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晶体管（（836）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RFD8P06LE	0.3000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RFD8P06LE-600026			1
HGTP10N50E1	1.9400	RFQ	15	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-												-	500 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
IRFP251	1.8700	RFQ	265	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	33A（TC）	10V	85mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF543	0.7700	RFQ	965	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	25A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IGT5E10CS	1.4100	RFQ	564	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
D44D2	-	RFQ	2720	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	110															40 V	6 a						10µA	npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
HGTP12N6001	2.2500	RFQ	568	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
D45D3	-	RFQ	9669	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	124															60 V	6 a						10µA	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
HGTH12N40E1D	-	RFQ	5438	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	109		-											100 ns	-	400 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
HRF3205	1.4600	RFQ	6230	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400	n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
RFH75N05	4.1100	RFQ	80	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	80	n通道		50 V	-	-	-	-		-		-	-
HGTP3N60B3	0.5200	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		33.3 w	TO-220	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		480V，3.5a，82ohm，15V											16 ns	-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
RFP2NO8L	0.2300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
Igth20N40AD	3.3600	RFQ	444	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		-												-	400 v	20 a		-	-		-
IRFPC42	1.4100	RFQ	5	哈里斯公司	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC（TO-3P）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道		600 v	5.9a（TC）	10V	1.6OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
HUF761223	1.0000	RFQ	1950年	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
提示47	-	RFQ	4518	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1															250 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
HGTG7N60A4D	1.7700	RFQ	269	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	450		390V，7a，25ohm，15V											34 ns	-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
HGTG2ON60C3DR	3.2100	RFQ	302	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRF9511	1.0000	RFQ	8141	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	P通道		80 V	3A（TC）	10V	1.2OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	20W（TC）
IRF641	1.6000	RFQ	14	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	n通道		150 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
HGTG201N100E2	-	RFQ	6534	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
HGTG24N60D1	8.9300	RFQ	25	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		-												-	600 v	40 a	96 a	2.3V @ 15V，24a	-	155 NC	-
HGTP10N40E1D	1.4600	RFQ	3090	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	162		-												-	400 v	17.5 a		3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
CA3083R4339-HC	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
IRF9532	0.6700	RFQ	19	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	P通道		100 v	10A（TC）	10V	400mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HIP2060ase	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HIP2060		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1											-
HGTD7N60C3	-	RFQ	5957	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		标准		60 W	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	225		-												-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	30 NC	-
IRFR121	0.3400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1	n通道		80 V	8.4a	-	-	-		-		-	-
RF1S9630	1.1500	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（836）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²