RFQ
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6028）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BSS138Q-7-F	0.2900	RFQ	21	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BSS138		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道			50 V	200ma（ta）	10V	3.5OHM @ 220mA，10V	1.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 10 V	-	300MW（TA）
DMG2302UQ-13	0.4000	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG2302		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			20 v	4.2A（ta）	2.5V，4.5V	90MOHM @ 3.6A，4.5V	1V @ 50µA	7 NC @ 4.5 V	±8V	594.3 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMN3023L-13	0.0930	RFQ	8065	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜155°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMN3023		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	DMN3023L-13DI	Ear99	8541.21.0095	10,000		n通道			30 V	6.2a（ta）	2.5V，10V	25mohm @ 4A，10V	1.8V @ 250µA	18.4 NC @ 10 V	±20V	873 PF @ 15 V	-	900MW（TA）
DMN3024SFG-7	0.4100	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMN3024		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	2,000		n通道			30 V	7.5A（ta）	4.5V，10V	23mohm @ 10a，10v	2.4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±25V	479 pf @ 15 V	-	900MW（TA）
DMB54D0UV-7	-	RFQ	9102	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	45V PNP，50V n通道		通用目的	表面安装	SOT-563，SOT-666	DMB54				SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			100mA PNP，160mA n通道																						PNP，N通道
DMN2011UFDF-13	0.4600	RFQ	10	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMN2011		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10,000		n通道			20 v	14.2A（TA）	1.5V，4.5V	9.5MOHM @ 7A，4.5V	1V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±12V	2248 pf @ 10 V	-	2.1W（TA）
DMP4010SK3-13	0.4504	RFQ	1743年	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMP4010		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载		（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			40 V	50A（TC）	4.5V，10V	9.9MOHM @ 9.8A，10V	2.5V @ 250µA	91 NC @ 10 V	±25V	4234 PF @ 20 V	-	3.3W
DMT36M1LPS-13	0.5300	RFQ	2	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMT36		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	65A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±20V	1155 pf @ 15 V	-	2.6W（ta）
DMG6968U-7	0.5300	RFQ	636	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMG6968		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			20 v	6.5A（TA）	1.8V，4.5V	25mohm @ 6.5a，4.5V	900mv @ 250µA	8.5 NC @ 4.5 V	±12V	151 PF @ 10 V	-	1.3W（TA）
DMT8008LFG-7	1.3700	RFQ	1	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMT8008		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道			80 V	（16a）（ta），48a（tc）	4.5V，10V	6.9mohm @ 20a，10v	2.5V @ 1mA	37.7 NC @ 10 V	±20V	2254 PF @ 40 V	-	1W（TA），23.5W（TC）
DGTD65T40S2PT	-	RFQ	8658	二极管合并	-	管子	过时的		-40°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-247-3	DGTD65	标准		230 w	TO-247	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	450				400V，40a，10ohm，15V											60 ns	现场停止	650 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	（500µJ）（在400µJ上）	60 NC	6NS/55NS
DMP3011SFVWQ-7	0.3045	RFQ	6	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMP3011		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI3333-8	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		P通道			30 V	19.8a（ta），50a （TC）	4.5V，10V	10mohm @ 11.5a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	2380 pf @ 15 V	-	980MW（TA）
DMN53D0LT-7	0.3900	RFQ	2	二极管合并	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-523	DMN53		MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载		（1 （无限）	到达不受影响	31-DMN53D0LT-7	Ear99	8541.21.0095	1		n通道			50 V	350mA（ta）	2.5V，10V	1.6ohm @ 500mA，10v	1.5V @ 250µA	0.6 NC @ 4.5 V	±20V	46 pf @ 25 V	-	300MW（TA）
DMN5L06VK-13A	-	RFQ	7186	二极管合并	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-563，SOT-666	DMN5L06		MOSFET （金属 o化物）	250MW	SOT-563	下载				31-DMN5L06VK-13A	Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）				50V	280mA（TA）		2ohm @ 50mA，5v	1.2V @ 250µA	-		50pf @ 25V	-
DMTH4014LDVW-7	0.2426	RFQ	3002	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-Powervdfn	DMTH4014		MOSFET （金属 o化物）	1.16W（TA）	PowerDI3333-8（类型UXD）	下载			到达不受影响	31-DMTH4014LDVW-7TR	Ear99	8541.29.0095	2,000	2 n 通道（双）				40V	10.2A（ta），27.5a tc）		15mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	11.2nc @ 10V		750pf @ 20V	-
DMN2053UFDB-13	0.0912	RFQ	6677	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMN2053		MOSFET （金属 o化物）	820MW（TA）	U-DFN2020-6（B型）	下载			到达不受影响	31-DMN2053UFDB-13TR	Ear99	8541.29.0095	10,000	2 n 通道（双）				20V	4.6a（ta）		35mohm @ 5A，4.5V	1V @ 250µA	7.7nc @ 10V		369pf @ 10V	-
ZXTC6717MCQTA	0.3864	RFQ	5658	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-vdfn暴露垫	ZXTC6717			1.13W	W-DFN3020-8	下载			到达不受影响	31-ZXTC6717MCQTATR	Ear99	8541.29.0075	3,000																	15V，12V	4.5a，4a						100NA	NPN，PNP互补	310mv @ 50mA，4.5a / 310mv @ 150mA，4A	300 @ 200ma，2V / 300 @ 100mA，2V	120MHz，110MHz
DCX114EUQ-13-F	0.0528	RFQ	9872	二极管合并	Automotive，AEC-Q101，DCX（xxxx）u	胶带和卷轴（（tr）	积极的				表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DCX114			200MW	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DCX114EUQ-13-FTR	Ear99	8541.21.0075	10,000																	50V	100mA						500NA（ICBO）	1 npn，1 pnp- 预偏（二）	300mv @ 500µA，10mA	30 @ 5mA，5V	250MHz	10KOHMS	10KOHMS
DMN10H6D2LFDB-7	0.0869	RFQ	8712	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMN10		MOSFET （金属 o化物）	700MW（TA）	U-DFN2020-6（B型）	下载			到达不受影响	31-DMN10H6D2LFDB-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）				100V	270mA（ta）		6ohm @ 190mA，10v	2V @ 1mA	1.2NC @ 10V		41pf @ 50V	-
DMTH8028LFVWQ-13	0.2678	RFQ	6738	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载			到达不受影响	31-DMTH8028LFVWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			80 V	27a（TC）	4.5V，10V	25mohm @ 5A，10V	2.5V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	631 PF @ 40 V	-	1.5W（TA）
DMTH84M1SPS-13	0.8379	RFQ	6708	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	8-POWERTDFN	DMTH84		MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8	下载			到达不受影响	31-DMTH84M1SPS-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			80 V	100A（TC）	6V，10V	4mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	4209 PF @ 40 V	-	1.6W（TA），136w（tc）
DMT6006LK3-13	0.3508	RFQ	7132	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载			到达不受影响	31-DMT6006LK3-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			60 V	88A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 250µA	34.9 NC @ 10 V	±20V	2162 PF @ 30 V	-	3.1W（TA），89.3W（tc）
DMT8008SCT	1.1132	RFQ	8439	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	DMT8008		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载			到达不受影响	31-DMT8008SCT	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			80 V	111A（TC）	10V	7.5mohm @ 30a，10v	4V @ 1mA	34 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 40 V	-	2.4W（ta），167W（tc）
DMTH4014SPSWQ-13	0.2452	RFQ	5215	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装，可润湿的侧面	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		PowerDI5060-8（type UX）	下载			到达不受影响	31-DMTH4014SPSWQ-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	43.5A（TC）	10V	14.8mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	10.6 NC @ 10 V	±20V	805 pf @ 20 V	-	4W（4W），46.9W（TC）
DMT10H9M9SCT	1.1212	RFQ	3658	二极管合并	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载			到达不受影响	31-DMT10H9M9SCT	Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	99a（TC）	6V，10V	8.8mohm @ 20a，10v	3.9V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2085 PF @ 50 V	-	2.3W（TA），156W（TC）
DXTN06080BFG-7	0.4000	RFQ	2171	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装，可润湿的侧面	8-Powervdfn				1 w	PowerDi3333-8（SWP）类型ux	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,000																	80 V	1 a						20NA	NPN	500mv @ 50mA，800mA	100 @ 150mA，2V	130MHz
DMP2016UFDF-7	0.1815	RFQ	9079	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-udfn暴露垫	DMP2016		MOSFET （金属 o化物）		U-DFN2020-6（f型）	下载			到达不受影响	31-DMP2016UFDF-7TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	9.5A（TA）	1.5V，4.5V	15mohm @ 7A，4.5V	1.1V @ 250µA	30 NC @ 8 V	±8V	1710 PF @ 10 V	-	900MW（TA）
DMT10H009SK3-13	0.4889	RFQ	8481	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	DMT10		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载			到达不受影响	31-DMT10H009SK3-13TR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			100 v	91A（TC）	10V	9.1mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	34 NC @ 10 V	±20V	2028 PF @ 50 V	-	1.7W（TA）
DMP2110UQ-7	0.4400	RFQ	7894	二极管合并	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	DMP2110		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载			到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	80MOHM @ 2.8a，4.5V	1V @ 250µA	6 NC @ 4.5 V	±10V	443 pf @ 10 V	-	800MW（TA）
DMN62D4LDW-7	0.0600	RFQ	6493	二极管合并	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	DMN62		MOSFET （金属 o化物）	330MW（TA）	SOT-363	下载			到达不受影响	31-DMN62D4LDW-7TR	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				60V	261ma（ta）		3ohm @ 200ma，10v	2V @ 250µA	1.04NC @ 10V		41pf @ 30V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

6028）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²