RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（4003）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
AFT09MS007NT1	4.5800	RFQ	2	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	30 V		表面安装	PLD-1.5W	AFT09	870MHz	ldmos		PLD-1.5W	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			-	100 ma	7.3W	15.2db											-			7.5 v
ON5449,518	-	RFQ	2421	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5449	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935288031518	Ear99	8541.29.0095	600	-		-		-	-											-
MRF9045LR1	-	RFQ	9782	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	NI-360	MRF90	945MHz	ldmos		NI-360	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	500			-	350 MA	45W	18.8db											-			28 V
PHD22NQ20T，118	-	RFQ	7617	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PHD22		MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					200 v	21.1a（TC）	10V	120mohm @ 12a，10v	4V @ 1mA	30.8 NC @ 10 V	±20V	1380 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BSP126,115	-	RFQ	7230	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BSP1					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000
PDTC124EE，115	-	RFQ	9408	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416	PDTC124			150兆	SC-75	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																		50 V	100 ma		1µA	npn-预先偏见	150MV @ 500µA，10mA	60 @ 5mA，5V	22 KOHMS	22 KOHMS
BLF8G09LS-400PGWQ	80.1400	RFQ	29	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的	65 v		底盘安装	SOT-1242C		718.5MHz〜725.5MHz	ldmos		CDFM8	下载					Ear99	8541.29.0075	4	双重，共同来源		-	3.4 a	95W	20.6dB											-			28 V
BUK764R3-40B，118	-	RFQ	7936	NXP USA Inc.	Trenchmos™	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	Buk76		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道					40 V	75A（TC）	10V	4.3mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4824 PF @ 25 V	-	254W（TC）
MRFE6VP8600HSR5	-	RFQ	3050	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	130 v		底盘安装	NI-1230S	MRFE6	860MHz	ldmos		NI-1230S	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		5A991G	8541.29.0075	50	双重的		-	1.4 a	125W	19.3db											-			50 V
BLF4G10LS-1220,112	-	RFQ	6038	NXP USA Inc.	-	托盘	过时的	65 v		底盘安装	SOT-502B	BLF4	920MHz〜960MHz	ldmos		SOT502B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	20			12a	650 MA	48W	19db											-			28 V
BUK7Y25-40B/C3115	-	RFQ	9326	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1,500
MRF7S19170HSR5	-	RFQ	7511	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		表面安装	NI-880S	MRF7	1.99GHz	ldmos		NI-880S	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	50			-	1.4 a	50W	17.2db											-			28 V
MRF24G300HSR5	136.8900	RFQ	153	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125 v		表面安装	NI-780S-4L	MRF24	2.4GHz〜2.5GHz	MOSFET		NI-780S-4L	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50	2 n 通道（双）		-		300W	15.3db											-			48 v
BC848B/DG/B4215	0.0200	RFQ	3047	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	6,000
AFT23H201-24SR6	-	RFQ	4541	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v		底盘安装	ACP-1230S-4L2L	AFT23	2.3GHz〜2.4GHz	ldmos		ACP-1230S-4L2L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	935320889128	Ear99	8541.29.0075	150			10µA	500 MA	210W	15.6dB											-			28 V
BC859CW/ZL115	0.0200	RFQ	280	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BLF6G10LS-135RN112	76.1800	RFQ	92	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	4
A5G38H045N-3700	337.5000	RFQ	4488	NXP USA Inc.	-	大部分	积极的			表面安装	6-dlfn暴露垫		-	-		6-PDFN （7x6.5）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1	-		-		5W	-											-
A3T18H408W24SR3	-	RFQ	8075	NXP USA Inc.	*	胶带和卷轴（（tr）	过时的					A3T18					下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250
BFU550XR215	1.0000	RFQ	5363	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	3,000
BF904AR，215	-	RFQ	4053	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	7 V		表面安装	SOT-143R	BF904	200MHz	MOSFET		SOT-143R	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n通道双门		30mA	10 MA	-	-											1dB			4 V
MRFE6S9060GNR1	35.5106	RFQ	7979	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	66 v		表面安装	TO-270BB	MRFE6	880MHz	ldmos		TO-270 WB-4	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	935310336528	Ear99	8541.29.0075	500			-	450 MA	14W	21.1db											-			28 V
ON5453,518	-	RFQ	9390	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				-	ON5453	-	-		-	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	934063299518	Ear99	8541.29.0095	2,000	-		-		-	-											-
PMST3904,135	-	RFQ	2685	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					PMST3					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	10,000
PMV185XN，215	-	RFQ	7131	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PMV1		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23（TO-236AB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	1.1A（TA）	2.5V，4.5V	250MOHM @ 1.1A，4.5V	1.5V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	±12V	76 pf @ 15 V	-	325MW（TA），1.275W（TC）
PSMN4R3-80ES，127	1.1900	RFQ	540	NXP USA Inc.	*	管子	积极的					PSMN4					下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
BUK953R5-60E，127	0.9000	RFQ	2	NXP USA Inc.	汽车，AEC-Q101，Trenchmos™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道					60 V	120a（ta）		3.4mohm @ 25a，10v	2.1V @ 1mA	95 NC @ 5 V	±10V	13490 pf @ 25 V	-	293W（ta）
MRF18085BLR3	-	RFQ	2443	NXP USA Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	65 v			NI-780	MRF18	1.93GHZ〜1.99GHz	ldmos		NI-780	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	250			-	800 MA	90W	12.5db											-			26 V
BCX52,115	0.0700	RFQ	17	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的					BCX52					-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000
BLF7G22L-130112	80.9000	RFQ	21	NXP USA Inc.	*	大部分	积极的										-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		5A991G	8541.29.0075	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（4003）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²