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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | (amp) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | 晶体管类型 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Ald1108ESCL | 5.2920 | ![]() | 7993 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD1108 | MOSFET (金属 o化物) | 600MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1.01V @ 1µA | - | 25pf @ 5V | - | ||||||
ALD310700ASCL | 7.4692 | ![]() | 7722 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD310700 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1286 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道,匹配对 | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | Ald1101apal | 9.8096 | ![]() | 3107 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD1101 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1000 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD212908APAL | 8.6100 | ![]() | 1848年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD212904SAL | 5.6228 | ![]() | 1634年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD212904 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD212904PAL | 5.6826 | ![]() | 2870 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212904 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD1101PAL | 8.2700 | ![]() | 100 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD1101 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1002 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
![]() | ALD210802PCL | 6.3498 | ![]() | 1824年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD210802 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
![]() | ALD110908APAL | 7.8996 | ![]() | 4117 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD110908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1038 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 4.8V | 810mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD114904PAL | 5.8118 | ![]() | 4355 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD114904 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1063 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 12mA,3mA | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
![]() | ALD810017SCL | 4.7958 | ![]() | 5863 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810017 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1270-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
![]() | ALD810019SCL | 4.7958 | ![]() | 3693 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810019 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1272-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
![]() | ALD810019SCLI | 6.4700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810019 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 25 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
![]() | ALD810021SCLI | 5.5750 | ![]() | 5512 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810021 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
![]() | Ald910018Sali | 5.3628 | ![]() | 3542 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD910018 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道(双) | |||||||||||||
![]() | Ald910019Sali | 5.3628 | ![]() | 2632 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD910019 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道(双) | |||||||||||||
![]() | Ald910020Sali | 5.3628 | ![]() | 1692年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD910020 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道(双) | |||||||||||||
![]() | Ald910024Sali | 5.3628 | ![]() | 8228 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD910024 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道(双) | |||||||||||||
![]() | ALD810024SCL | 4.7958 | ![]() | 8235 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810024 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1258-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
![]() | ALD910023SAL | 5.0400 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD910023 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1263-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道(双) | ||||||||||||
![]() | ALD111933PAL | 5.7644 | ![]() | 7667 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD111933 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1051 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | ALD114835PCL | 7.8996 | ![]() | 4717 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 16 浸(0.300英寸,7.62mm) | ALD114835 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1059 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 12mA,3mA | 540OHM @ 0v | 3.45V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
![]() | ALD810026SCLI | 5.8548 | ![]() | 4345 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810026 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
![]() | ALD110800ASCL | 8.6000 | ![]() | 436 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD110800 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1017 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
![]() | Ald1116sal | 4.2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD1116 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1047 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
![]() | Ald111933sal | 5.1400 | ![]() | 250 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | ALD111933 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD810020SCL | 4.7958 | ![]() | 2200 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD810020 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1273-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
![]() | ALD212908PAL | 5.6826 | ![]() | 7632 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 通过洞 | 8 点点(0.300英寸,7.62mm) | ALD212908 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2(n n 通道(双) | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
ALD310704SCL | 6.0054 | ![]() | 9339 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD310704 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1014-1295 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道,匹配对 | 8V | - | - | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
![]() | ALD210808SCL | 5.8118 | ![]() | 8523 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®,零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | ALD210808 | MOSFET (金属 o化物) | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道,匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 |
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