晶体管(4003)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 测试	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电阻器 - 基极 (R1)	电阻器 - 发射极基极 (R2)
BSS84AKM，315	-	询价	第1687章	恩智浦	汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	SC-101、SOT-883			MOSFET（金属O化物）		DFN1006-3	下载					EAR99	8541.21.0095	1		P沟道					50V	230mA（塔）	10V	7.5欧姆@100mA，10V	2.1V@250μA	5V时为0.35nC	±20V	36pF@25V	-	340mW（Ta），2.7W（Tc）
BUK9515-60E,127	-	询价	7879	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	山毛洼95		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	54A（温度）	5V、10V	13毫欧@15A，10V	2.1V@1mA	20.5nC@5V	±10V	2651pF@25V	-	96W（温度）
MRF6P24190HR6	-	询价	9448	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	NI-1230	MRF6	2.39GHz	LDMOS		NI-1230	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行	935321194128	EAR99	8541.29.0075	150			-	1.9安	40W	14分贝											-			28V
MRF8S18260HSR5	-	询价	5901	恩智浦	-	管子	SIC停产	65V		安装结构	SOT-1110B	MRF8	1.81GHz	LDMOS		NI1230S-8	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50	双重的		-	1.6安	74W	17.9分贝											-			30V
PMV65UNE,215	-	询价	1184	恩智浦	*	大部分	的积极					PMV65		-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1															-
BLF8G22L-160BV,118	-	询价	6769	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极			安装结构	SOT-1120B	BLF8G22	-	-		CDFM6	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	100	-		-		-	-											-
PEMD3,315	-	询价	7626	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SOT-563、SOT-666	PEMD3			300毫W	SOT-666	下载					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100毫安		1微安	1 NPN、1 PNP - 预偏置（双）	150mV@500μA，10mA	30@5mA，5V	-	10k欧姆	10k欧姆
BC635-16,126	-	询价	4674	恩智浦	-	胶带和盒子 (TB)	过时的		150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头	BC63			830毫W	TO-92-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	2,000																		45V	1A		100nA（ICBO）	NPN	500毫伏@50毫安，500毫安	100@150mA，2V	180兆赫
PDTA124EM，315	0.0300	询价	130	恩智浦	*	大部分	的积极					PDTA124					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	10,000
BC847BV,315	1.0000	询价	5101	恩智浦	*	大部分	的积极										下载						0000.00.0000	1
BUK9E4R9-60E,127	-	询价	3068	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA	布克9		MOSFET（金属O化物）		I2PAK	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					60V	100A（温度）	5V、10V	4.5毫欧@25A，10V	2.1V@1mA	65nC@5V	±10V	9710pF@25V	-	234W（温度）
PHP71NQ03LT,127	-	询价	4406	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	PHP71		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					30V	75A（温度）	5V、10V	10毫欧@25A，10V	2.5V@1mA	13.2nC@5V	±20V	1220pF@25V	-	120W（温度）
MRF5S21130HR5	-	询价	7804	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	SOT-957A	MRF5	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		NI-880H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	50			-	1.2A	28W	13.5分贝											-			28V
PUMD48,125	-	询价	3841	恩智浦	*	大部分	的积极					PUMD48					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
IRF530N,127	-	询价	7818	恩智浦	TrenchMOS™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3	IRF53		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	17A（温度）	10V	110毫欧@9A，10V	4V@1mA	40nC@10V	±20V	633pF@25V	-	79W（温度）
MRF6S27085HR5	-	询价	5305	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	SOT-957A	MRF6	2.66GHz	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	900毫安	20W	15.5分贝											-			28V
PMN15UN115	0.1400	询价	9	恩智浦	-	大部分	的积极		-	表面贴装	SC-74、SOT-457			MOSFET（金属O化物）		SC-74	-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	3,000		N沟道					30V	8A（温度）		-	-				-	-
MRFG35010NR5	-	询价	4367	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	15V			PLD-1.5	MRFG35	3.55GHz	pHEMT场效应管		PLD-1.5	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	180毫安	9W	10分贝											-			12V
PHP45NQ11T,127	0.4100	询价	11	恩智浦	*	管子	的积极					PHP45					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,000
MRF5S19090HSR3	-	询价	7876	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	65V			NI-780S	MRF5	1.93GHz～1.99GHz	LDMOS		NI-780S	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		5A991G	8541.29.0075	250			-	850毫安	18W	14.5分贝											-			28V
PH5830DL,115	0.2200	询价	106	恩智浦	*	大部分	的积极										-						0000.00.0000	1
MRF5S9150HR5	-	询价	2289	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的	68V		安装结构	SOT-957A	MRF5	880兆赫	LDMOS		NI-780H-2L	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	50			-	1.5A	33W	19.7分贝											-			28V
BUK653R5-55C	1.0000	询价	7599	恩智浦	*	大部分	的积极										-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
PDTC143XEF,115	-	询价	8858	恩智浦	-	卷带式 (TR)	过时的			表面贴装	SC-89、SOT-490	PDTC143			250毫W	SC-89	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	4,000																		50V	100毫安		1微安	NPN - 预偏置	100mV@500μA，10mA	50@10mA，5V		4.7欧姆	10欧姆
PBSS5140U,135	0.0500	询价	13	恩智浦	-	大部分	的积极		150°C（太焦）	表面贴装	SC-70、SOT-323				350毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0075	5,793																		40V	1A		100纳安	国民党	500mV@100mA，1A	300@100mA，5V	150兆赫
PSMN5R6-100XS,127	-	询价	3010	恩智浦	-	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3全封装，隔离片	PSMN5		MOSFET（金属O化物）		TO-220F	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50		N沟道					100伏	61.8A（温度）	10V	5.6毫欧@15A，10V	4V@1mA	145nC@10V	±20V	8061pF@50V	-	60W（温度）
PSMN5R9-30YL,115	-	询价	6195	恩智浦	TrenchMOS™	卷带式 (TR)	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	SC-100、SOT-669	PSMN5		MOSFET（金属O化物）		LFPAK56，电源-SO8	-	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1,500人		N沟道					30V	78A（温度）	4.5V、10V	6.1毫欧@20A，10V	2.15V@1mA	10V时为21.3nC	±20V	1226pF@15V	-	63W（温度）
PMP4501V，115	1.0000	询价	1066	恩智浦	*	大部分	的积极					项目管理计划4					下载	符合ROHS3标准		REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	4,000
PDTA113EU,115	0.0200	询价	第430章	恩智浦	-	大部分	的积极			表面贴装	SC-70、SOT-323	PDTA113			200毫W	SOT-323	下载					EAR99	8541.21.0095	1																		50V	100毫安		1微安	PNP - 预偏置	150mV@1.5mA、30mA	30@40mA，5V		1欧姆	1欧姆
MRFE8VP8600HSR5	155.8210	询价	3586	恩智浦	-	卷带式 (TR)	的积极	115V		安装结构	NI-1230-4S	MRFE8	860兆赫	LDMOS		NI-1230-4S	-	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	935345546178	EAR99	8541.29.0075	50			20微安	1.4A	140W	21分贝											-			50V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

晶体管(4003)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²