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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 额定电压 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 频率 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 场效应管类型 额定电流(安培) 当前-测试 功率-输出 获得 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 噪声系数 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电压 - 测试 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 电阻 - RDS(On) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
BC817-25QA147 NXP USA Inc. BC817-25QA147 0.0300
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ECAD 134 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 BC817 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 1
PMST3906,135 NXP USA Inc. PMST3906,135 0.0200
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ECAD 1006 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 SC-70、SOT-323 200毫W SOT-323 下载 EAR99 8541.21.0075 14,774 40V 200毫安 50nA(ICBO) 国民党 400mV@5mA、50mA 100@10mA,1V 250兆赫
AFT20S015GNR1 NXP USA Inc. AFT20S015GNR1 26.1700
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ECAD 第777章 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 65V 表面贴装 TO-270BA AF20 2.17GHz LDMOS TO-270-2海鸥 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 5A991G 8541.29.0040 500 - 132毫安 1.5W 17.6分贝 - 28V
BUK7C3R1-80EJ NXP USA Inc. BUK7C3R1-80EJ -
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ECAD 8251 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 - 表面贴装 TO-263-7,D²Pak(6引脚+接片) 山毛凹7C3 MOSFET(金属O化物) D2PAK-7 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 934067493118 EAR99 8541.29.0095 800 N沟道 80V - - - - -
PUMD48,115 NXP USA Inc. PUMD48,115 -
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ECAD 7402 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PUMD48 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000
PEMF21,115 NXP USA Inc. 脉冲电磁场​​​​21,115 -
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ECAD 7225 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 脉冲电磁场​​​​2 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 4,000
2N7002T,215 NXP USA Inc. 2N7002T,215 -
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ECAD 5316 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 2N70 MOSFET(金属O化物) SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 60V 300mA(塔) 5V、10V 5欧姆@500mA,10V 2.5V@1mA ±20V 40pF@10V - 830毫W(塔)
PSMN8R5-108ESQ NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ -
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ECAD 4797 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA PSMN8 MOSFET(金属O化物) I2PAK - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 108V 100A(Tj) 10V 8.5毫欧@25A,10V 4V@1mA 111nC@10V ±20V 5512pF@50V - 263W(温度)
PMBFJ111,215 NXP USA Inc. PMBFJ111,215 -
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ECAD 8652 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 PMBFJ1 300毫W SOT-23 (TO-236AB) 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 N沟道 40V 6pF @ 10V (VGS) 40V 20毫安@15伏 10V@1μA 30欧姆
MRF1570NT1 NXP USA Inc. MRF1570NT1 -
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ECAD 5432 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 40V 安装结构 TO-272-8 MRF15 470兆赫 LDMOS TO-272-8 绕线 下载 不符合 RoHS 指令 1(无限制) REACH 不出行 935313761528 EAR99 8541.21.0075 500 - 800毫安 70W 11.5分贝 - 12.5V
BCP56-10115 NXP USA Inc. BCP56-10115 1.0000
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ECAD 5217 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 EAR99 8541.29.0075 1
MRF5S4140HR5 NXP USA Inc. MRF5S4140HR5 -
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ECAD 4227 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 65V 安装结构 SOT-957A MRF5 465兆赫 LDMOS NI-780H-2L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 - 1.25安 28W 21分贝 - 28V
BUK98150-55,135 NXP USA Inc. BUK98150-55,135 -
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ECAD 2989 0.00000000 恩智浦 TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 山毛洼98 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 55V 5.5A(温度) 5V 150mOhm@5A,5V 2V@1mA ±10V 330pF@25V - 8.3W(温度)
PBHV9560Z115 NXP USA Inc. PBHV9560Z115 1.0000
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ECAD 4271 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1,000
MRF8S9102NR3 NXP USA Inc. MRF8S9102NR3 -
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ECAD 2105 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 70V 表面贴装 OM-780-2 MRF8 920兆赫 LDMOS OM-780-2 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 250 - 750毫安 28W 23.1分贝 - 28V
A2G26H280-04SR3 NXP USA Inc. A2G26H280-04SR3 -
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ECAD 7593 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 A2G26 - 符合ROHS3标准 REACH 不出行 935318614128 0000.00.0000 250
BC807-16/6215 NXP USA Inc. BC807-16/6215 0.0200
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ECAD 第339章 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 3,000
BCX71K,215 NXP USA Inc. BCX71K,215 0.0200
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ECAD 19 0.00000000 恩智浦 汽车,AEC-Q101 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 250毫W SOT-23 下载 EAR99 8541.21.0075 1 45V 100毫安 20nA(ICBO) 国民党 550mV@1.25mA、50mA 380@2mA,5V 100兆赫兹
BF370,112 NXP USA Inc. BF370,112 -
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ECAD 第1465章 0.00000000 恩智浦 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BF370 500毫W TO-92-3 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 1,000 15V 100毫安 400nA(ICBO) NPN - 40@10mA,1V 500兆赫
MRFE6VP61K25NR6 NXP USA Inc. MRFE6VP61K25NR6 182.7500
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ECAD 1 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 表面贴装 OM-1230-4L MRFE6 230兆赫 LDMOS OM-1230-4L 下载 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 150 双重的 - 100毫安 1250W 23分贝 - 50V
MRF6V3090NR1 NXP USA Inc. MRF6V3090NR1 -
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ECAD 4392 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 110V 表面贴装 TO-270AB MRF6 860兆赫 LDMOS TO-270 WB-4 - 符合ROHS3标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 500 - 350毫安 18W 22分贝 - 50V
MMRF1310HR5 NXP USA Inc. MMRF1310HR5 115.0100
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ECAD 50 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 的积极 133伏 安装结构 NI-780-4 MMRF1310 230兆赫 LDMOS NI-780-4 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0075 50 双重的 - 100毫安 300W 26.5分贝 - 50V
BUK98150-55A,135 NXP USA Inc. BUK98150-55A,135 -
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ECAD 8411 0.00000000 恩智浦 汽车、AEC-Q101、TrenchMOS™ 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA 山毛洼98 MOSFET(金属O化物) SC-73 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 4,000 N沟道 55V 5.5A(温度) 4.5V、10V 137毫欧@5A,10V 2V@1mA 5.3nC@5V ±15V 320pF@25V - 8W(温度)
PBSS4260QA147 NXP USA Inc. PBSS4260QA147 -
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ECAD 5606 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0075 5,000
PSMN050-80PS,127 NXP USA Inc. PSMN050-80PS,127 -
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ECAD 2962 0.00000000 恩智浦 - 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 PSMN0 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 50 N沟道 80V 22A(温度) 10V 51mOhm@10A,10V 4V@1mA 11nC@10V ±20V 633pF@12V - 56W(温度)
BLF7G22L-130112 NXP USA Inc. BLF7G22L-130112 80.9000
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ECAD 21 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 5A991G 8541.29.0075 1
CA/JCOP/MF4K/4B-UZ NXP USA Inc. CA/JCOP/MF4K/4B-UZ -
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ECAD 8812 0.00000000 恩智浦 * 大部分 过时的 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 过时的 0000.00.0000 1
PVR100AD-B12V,115 NXP USA Inc. PVR100AD-B12V,115 -
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ECAD 7991 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 150°C(太焦) 表面贴装 SC-74、SOT-457 个人录像10 300毫W SC-74 - 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.21.0095 3,000 45V 100毫安 100nA(ICBO) NPN + 齐纳二极管 - 160@100mA,1V -
PMMT491A,215 NXP USA Inc. PMMT491A,215 0.0400
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ECAD 21 0.00000000 恩智浦 * 大部分 的积极 PMMT4 下载 符合ROHS3标准 REACH 不出行 EAR99 8541.21.0075 3,000
PMG45UN,115 NXP USA Inc. PMG45UN,115 -
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ECAD 4179 0.00000000 恩智浦 - 卷带式 (TR) 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 6-TSSOP、SC-88、SOT-363 永磁G45 MOSFET(金属O化物) 6-TSSOP 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 8541.29.0095 3,000 N沟道 20V 3A(塔) 55mOhm@3A,4.5V 1V@250μA 3.3nC@4.5V 184pF@10V - 375mW(Ta),4.35W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库