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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | ECCN | htsus | 标准包 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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![]() | TK28N65W5,S1F | 6.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | TO-247-3 | TK28N65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 650 v | 27.6a(ta) | 10V | 130MOHM @ 13.8A,10V | 4.5V @ 1.6mA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3000 PF @ 300 V | - | 230W(TC) | |||||||||||
![]() | TPH1R405PL,L1Q | 1.5800 | ![]() | 9110 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosix-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPH1R405 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 45 v | 120A(TC) | 4.5V,10V | 1.4mohm @ 50a,10v | 2.4V @ 500µA | 74 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 22.5 V | - | (960MW)(TA),132W(tc) | ||||||||||||
![]() | TPWR6003PL,L1Q | 3.0600 | ![]() | 458 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosix-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | 8-Powerwdfn | TPWR6003 | MOSFET (金属 o化物) | 8-dsop提前 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 150a(TC) | 4.5V,10V | 0.6MOHM @ 50a,10v | 2.1V @ 1mA | 110 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 15 V | - | 960MW(TA),170W(tc) | ||||||||||||
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![]() | TK20J60W,S1VE | 5.3600 | ![]() | 24 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | TO-3P-3,SC-65-3 | TK20J60 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p n(n) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 600 v | 20A(TA) | 10V | 155mohm @ 10a,10v | 3.7V @ 1mA | 48 NC @ 10 V | ±30V | 1680 PF @ 300 V | - | 165W(TC) | |||||||||||
![]() | TPH3R70APL,L1Q | 1.6400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosix-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPH3R70 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 100 v | 90A(TC) | 4.5V,10V | 3.7MOHM @ 45A,10V | 2.5V @ 1mA | 67 NC @ 10 V | ±20V | 6300 PF @ 50 V | - | 960MW(TA),170W(tc) | ||||||||||||
![]() | TPH1R306PL,L1Q | 2.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosix-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPH1R306 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 60 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 1.34mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 1mA | 91 NC @ 10 V | ±20V | 8100 PF @ 30 V | - | 960MW(TA),170W(tc) | ||||||||||||
![]() | TK110E10PL,S1X | 1.3400 | ![]() | 78 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 175°C | 通过洞 | TO-220-3 | TK110E10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 42A(TC) | 4.5V,10V | 10.7MOHM @ 21A,10V | 2.5V @ 300µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 2040 pf @ 50 V | - | 87W(TC) | |||||||||||
![]() | TPH1500CNH,L1Q | 1.9800 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 8-Powervdfn | TPH1500 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 150 v | 38A(TC) | 10V | 15.4mohm @ 19a,10v | 4V @ 1mA | 22 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 75 V | - | 1.6W(TA),78W(tc) | ||||||||||||
![]() | TK10A50W,S5X | 1.9200 | ![]() | 144 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK10A50 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 500 v | 9.7A(ta) | 10V | 380MOHM @ 4.9A,10V | 3.7V @ 500µA | 20 nc @ 10 V | ±30V | 700 pf @ 300 V | - | 30W(TC) | |||||||||||
![]() | TK110A10PL,S4X | 1.0900 | ![]() | 328 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 175°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK110A10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 100 v | 36a(TC) | 4.5V,10V | 10.8mohm @ 18a,10v | 2.5V @ 300µA | 33 NC @ 10 V | ±20V | 2040 pf @ 50 V | - | 36W(TC) | |||||||||||
![]() | TK28V65W5,LQ | 5.5700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 4-VSFN暴露垫 | TK28V65 | MOSFET (金属 o化物) | 4-DFN-EP(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 650 v | 27.6a(ta) | 10V | 140MOHM @ 13.8A,10V | 4.5V @ 1.6mA | 90 NC @ 10 V | ±30V | 3000 PF @ 300 V | - | 240W(TC) | |||||||||||
![]() | TK17A65W5,S5X | 3.1400 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | TO-220-3完整包 | TK17A65 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220Si | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 650 v | 17.3a(ta) | 10V | 230MOHM @ 8.7A,10V | 4.5V @ 900µA | 50 NC @ 10 V | ±30V | 1800 PF @ 300 V | - | 45W(TC) | |||||||||||
![]() | TK60F10N1L,LXGQ | 2.3200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | TK60F10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220SM(W) | - | 3(168)) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 60a(ta) | 6V,10V | 6.11MOHM @ 30a,10v | 3.5V @ 500µA | 60 NC @ 10 V | ±20V | 4320 PF @ 10 V | - | 205W(TC) | ||||||||||||
![]() | XPH6R30ANB,L1XHQ | 1.8400 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | 8-SOIC (0.197英寸,5.00mm宽度) | XPH6R30 | MOSFET (金属 o化物) | 8(5x5) | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 100 v | 45A(TA) | 6V,10V | 6.3MOHM @ 22.5A,10V | 3.5V @ 500µA | 52 NC @ 10 V | ±20V | 3240 pf @ 10 V | - | (960MW)(TA),132W(tc) | ||||||||||||
![]() | TK160F10N1L,LXGQ | 3.7000 | ![]() | 4476 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | U-Mosviii-H | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | TK160F10 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220SM(W) | - | 3(168)) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 100 v | 160a(ta) | 6V,10V | 2.4mohm @ 80a,10v | 3.5V @ 1mA | 122 NC @ 10 V | ±20V | 10100 PF @ 10 V | - | 375W(TC) | ||||||||||||
![]() | SSM6K518NU,LF | 0.4100 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6K518 | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfnb(2x2) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 6a(6a) | 1.5V,4.5V | 33MOHM @ 4A,4.5V | 1V @ 1mA | 3.6 NC @ 4.5 V | ±8V | 410 pf @ 10 V | - | 1.25W(TA) | |||||||||||
![]() | SSM6K516NU,LF | 0.4100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C | 表面安装 | 6-WDFN暴露垫 | SSM6K516 | MOSFET (金属 o化物) | 6-udfnb(2x2) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 6a(6a) | 4.5V,10V | 46mohm @ 4A,10V | 2.5V @ 100µA | 2.5 NC @ 4.5 V | +20V,-12V | 280 pf @ 15 V | - | 1.25W(TA) | |||||||||||
![]() | RN1101MFV,L3F | 0.0261 | ![]() | 9895 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 表面安装 | SOT-723 | RN1101 | 150兆 | VESM | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 500NA | npn-预先偏见 | 300mv @ 500µA,5mA | 30 @ 10mA,5V | 4.7科姆斯 | 4.7科姆斯 | |||||||||||||||
![]() | RN4988 (T5L,F,T) | - | ![]() | 6086 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | RN4988 | 200MW | US6 | 下载 | Rohs符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 50V | 100mA | 100µA(ICBO) | 1 npn,1 pnp- 预偏(二) | 300mv @ 250µA,5mA | 80 @ 10mA,5V | 250MHz,200MHz | 22KOHMS | 47kohms | ||||||||||||||
![]() | 2SA1931,Boschq(j。 | - | ![]() | 2292 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SA1931 | 2 w | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 200mA,2a | 100 @ 1A,1V | 60MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SA2154CT-Y(TPL3) | - | ![]() | 5156 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | 2SA2154 | 100兆 | CST3 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | PNP | 300mv @ 10mA,100mA | 120 @ 2mA,6v | 80MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SA1242-y Q) | - | ![]() | 3646 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | 2SA1242 | 1 w | PW-MOLD | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 200 | 20 v | 5 a | 100NA(ICBO) | PNP | 1V @ 100mA,4a | 160 @ 500mA,2V | 170MHz | ||||||||||||||||
![]() | RN2111MFV,L3F | 0.2000 | ![]() | 1153 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-723 | RN2111 | 150兆 | VESM | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | pnp-预先偏见 | 300mv @ 250µA,5mA | 120 @ 1mA,5V | 10 kohms | ||||||||||||||||
![]() | 2SA1020-y t6tr1,AF | - | ![]() | 8896 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SA1020 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 50 V | 2 a | 1µA(ICBO) | PNP | 500mv @ 50mA,1a | 70 @ 500mA,2V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SD2695(t6cno,A,f) | - | ![]() | 5381 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | 2SD2695 | 900兆 | to-92mod | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60 V | 2 a | 10µA(ICBO) | NPN | 1.5V @ 1mA,1a | 2000 @ 1A,2V | 100MHz | ||||||||||||||||
![]() | 2SA1931,Kehinq(m | - | ![]() | 8804 | 0.00000000 | 东芝半导体和存储 | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | 2SA1931 | 2 w | TO-220NIS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 50 V | 5 a | 1µA(ICBO) | PNP | 400mv @ 200mA,2a | 100 @ 1A,1V | 60MHz |
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