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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | 晶体管类型 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ALD910023SAL | 5.0400 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD910023 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1263-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道(双) | ||||||||||||
![]() | Ald111933sal | 5.1400 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD111933 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD810020SCL | 4.7958 | ![]() | 2200 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810020 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1273-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
![]() | ALD210808SCL | 5.8118 | ![]() | 8523 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD210808 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD212908PAL | 5.6826 | ![]() | 7632 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD210814PCL | 6.3498 | ![]() | 4240 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | - | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD210814 | MOSFET (金属 o化物) | - | 16-PDIP | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | Ald111933mal | - | ![]() | 8828 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 过时的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-tssop,8-msop(0.118英寸,3.00mm宽度) | ALD111933 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1050 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212914SAL | 6.6728 | ![]() | 4033 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD212914 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD1106PBL | 6.6500 | ![]() | 634 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 14 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD1106 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 14-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1012 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212902PAL | 5.6826 | ![]() | 5658 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212902 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD111910PAL | - | ![]() | 4901 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | ALD111910 | - | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1220 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
![]() | ALD212908SAL | 5.6228 | ![]() | 5921 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD212908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD110908PAL | 5.7472 | ![]() | 9978 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD110908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1040 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.8V | 820mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212900SAL | 5.6228 | ![]() | 7016 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD212900 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1209 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | 14OHM | 20mv @ 20µA | - | 30pf @ 5V | 逻辑级别门 | |||||
![]() | ALD110804PCL | 6.5006 | ![]() | 6154 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD110804 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1022 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.4V | 420mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212900APAL | 7.9200 | ![]() | 1494 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212900 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1215 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | 14OHM | 10MV @ 20µA | - | 30pf @ 5V | 逻辑级别门 | |||||
![]() | ALD210814SCL | 5.7256 | ![]() | 8896 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD210814 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | Ald111910sal | - | ![]() | 9116 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 过时的 | - | - | - | ALD111910 | MOSFET (金属 o化物) | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1221 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||
ALD310708SCL | 6.9700 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD310708 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1299 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道,匹配对 | 8V | - | - | 780mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD1106SBL | 6.0100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD1106 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1013 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD210804PCL | 6.3498 | ![]() | 7102 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD210804 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD1107SBL | 6.0100 | ![]() | 94 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD1107 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 14-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道,匹配对 | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | ||||||
![]() | Ald1117sal | 4.2600 | ![]() | 574 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | Ald1117 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1049 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(p 通道(双) | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
![]() | Ald110908asal | 6.3400 | ![]() | 2357 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD110908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1039 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.8V | 810mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110808APCL | 9.9446 | ![]() | 5951 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD110808 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1024 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.8V | 810mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
ALD310704SCL | 6.0054 | ![]() | 9339 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD310704 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1295 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道,匹配对 | 8V | - | - | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD110900SAL | 5.0300 | ![]() | 386 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD110900 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1033 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
ALD310704ASCL | 7.4692 | ![]() | 5036 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD310704 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1294 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道,匹配对 | 8V | - | - | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | Ald1116sal | 4.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD1116 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1047 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD110900PAL | 6.4900 | ![]() | 53 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD110900 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1032 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - |
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