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晶体管（（427）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
CSD17552Q5A	1.0900	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17552	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（17a）（60a）（60a）TC）	4.5V，10V	6.2MOHM @ 15a，10v	1.9V @ 250µA	12 nc @ 4.5 V	±20V	2050 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
CSD13385F5T	0.9600	RFQ	23	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD13385	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		12 v	4.3a（ta）	1.8V，4.5V	19mohm @ 900mA，4.5V	1.2V @ 250µA	5 NC @ 4.5 V	8V	674 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
SN75468NS	-	RFQ	7870	Texas Instruments	SN7546X	大部分	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm）	SN75468		-	16件事	-	rohs3符合条件			296-SN75468NS			1														100V	500mA	-	-	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD17483F4T	0.9400	RFQ	9	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD17483	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		n通道		30 V	1.5A（TA）	1.8V，4.5V	240mohm @ 500mA，8v	1.1V @ 250µA	1.3 NC @ 4.5 V	12V	190 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
CSD18537NQ5A	0.9200	RFQ	21	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18537	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	50A（TC）	6V，10V	13mohm @ 12a，10v	3.5V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	1480 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），75W（tc）
CSD87350Q5D	2.7500	RFQ	14	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerldfn	CSD87350Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	8-lson（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）			30V	40a		5.9mohm @ 20a，8v	2.1V @ 250µA	10.9nc @ 4.5V		1770pf @ 15V	逻辑级别门
CSD88584Q5DCT	4.5200	RFQ	6077	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	22-POWERTFDFN	CSD88584Q5	MOSFET （金属 o化物）	12W	22-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250	2 n 通道（半桥）			40V	-		0.95MOHM @ 30a，10V	2.3V @ 250µA	88nc @ 4.5V		12400pf @ 20V	-
CSD23202W10T	1.0000	RFQ	15	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-ufbga，DSBGA	CSD23202	MOSFET （金属 o化物）		4-DSBGA（1x1）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		P通道		12 v	2.2A（ta）	1.5V，4.5V	53mohm @ 500mA，4.5V	900mv @ 250µA	3.8 NC @ 4.5 V	-6V	512 PF @ 6 V	-	1W（ta）
CSD19536KTTT	6.0500	RFQ	468	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19536	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	200a（200a）	6V，10V	2.4MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 50 V	-	375W（TC）
CSD17312Q5	2.3000	RFQ	4	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17312	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	38A（TA），100A （TC）	3V，8V	1.5MOHM @ 35A，8V	1.5V @ 250µA	36 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	5240 pf @ 15 V	-	3.2W（TA）
CSD18563Q5AT	1.6000	RFQ	23	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18563	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		60 V	100A（TA）	4.5V，10V	6.8mohm @ 18a，10v	2.4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1500 pf @ 30 V	-	3.2W（ta），116w（tc）
CSD19503KC	1.7300	RFQ	1377年	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD19503	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		80 V	100A（TA）	6V，10V	9.2MOHM @ 60a，10V	3.4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±20V	2730 PF @ 40 V	-	188W（TC）
CSD17313Q2Q1T	0.8664	RFQ	2	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD173	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	250		n通道		30 V	5A（5A）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.4W（ta），17W（tc）
CSD23381F4	0.4500	RFQ	257	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		12 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	175mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.14 NC @ 4.5 V	-8V	236 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD25480F3T	0.9500	RFQ	43	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD25480	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		20 v	1.7A（TA）	1.8V，8V	132MOHM @ 400mA，8v	1.2V @ 250µA	0.91 NC @ 10 V	-12V	155 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
CSD18540Q5B	2.6700	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD18540	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		60 V	100A（TA）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 28A，10V	2.3V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±20V	4230 PF @ 30 V	-	3.1W（195w（ta）（TC）
CSD17313Q2	0.6600	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD17313	MOSFET （金属 o化物）		6-wson（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	5A（TC）	3V，8V	30mohm @ 4a，8v	1.8V @ 250µA	2.7 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	340 pf @ 15 V	-	2.3W（ta）
tps1101d	2.6800	RFQ	105	Texas Instruments	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	TPS1101	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	75		P通道		15 v	2.3a（ta）	2.7V，10V	90MOHM @ 2.5A，10V	1.5V @ 250µA	11.25 NC @ 10 V	+2V，-15V		-	791MW（TA）
CSD18510KTTT	2.8300	RFQ	1	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD18510	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	274a（TC）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.3V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 15 V	-	250W（TA）
CSD19505KTT	3.4400	RFQ	142	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-4，d²pak（3 +选项卡），TO-263AA	CSD19505	MOSFET （金属 o化物）		DDPAK/TO-263-3	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		80 V	200a（200a）	6V，10V	3.1MOHM @ 100A，10V	3.2V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	7920 PF @ 40 V	-	300W（TC）
CSD23381F4T	0.9400	RFQ	18	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-XFDFN	CSD23381	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	250		P通道		12 v	2.3a（ta）	1.8V，4.5V	175mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 250µA	1.14 NC @ 6 V	-8V	236 pf @ 6 V	-	500MW（TA）
CSD17585F5	0.4900	RFQ	88	Texas Instruments	FemTofet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	CSD17585	MOSFET （金属 o化物）		3杆菌	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道		30 V	5.9a（ta）	4.5V，10V	27mohm @ 900mA，10v	1.7V @ 250µA	5.1 NC @ 10 V	20V	380 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
ULN2803ADWRG4	-	RFQ	4620	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	18-SOIC（0.295（7.50mm）	ULN2803		-	18-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000														50V	500mA	-	8 npn达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
LM3046MX	-	RFQ	3523	Texas Instruments	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	LM3046		750MW	14-Soic	-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500			-											15V	50mA		5 NPN		40 @ 1mA，3v	-	3.25db @ 1kHz
CSD15571Q2	0.4400	RFQ	7	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫	CSD15571	MOSFET （金属 o化物）		6（2x2）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		20 v	22a（22a）	4.5V，10V	15mohm @ 5A，10V	1.9V @ 250µA	6.7 NC @ 10 V	±20V	419 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
CSD18511KC	1.6900	RFQ	254	Texas Instruments	NexFet™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	CSD18511	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	（194a）（ta）	4.5V，10V	2.6MOHM @ 100A，10V	2.4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	5940 pf @ 20 V	-	188W（ta）
CSD16340Q3	1.2000	RFQ	25	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD16340	MOSFET （金属 o化物）		8-VSON-CLIP 3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		25 v	21a（21a），60a （TC）	2.5V，8V	4.5mohm @ 20a，8v	1.1V @ 250µA	9.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	1350 pf @ 12.5 V	-	（3W）（TA）
CSD17307Q5A	0.8300	RFQ	8	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN	CSD17307	MOSFET （金属 o化物）		8-vsonp （5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	（14A）（ta），73A （TC）	3V，8V	10.5Mohm @ 11a，8v	1.8V @ 250µA	5.2 NC @ 4.5 V	+10V，-8V	700 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
SN75468DE4	-	RFQ	4930	Texas Instruments	汽车，AEC-Q100	管子	在sic中停产	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	75468		-	16-Soic	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	40														100V	500mA	-	7 NPN达灵顿	1.6V @ 500µA，350mA	-	-
CSD22204W	0.6500	RFQ	3	Texas Instruments	NexFet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-Ufbga，DSBGA	CSD22204	MOSFET （金属 o化物）		9-DSBGA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		8 V	5A（5A）	2.5V，4.5V	9.9MOHM @ 2A，4.5V	950mv @ 250µA	24.6 NC @ 4.5 V	-6V	1130 pf @ 4 V	-	1.7W（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（427）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²