062 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 18A（18A） 4.5V，10V 5.8mohm @ 9a，10v 2.3V @ 300µA 34 NC @ 10 V ±20V 2900 PF @ 10 V - 1W（ta）
GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA，S1E 3.7700
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 标准 348 w TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 300V，60a，39ohm，15V - 1350 v 60 a 120 a 2.6V @ 15V，60a - （1.3MJ）） 270 NC -
TK62N60W5,S1VF Toshiba Semiconductor and Storage TK62N60W5，S1VF 11.3800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 61.8A（TA） 10V 45mohm @ 30.9a，10v 4.5V @ 3.1mA 205 NC @ 10 V ±30V 6500 PF @ 300 V - 400W（TC）
2SJ438,MDKQ(M Toshiba Semiconductor and Storage 2SJ438，MDKQ（m -
RFQ
 ECAD 6890 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 2SJ438 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 1 5A（TJ）
TPCC8105,L1Q(CM Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8105，L1Q（cm -
RFQ
 ECAD 1963年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-vdfn暴露垫 TPCC8105 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance（3.3x3.3） - （1 （无限） 264-TPCC8105L1Q （CMTR Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 23a（23A） 4.5V，10V 7.8mohm @ 11.5a，10v 2V @ 500µA 76 NC @ 10 V +20V，-25V 3240 pf @ 10 V - 700MW（TA），30W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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196-LFBGA裸露的垫子

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