晶体管(836)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	电压 - 输出	场效应管类型	测试条件	电压	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电压 - 偏移 (Vt)	电流 - 电流至阳极电流 (Igao)	电流 - 谷 (Iv)	当前 - 最高
RFP15N08L	0.5700	询价	49	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			80V	15A（温度）	5V	140mOhm@7.5A，5V	2.5V@1mA	80nC@10V	±10V		-	72W（温度）
IRFU9110	0.3600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA	IRFU9		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1		P沟道			100伏	3.1A（温度）	10V	1.2欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
RFIS40N10LE	1.3700	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RF信息系统40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
IRF821	-	询价	9372	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	390		N沟道			450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
RF1K4909096	0.5700	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-RF1K4909096-600026			1
RFP14N05P2	-	询价	5151	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
IGTM20N40A	2.3100	询价	6264	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	100			-												-	400V	20A		-	-		-
IRFU421	0.4000	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
RFP2N12	0.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			120V	2A（温度）	10V	1.75欧姆@2A，10V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
BD244C	0.7300	询价	5211	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				65W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	200																100伏	6A						700微安	国民党	1.5V@1A、6A	15@3A，4V	-
HGTG40N60B3	1.0000	询价	4143	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		290W	TO-247	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	450			480V，40A，3欧姆，15V												-	600伏	70A	330A	2V@15V，40A	1.05mJ（开），800μJ（关）	250℃	47纳秒/170纳秒
IRFR21496	0.3200	询价	993	哈里斯公司	*	大部分	的积极				红外FR214		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	993													-
IRFF9132	0.9900	询价	1666	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	19号		P沟道			100伏	5.5A（温度）	10V	400mOhm@3A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	25W（温度）
GES6028	0.2200	询价	8163	哈里斯公司	-	大部分	的积极			TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)						下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1,000	6V			1.5V										300毫W														1.6V	10纳安	25微安	150纳安
HIP2060ASE	1.8300	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				HIP2060		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
RFD14N06	0.5700	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	14A（温度）	10V	100mOhm@14A，10V	4V@250μA	40nC@20V	±20V	570pF@25V	-	48W（温度）
HGTH12N40CID	2.4900	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
IRF9532	0.6700	询价	19号	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			100伏	10A（温度）	10V	400毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	75W（温度）
RFP45N03L	0.6700	询价	41	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			30V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
IRFP245	1.5400	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			250伏	14A（温度）	10V	340毫欧@10A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
RFP12N18	1.0600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			180伏	12A（温度）	10V	250mOhm@12A，10V	4V@250μA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
IRFP243	2.4000	询价	181	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			150伏	18A（温度）	10V	220毫欧@10A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	150W（温度）
IRF810	0.4600	询价	93	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF81		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
HGTP10N40C1	1.0800	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-												-	400V	10A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
IRF740R	-	询价	8783	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	46		N沟道			400V	10A（温度）	10V	550mOhm@5.2A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	125W（温度）
IRFD111	-	询价	5736	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	108		N沟道			80V	1A（温度）	10V	600毫欧@800毫安，10伏	4V@250μA	7nC@10V	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
IRFD213	0.5900	询价	5	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道			250伏	450mA（塔）		2欧姆@270mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC		140pF@25V	-	-
IRFD110	0.5700	询价	44	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD110		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道			100伏	1A（塔）	10V	540mOhm@600mA，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	1.3W（塔）
IRFR421	0.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
IRF647	0.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			275伏	13A（温度）	10V	340毫欧@8A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(836)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²