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5714）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N4860UB	86.7825	RFQ	5573	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N4860			360兆w		-	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V					18pf @ 10V											30 V	100 ma @ 15 V	6 V @ 500 PA				40欧姆
2N5115UB	52.5483	RFQ	7812	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅	2N5115			500兆		UB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V					25pf @ 15V											30 V	60 ma @ 15 V	6 V @ 1 na				100欧姆
MV2N5116	-	RFQ	6422	微芯片技术	军事，19500年的MIL-PRF	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N5116			500兆		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		P通道		30 V					27pf @ 15V											30 V	25 ma @ 15 V	6 V @ 1 na				100欧姆
MX2N4856UB	68.7743	RFQ	3847	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N4856						-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
MX2N4861	50.8193	RFQ	2285	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/385	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	2N4861			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道		30 V					18pf @ 10V											30 V	80 ma @ 15 V	4 V @ 0.5 NA				60欧姆
APT100GT60JR	-	RFQ	3381	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT100			500 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的											npt	600 v	148 a		2.5V @ 15V，100a							25 µA	不	5.15 nf @ 25 V
APT65GP60L2DQ2G	20.7000	RFQ	2283	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	APT65GP60	标准		833 w			下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，65A，5OHM，15V									pt	600 v	198 a	250 a	2.7V @ 15V，65a	605µJ（在）上，895µj（（）	210 NC	30NS/90NS
APT75GP120J	43.8700	RFQ	7825	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT75GP120			543 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的											pt	1200 v	128 a		3.9V @ 15V，75a							1 MA	不	7.04 NF @ 25 V
APT75GT120JRDQ3	46.6100	RFQ	6808	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT75GT120			480 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的											npt	1200 v	97 a		3.7V @ 15V，75a							200 µA	不	5.1 NF @ 25 V
APT25GP90BDQ1G	-	RFQ	3982	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT25GP90	标准		417 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，40a，4.3Ohm，15V									pt	900 v	72 a	110 a	3.9V @ 15V，25a	370µJ（OFF）	110 NC	13ns/55ns
APT30GT60BRDQ2G	-	RFQ	5717	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT30GT60	标准		250 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V								22 ns	npt	600 v	64 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	80µJ（在）上，605µJ（605µJ）	7.5 NC	12NS/225NS
APT50GT60BRDQ2G	11.2700	RFQ	172	微芯片技术	Thunderboltigbt®	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT50GT60	标准		446 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			400V，50A，5OHM，15V								22 ns	npt	600 v	110 a	150 a	2.5V @ 15V，50a	995µJ（在）上，1070µj（（）	240 NC	14NS/240NS
APT200GN60J	37.2200	RFQ	5213	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	同位素	APT200			682 w	标准	isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的											沟渠场停止	600 v	283 a		1.85V @ 15V，200a							25 µA	不	14.1 NF @ 25 V
APT35GA90BD15	6.4400	RFQ	3769	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	APT35GA90	标准		290 w		TO-247 [B]	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，18a，10ohm，15V									pt	900 v	63 a	105 a	3.1V @ 15V，18A	（642µJ）（在），382µJ（（（（（）	84 NC	12NS/104NS
2N6231	39.3148	RFQ	1973	微芯片技术	*	大部分	积极的				2N6231						-	Rohs不合规		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
JANSF2N3439U4	413.4420	RFQ	2395	微芯片技术	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				800兆		U4	-			到达不受影响	150-JANSF2N3439U4			1													350 v	1 a									2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
JANSR2N3440U4/tr	-	RFQ	8481	微芯片技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	表面安装	3-SMD，没有铅				800兆		U4	-	rohs3符合条件		到达不受影响	150-JANSR2N3440U4/tr	Ear99	8541.21.0095	1													250 v	1 a									2µA				NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	-
2N2896	17.3831	RFQ	2494	微芯片技术	-	包	积极的	-	通过洞	TO-206AA，TO-18-3				1.8 w		TO-18（（TO-206AA）	-		（1 （无限）	到达不受影响	2N2896MS	Ear99	8541.29.0075	1													90 v	1 a									10NA（ICBO）				NPN	600mv @ 15mA，150mA	60 @ 150mA，10V	120MHz
APTGLQ50DA65T3G	65.5300	RFQ	1351	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ50			175 w	标准		下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	双提升斩波器											沟渠场停止	650 v	70 a		2.3V @ 15V，50a							50 µA	是的	3.1 NF @ 25 V
APTGT50H60RT3G	83.9900	RFQ	3383	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	底盘安装	SP3	APTGT50			176 w	单相桥梁整流器	SP3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	完整的桥梁逆变器											沟渠场停止	600 v	80 a		1.9V @ 15V，50a							250 µA	是的	3.15 NF @ 25 V
MV2N4092	70.7693	RFQ	9741	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/431	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3	MV2N4092			360兆w		TO-18（（TO-206AA）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1		n通道		40 V					16pf @ 20V											40 V	15 ma @ 20 V					50欧姆
2N5545	36.4200	RFQ	5376	微芯片技术	*	大部分	积极的										-			到达不受影响	150-2N5545			1
2N4393	18.2875	RFQ	5710	微芯片技术	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	通过洞	-	2N4393			1.8 w		TO-18	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	2N4393MS	Ear99	8541.29.0095	1		n通道							14pf @ 20V											40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na				100欧姆
MSCSM170DUM15T3AG	258.3900	RFQ	4	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM170		（SIC）	862W（TC）		SP3F	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM170DUM15T3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共来源			1700V（（1.7kV）	181a（TC）	15mohm @ 90a，20v	3.2V @ 7.5mA	534NC @ 20V	9900pf @ 1000V	-
APTGLQ25H120T1G	63.7700	RFQ	4005	微芯片技术	-	大部分	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	APTGLQ25			165 w	标准	SP1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	全桥											沟渠场停止	1200 v	50 a		2.42V @ 15V，25a							50 µA	是的	1.43 NF @ 25 V
JANTXV2N2905	21.5061	RFQ	7879	微芯片技术	军事，MIL-PRF-19500/290	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3				800兆		TO-39（（TO-205AD）	-			到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1													60 V	1 µA									1µA				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
MSCSM120AM11CT3AG	387.2000	RFQ	9389	微芯片技术	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	MSCSM120		（SIC）	1.067kW（TC）		SP3F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	150-MSCSM120AM11CT3AG	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（相腿）			1200V（1.2kV）	254a（TC）	10.4mohm @ 120A，20V	2.8V @ 3mA	696nc @ 20V	9060pf @ 1000V	-
APT100GN120JDQ4	55.6400	RFQ	4345	微芯片技术	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT100			446 w	标准	isotop®	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的											沟渠场停止	1200 v	153 a		2.1V @ 15V，100a							200 µA	不	6.5 nf @ 25 V
2N5597	43.0350	RFQ	8538	微芯片技术	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2				20 w		TO-66（TO-213AA）	-			到达不受影响	150-2N5597	Ear99	8541.29.0095	1													60 V	2 a									-				PNP	-	-	-
apt6010jll	39.8500	RFQ	9820	微芯片技术	PowerMos7®	管子	积极的		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	APT6010		MOSFET （金属 o化物）			isotop®	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	47A（TC）	100mohm @ 23.5a，10v	5V @ 2.5mA	150 NC @ 10 V	6710 PF @ 25 V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

5714）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²