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晶体管（（3592）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
RD3P130SPFRATL Rohm Semiconductor RD3P130SPFRATL 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RD3P130 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 100 v 13A（TA） 4V，10V 200mohm @ 6.5a，10v 2.5V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 20W（TC）
RE1L002SNTL Rohm Semiconductor RE1L002SNTL 0.4000
RFQ
 ECAD 52 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 SC-89，SOT-490 RE1L002 MOSFET （金属 o化物） EMT3F（SOT-416FL） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 250mA（ta） 10V 2.4OHM @ 250mA，10V 2.3V @ 1mA ±20V 15 pf @ 25 V - 150MW（TA）
RF6E045AJTCR Rohm Semiconductor RF6E045AJTCR 0.6300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RF6E045 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 4.5A（ta） 4.5V 23.7MOHM @ 4.5A，4.5V 1.5V @ 1mA 8.1 NC @ 4.5 V ±12V 900 pf @ 15 V - 1W（TC）
RGPR30BM40HRTL Rohm Semiconductor RGPR30BM40HRTL 0.8260
RFQ
 ECAD 2776 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 RGPR30 标准 125 w TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 300V，8A，100OHM，5V - 430 v 30 a 2.0V @ 5V，10a - 22 NC 500NS/4µs
R8008ANX Rohm Semiconductor R8008anx 3.3082
RFQ
 ECAD 4350 0.00000000 Rohm半导体 - 大部分 不适合新设计 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R8008 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 500 n通道 800 v 8a（8a） 10V 1.03OHM @ 4A，10V 5V @ 1mA 39 NC @ 10 V ±30V 1080 pf @ 25 V - 50W（TC）
RSH100N03TB1 Rohm Semiconductor RSH100N03TB1 0.4998
RFQ
 ECAD 7702 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 - 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RSH100 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 10a（10a） 4V，10V 13.3mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 20 nc @ 5 V ±20V 1070 pf @ 10 V - 2W（TA）
SH8M24TB1 Rohm Semiconductor SH8M24TB1 1.6800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） SH8M24 MOSFET （金属 o化物） 2W 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 45V 4.5a，3.5a 46mohm @ 4.5A，10V 2.5V @ 1mA 9.6nc @ 5V 550pf @ 10V -
RSJ450N04TL Rohm Semiconductor RSJ450N04TL 1.2439
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RSJ450 MOSFET （金属 o化物） LPT - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 40 V 45A（TA） 10V 13.5MOHM @ 25A，10V 3V @ 1mA 43 NC @ 10 V ±20V 2400 PF @ 25 V - 50W（TC）
RS1E280GNTB Rohm Semiconductor RS1E280GNTB 1.0000
RFQ
 ECAD 557 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS1E MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 28a（28a） 4.5V，10V 2.6mohm @ 28a，10v 2.5V @ 1mA 36 NC @ 10 V ±20V 2300 pf @ 15 V - （3W）（31W）（31W tc）
RQ3E130MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E130MNTB1 0.5072
RFQ
 ECAD 8762 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E130 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 8.1MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 1mA 14 NC @ 10 V ±20V 840 pf @ 15 V - 2W（TA）
RCJ120N25TL Rohm Semiconductor RCJ120N25TL 0.9561
RFQ
 ECAD 3173 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB RCJ120 MOSFET （金属 o化物） LPT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 1,000 n通道 250 v 12A（TC） 10V 235mohm @ 6a，10v 5V @ 1mA 35 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 1.56W（ta），107W（tc）
QH8KB6TCR Rohm Semiconductor QH8KB6TCR 1.1100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 QH8KB6 MOSFET （金属 o化物） 1.1W（TA） TSMT8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2 n 通道（双） 40V 8a（8a） 17.7MOHM @ 8A，10V 2.5V @ 1mA 10.6nc @ 10V 530pf @ 20V -
RGSX5TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65EHRC11 11.7500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 116 ns 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.44MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
RGSX5TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGSX5TS65HRC11 8.9300
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 不适合新设计 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGSX5TS65 标准 404 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGSX5TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V，75A，10欧姆，15V 沟渠场停止 650 v 114 a 225 a 2.15V @ 15V，75a 3.32MJ（在）上，1.9MJ off） 79 NC 43ns/113ns
2SCR563F3TR Rohm Semiconductor 2SCR563F3TR 0.9000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-udfn裸露的垫子 1 w HUML2020L3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 50 V 6 a 1µA（ICBO） NPN 350mv @ 150mA，3a 180 @ 500mA，3v 200MHz
R6520ENXC7G Rohm Semiconductor R6520ENXC7G 5.3400
RFQ
 ECAD 987 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6520 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6520ENXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 20A（TA） 10V 205mohm @ 9.5A，10V 4V @ 630µA 61 NC @ 10 V ±20V 1400 pf @ 25 V - 68W（TC）
R6020KNXC7G Rohm Semiconductor R6020knxc7g 4.9000
RFQ
 ECAD 775 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6020 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6020knxc7g Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 20A（TA） 10V 196mohm @ 9.5a，10V 5V @ 1mA 40 NC @ 10 V ±20V 1550 pf @ 25 V - 68W（TC）
R6524KNXC7G Rohm Semiconductor R6524knxc7g 5.5800
RFQ
 ECAD 990 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 R6524 MOSFET （金属 o化物） TO-220FM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-R6524KNXC7G Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（24A） 10V 185mohm @ 11.3a，10v 5V @ 750µA 45 NC @ 10 V ±20V 1850 pf @ 25 V - 74W（TC）
RRS090P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS090P03HZGTB 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RRS090 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 9a（9a） 4V，10V 15.4mohm @ 9a，10v 2.5V @ 1mA 30 NC @ 5 V ±20V 3000 pf @ 10 V - 2W（TA）
SCT2280KEHRC11 Rohm Semiconductor SCT2280KeHRC11 15.1500
RFQ
 ECAD 450 0.00000000 Rohm半导体 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 SCT2280 sicfet （碳化硅） TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-SCT2280KEHRC11 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 14A（TC） 18V 364mohm @ 4a，18v 4V @ 1.4mA 36 NC @ 400 V +22V，-6V 667 PF @ 800 V - 108W（TC）
RGW80TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGW80TS65HRC11 6.9900
RFQ
 ECAD 5388 0.00000000 Rohm半导体 - 管子 积极的 -40°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 RGW80 标准 214 w TO-247N 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RGW80TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V，20a，10ohm，15V 沟渠场停止 650 v 80 a 160 a 1.9V @ 15V，40a 110 NC 42NS/148NS
RQ3G110ATTB Rohm Semiconductor RQ3G110ATTB 1.6100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3G110 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V （11a）（ta），35a（tc） 4.5V，10V 12.4mohm @ 11a，10v 2.5V @ 1mA 46 NC @ 10 V ±20V 2750 pf @ 20 V - 2W（TA）
R6511KND3TL1 Rohm Semiconductor R6511knd3tl1 2.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 R6511 MOSFET （金属 o化物） TO-252 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 11A（TC） 10V 400MOHM @ 3.8A，10V 5V @ 320µA 22 NC @ 10 V ±20V 760 pf @ 25 V - 124W（TC）
BSS138BKT116 Rohm Semiconductor BSS138BKT116 0.4200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BSS138 MOSFET （金属 o化物） SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 60 V 400mA（TA） 2.5V，10V 680MOHM @ 400mA，10V 2V @ 10µA ±20V 47 pf @ 30 V - 200mw（ta）
RS3E130ATTB1 Rohm Semiconductor RS3E130ATTB1 2.0500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） RS3E MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 30 V 13A（TA） 4.5V，10V 8.5MOHM @ 13A，10V 2.5V @ 2mA 83 NC @ 10 V ±20V 3730 PF @ 15 V - 1.4W（TA）
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002ENHTB1 1.1900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） R6002 MOSFET （金属 o化物） 8-sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 600 v 1.7A（TA） 10V 3.4ohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 6.5 NC @ 10 V ±20V 65 pf @ 25 V - 2W（TA）
RS6G120BGTB1 Rohm Semiconductor RS6G120BGTB1 3.5000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN RS6G MOSFET （金属 o化物） 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 846-RS6G120BGTB1DKR Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 120a（ta） 4.5V，10V 1.34MOHM @ 90A，10V 2.5V @ 1mA 67 NC @ 10 V ±20V 4240 pf @ 20 V - 104W（ta）
RQ3E100BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E100BNTB1 1.0700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E100 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 10a（10A），21a （TC） 4.5V，10V 10.4mohm @ 10a，10v 2.5V @ 1mA 22 NC @ 10 V ±20V 1100 pf @ 15 V - 2W（TA），15W（TC）
RXL035N03TCR Rohm Semiconductor RXL035N03TCR 0.7800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 6-SMD，平坦的铅 RXL035 MOSFET （金属 o化物） Tumt6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 30 V 3.5A（ta） 4V，10V 50mohm @ 3.5A，10V 2.5V @ 1mA 3.3 NC @ 5 V ±20V 180 pf @ 10 V - 910MW（TA）
RQ3E070BNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB1 0.9300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm半导体 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 8-Powervdfn RQ3E070 MOSFET （金属 o化物） 8-hsmt（3.2x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V （7A）（TA），15a （TC） 4.5V，10V 27mohm @ 7a，10v 2.5V @ 1mA 8.9 NC @ 10 V ±20V 410 pf @ 15 V - 2W（TA），13W（tc）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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