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2488）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
XPW6R30ANB，L1XHQ	1.9800	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPW6R30	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	45A（TA）	6V，10V	6.3MOHM @ 22.5A，10V	3.5V @ 500µA	52 NC @ 10 V	±20V	3240 pf @ 10 V	-	（960MW）（TA），132W（tc）
tpc8134，lq（s	0.7300	RFQ	2	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPC8134	MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道	40 V	5A（5A）	4.5V，10V	52MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 100µA	20 nc @ 10 V	+20V，-25V	890 pf @ 10 V	-	1W（ta）
SSM6K781G，LF	0.5100	RFQ	850	东芝半导体和存储	U-Mosvii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	6-ufbga，WLCSP	SSM6K781	MOSFET （金属 o化物）		6-WCSPC（1.5x1.0）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	12 v	7a（ta）	1.5V，4.5V	18mohm @ 1.5A，4.5V	1V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±8V	600 pf @ 6 V	-	1.6W（TA）
SSM3K15F，LF	0.2300	RFQ	72	东芝半导体和存储	π-mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	SSM3K15	MOSFET （金属 o化物）		S-Mini	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	30 V	（100mA）（TA）	2.5V，4V	4ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 100µA		±20V	7.8 pf @ 3 V	-	200mw（ta）
TK14A65W5，S5X	2.8900	RFQ	4496	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK14A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	300mohm @ 6.9a，10v	4.5V @ 690µA	40 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	40W（TC）
TPCP8203（TE85L，F）	-	RFQ	5326	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8203	MOSFET （金属 o化物）	360MW	PS-8（2.9x2.4）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）		40V	4.7a		-	2.5V @ 1mA	-		-	-
TPH9R00CQH，LQ	2.0000	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn		MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	264-TPH9R00CQHLQTR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	150 v	64A（TC）	8V，10V	9mohm @ 32a，10v	4.3V @ 1mA	44 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 75 V	-	960MW（TA），210W （TC）
TK9A45D（sta4，Q，m）	1.7100	RFQ	8473	东芝半导体和存储	π-mosvii	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK9A45	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	450 v	9a（9a）	10V	770MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA	16 NC @ 10 V	±30V	800 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RN4987FE，LF（ct	0.2700	RFQ	32	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOT-563，SOT-666	RN4987		100MW	ES6	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	4,000													50V	100mA			500NA	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 250µA，5mA	80 @ 10mA，5V	250MHz，200MHz	10KOHMS	47kohms
2SK2989，T6F（j	-	RFQ	7347	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的		通过洞	TO-226-3，TO-92-3	2SK2989			to-92mod	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	1				5A（TJ）
2SK2145-BL（TE85L，f	0.6800	RFQ	6	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-74A，SOT-753	2SK2145		300兆	SMV	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	3,000		2 n 通道（双）								13pf @ 10V					6 mA @ 10 V	200 mv @ 100 na
TW027N65C，S1F	22.7000	RFQ	4982	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-3		sicfet （碳化硅）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	58A（TC）	18V	37mohm @ 29a，18v	5V @ 3mA	65 NC @ 18 V	+25V，-10V	2288 PF @ 400 V	-	156W（TC）
TK14N65W，S1F	3.3800	RFQ	8957	东芝半导体和存储	dtmosiv	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	TK14N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	250mohm @ 6.9a，10v	3.5V @ 690µA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	130W（TC）
TK25V60X5，LQ	5.0300	RFQ	8257	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	600 v	25A（TA）	10V	150MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 1.2mA	60 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	180W（TC）
XPN7R104NC，L1XHQ	1.2500	RFQ	9396	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	XPN7R104	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance-WF （3.1x3.1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	40 V	20A（TA）	4.5V，10V	7.1MOHM @ 10a，10v	2.5V @ 200µA	21 NC @ 10 V	±20V	1290 pf @ 10 V	-	（840MW）（TA），65W（tc）
TJ20S04M3L，LXHQ	0.9400	RFQ	34	东芝半导体和存储	U-Mosvi	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	TJ20S04	MOSFET （金属 o化物）		DPAK+	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道	40 V	20A（TA）	6V，10V	22.2MOHM @ 10A，10V	3V @ 1mA	37 NC @ 10 V	+10V，-20V	1850 pf @ 10 V	-	41W（TC）
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TK22A65X，S5X	3.8400	RFQ	188	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK22A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	22a（22a）	10V	150mohm @ 11a，10v	3.5V @ 1.1mA	50 NC @ 10 V	±30V	2400 PF @ 300 V	-	45W（TC）
TK380A65Y，S4X	1.8300	RFQ	95	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK380A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	9.7a（TC）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	4V @ 360µA	20 nc @ 10 V	±30V	590 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TPN5R203PL，LQ	0.6400	RFQ	9	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powervdfn	TPN5R203	MOSFET （金属 o化物）		8-tson Advance（3.1x3.1）	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道	30 V	38A（TC）	4.5V，10V	5.2MOHM @ 19a，10v	2.1V @ 200µA	22 NC @ 10 V	±20V	1975 pf @ 15 V	-	610MW（610MW），61W（61W）TC）
TK28N65W5，S1F	6.6700	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-247-3	TK28N65	MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	130MOHM @ 13.8A，10V	4.5V @ 1.6mA	90 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	230W（TC）
TPWR6003PL，L1Q	3.0600	RFQ	458	东芝半导体和存储	U-Mosix-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C	表面安装	8-Powerwdfn	TPWR6003	MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	30 V	150a（TC）	4.5V，10V	0.6MOHM @ 50a，10v	2.1V @ 1mA	110 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 15 V	-	960MW（TA），170W（tc）
TK10A50W，S5X	1.9200	RFQ	144	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK10A50	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	500 v	9.7A（ta）	10V	380MOHM @ 4.9A，10V	3.7V @ 500µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 300 V	-	30W（TC）
TK28V65W5，LQ	5.5700	RFQ	4	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫	TK28V65	MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	27.6a（ta）	10V	140MOHM @ 13.8A，10V	4.5V @ 1.6mA	90 NC @ 10 V	±30V	3000 PF @ 300 V	-	240W（TC）
2SA2154MFVGR，L3F	0.1900	RFQ	7	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-723	2SA2154		150兆	VESM	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.21.0095	8,000													50 V	150 ma			100NA（ICBO）	PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 2mA，6v	80MHz
TK110A65Z，S4X	4.2300	RFQ	51	东芝半导体和存储	dtmosvi	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包	TK110A65	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	50		n通道	650 v	24A（24A）	10V	110mohm @ 12a，10v	4V @ 1.02mA	40 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 300 V	-	45W（TC）
TPW2R508NH，L1Q	2.8100	RFQ	1661年	东芝半导体和存储	U-Mosviii-H	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-dsop提前	下载		（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	75 v	150a（ta）	10V	2.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 1mA	72 NC @ 10 V	±20V	6000 PF @ 37.5 V	-	800MW（TA），142W （TC）
TK14V65W，LQ	3.4800	RFQ	2719	东芝半导体和存储	dtmosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	4-VSFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		4-DFN-EP（8x8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	650 v	13.7A（TA）	10V	280MOHM @ 6.9a，10V	3.5V @ 690µA	35 NC @ 10 V	±30V	1300 PF @ 300 V	-	139W（TC）
TK055U60Z1，RQ	5.5900	RFQ	3	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Powersfn		MOSFET （金属 o化物）		收费	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道	600 v	40a（ta）	10V	55mohm @ 15a，10v	4V @ 1.69mA	65 NC @ 10 V	±30V	3680 pf @ 300 V	-	270W（TC）
TW030Z120C，S1F	30.4100	RFQ	120	东芝半导体和存储	-	管子	积极的	175°C	通过洞	TO-247-4		SIC （硅碳化物交界晶体管）		TO-247-4L x（X）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		Ear99	8541.29.0095	30		n通道	1200 v	60a（TC）	18V	41mohm @ 30a，18v	5V @ 13mA	82 NC @ 18 V	+25V，-10V	2925 PF @ 800 V	-	249W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

2488）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²