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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
SSM3J307T（TE85L，F）	-	RFQ	9193	东芝半导体和存储	U-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J307	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	5A（5A）	1.5V，4.5V	31MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	19 nc @ 4.5 V	±8V	1170 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
SSM6J53FE（TE85L，F）	-	RFQ	2682	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	SSM6J53	MOSFET （金属 o化物）		ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000		P通道	20 v	1.8A（ta）	1.5V，2.5V	136mohm @ 1A，2.5V	1V @ 1mA	10.6 NC @ 4 V	±8V	568 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM3H137TU，LF	0.4500	RFQ	30	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3H137	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	34 v	2A（TA）	4V，10V	240MOHM @ 1A，10V	1.7V @ 1mA	3 NC @ 10 V	±20V	119 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
TK4P55D（t6rss-Q）	-	RFQ	5025	东芝半导体和存储	π-mosvii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK4P55	MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	TK4P55DT6RSQ	Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	550 v	4A（ta）	10V	1.88OHM @ 2A，10V	4.4V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±30V	490 pf @ 25 V	-	80W（TC）
2SA1832-Y，LXHF	0.3900	RFQ	690	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	SC-75，SOT-416			120兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50 V	150 ma	100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 2mA，6v	80MHz
2SC5459（tojs，q，m）	-	RFQ	5031	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5459		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1													400 v	3 a	100µA（ICBO）	NPN	1V @ 150mA，1.2a	20 @ 300mA，5V	-
RN1706，LF	0.3000	RFQ	939	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN1706		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz	4.7kohms	47kohms
SSM3K361TU，LXHF	0.6200	RFQ	9	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	100 v	3.5A（ta）	4.5V，10V	69mohm @ 2a，10v	2.5V @ 100µA	3.2 NC @ 4.5 V	±20V	430 pf @ 15 V	-	1W（ta）
RN2709，LF	0.3100	RFQ	8528	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN2709		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	22KOHMS
RN4901FE，LXHF（ct	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4901		100MW	ES6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA	500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200MHz，250MHz	4.7kohms	4.7kohms
RN2704，LF	0.3100	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353	RN2704		200MW	USV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50V	100mA	500NA	2 PNP-）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	200MHz	47kohms	47kohms
SSM3J140TU，LF	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J140	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	4.4a（ta）	1.5V，4.5V	25.8mohm @ 4A，4.5V	1V @ 1mA	24.8 NC @ 4.5 V	+6V，-8V	1800 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK17A80W，S4X	3.8400	RFQ	28	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK17A80	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	800 v	17A（TA）	10V	290MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 850µA	32 NC @ 10 V	±20V	2050 pf @ 300 V	-	45W（TC）
TK16G60W5，RVQ	3.2100	RFQ	1	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	600 v	15.8A（TA）	10V	230MOHM @ 7.9A，10V	4.5V @ 790µA	43 NC @ 10 V	±30V	1350 pf @ 300 V	-	130W（TC）
SSM3K7002KF，LXHF	0.4000	RFQ	17	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	1.5OHM @ 100mA，10v	2.1V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	40 pf @ 10 V	-	270MW（TA）
TK5R3E08QM，S1X	1.5800	RFQ	98	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	80 V	120A（TC）	6V，10V	5.3MOHM @ 50a，10V	3.5V @ 700µA	55 NC @ 10 V	±20V	3980 pf @ 40 V	-	150W（TC）
RN1511（TE85L，F）	0.4700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-74A，SOT-753	RN1511		300MW	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	100NA（ICBO）	2（NPN- 预偏（双重）（）（）	300mv @ 250µA，5mA	120 @ 1mA，5V	250MHz	10KOHMS	-
SSM6K405TU，LF	0.3700	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6K405	MOSFET （金属 o化物）		UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	20 v	2A（TA）	1.5V，4V	126mohm @ 1A，4V	1V @ 1mA	3.4 NC @ 4 V	±10V	195 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
TK5A60D（sta4，Q，m）	1.5700	RFQ	3980	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK5A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	600 v	5A（5A）	10V	1.43OHM @ 2.5A，10V	4.4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	35W（TC）
RN2117（TE85L，F）	0.3900	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SC-75，SOT-416	RN2117		100兆	SSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	3,000													50 V	100 ma	500NA	pnp-预先偏见	300mv @ 250µA，5mA	30 @ 10mA，5V	200 MHz	10 kohms	4.7科姆斯
SSM6L12TU，LF	0.5100	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅	SSM6L12	MOSFET （金属 o化物）	500MW	UF6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道		30V，20V	500mA（ta）		145MOHM @ 500mA，4.5V，260MOHM @ 250mA，4V	1.1V @ 100µA	-		245pf @ 10V，218pf @ 10V	-
RN1903，LXHF（ct	0.3600	RFQ	3	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	RN1903		200MW	US6	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000													50V	100mA	500NA	2 NPN- 预偏（双重）	300mv @ 250µA，5mA	70 @ 10mA，5V	250MHz	22KOHMS	22KOHMS
SSM3J304T（TE85L，F）	-	RFQ	9160	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3J304	MOSFET （金属 o化物）		TSM	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道	20 v	2.3a（ta）	1.8V，4V	127MOHM @ 1A，4V	-	6.1 NC @ 4 V	±8V	335 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TPCA8109（TE12L1，V。	-	RFQ	3844	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8109	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-		（1 （无限）	264-TPCA8109（TE12L1VTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		P通道	30 V	24A（24A）	4.5V，10V	9mohm @ 12a，10v	2V @ 500µA	56 NC @ 10 V	+20V，-25V	2400 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
TPH1110FNH，L1Q	1.8400	RFQ	4	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPH1110	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	250 v	10a（10a）	10V	112MOHM @ 5A，10V	4V @ 300µA	11 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	1.6W（TA），57W（tc）
TK13E25D，S1X（s	2.2900	RFQ	4902	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK13E25	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	250 v	13A（TA）	10V	250mohm @ 6.5a，10v	3.5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 100 V	-	102W（TC）
TK11P65W，RQ	1.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TK11P65	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	650 v	11.1a（ta）	10V	440MOHM @ 5.5A，10V	3.5V @ 450µA	25 NC @ 10 V	±30V	890 pf @ 300 V	-	100W（TC）
TPH9R00CQ5，LQ	2.5500	RFQ	5	东芝半导体和存储	U-MOSX-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）				5,000		n通道	150 v	108a（TA），64A（tc）	8V，10V	9mohm @ 32a，10v	4.5V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 75 V	-	3W（3W），210W（TC）
2SA1020-O te6，F，M）	-	RFQ	3483	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SA1020		900兆	to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0075	1													50 V	2 a	1µA（ICBO）	PNP	500mv @ 50mA，1a	70 @ 500mA，2V	100MHz
SSM6N7002KFU，LXH	0.3800	RFQ	8	东芝半导体和存储	汽车，AEC-Q101，U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	SSM6N7002	MOSFET （金属 o化物）	285MW（TA）	US6	下载		（1 （无限）	264-SSM6N7002KFULXHCT	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		60V	300mA（TA）		1.5OHM @ 100mA，10V	2.1V @ 250µA	0.6NC @ 4.5V		40pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²