SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 电压 -额定值 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 频率 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet (amp) 当前 -测试 功率 -输出 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 噪音图 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电压 -测试 晶体管类型 (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
NP82N04NDG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N04NDG-S18-AY 2.1600
RFQ
ECAD 8193 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3完整包,i²pak MOSFET (金属 o化物) TO-262-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 82A(TC) 4.2MOHM @ 41A,10V 2.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V 9 pf @ 25 V - 1.8W(TA),143W(tc)
NP82N04MLG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP82N04MLG-S18-AY 2.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 900 n通道 40 V 82A(TC) 4.2MOHM @ 41A,10V 2.5V @ 250µA 150 NC @ 10 V 9 pf @ 25 V - 1.8W(TA),143W(tc)
UPA654TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA654TT-E1-A 0.2900
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-SMD,平坦的铅 MOSFET (金属 o化物) 6-wsof 下载 不适用 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 12 v - 88mohm @ 1.5A,4.5V 1.5V @ 1mA 2.7 NC @ 4 V 250 pf @ 10 V -
RJK1002DPN-A0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1002DPN-A0 #T2 3.2838
RFQ
ECAD 3531 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 上次购买 150°C 通过洞 TO-220-3 RJK1002 MOSFET (金属 o化物) TO-220ABA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 70a(ta) 10V 7.6mohm @ 35a,10v 4V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 6450 pf @ 10 V - 150W(TA)
NE3503M04-T2-A Renesas Electronics America Inc NE3503M04-T2-A 0.7600
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 4 V SOT-343F 12GHz HFET M04 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 3,000 70mA 10 MA - 12DB 0.45dB 2 v
UPA652TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA652TT-E1-A 0.2400
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-SMD,平坦的铅 MOSFET (金属 o化物) 6-wsof - rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A(TA) 294MOHM @ 1A,4.5V 1.5V @ 250µA 1.1 NC @ 4 V 126 pf @ 10 V -
RJK1001DPP-A0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1001DPP-A0 #T2 6.7400
RFQ
ECAD 5871 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 RJK1001 MOSFET (金属 o化物) TO-220ABA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 80a(ta) 10V 5.5MOHM @ 40a,10v 4V @ 1mA 147 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 10 V - 30W(TA)
RJK1002DPP-A0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1002DPP-A0 #T2 4.4700
RFQ
ECAD 1710 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3 RJK1002 MOSFET (金属 o化物) TO-220ABA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 70a(ta) 10V 7.6mohm @ 35a,10v 4V @ 1mA 94 NC @ 10 V ±20V 6450 pf @ 10 V - 30W(TA)
2SK3510-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3510-AZ 3.8900
RFQ
ECAD 5223 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 15 n通道 75 v 83A(TC) 8.5MOHM @ 42A,10V - 150 NC @ 10 V 8500 PF @ 10 V - 1.5W(ta),125W(tc)
2SK3634-Z-E1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3634-Z-E1-AZ 1.0000
RFQ
ECAD 5005 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3Z) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 200 v 6A(TC) 600mohm @ 3a,10v 4.5V @ 1mA 9 NC @ 10 V 270 pf @ 10 V -
2SJ355-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SJ355-T1-AZ 1.0000
RFQ
ECAD 5104 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 TO-243AA MOSFET (金属 o化物) SC-62 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 30 V 2A(TA) 350MOHM @ 1A,10V 2V @ 1mA 12.2 NC @ 10 V 300 pf @ 10 V -
NE3515S02-T1D-A Renesas Electronics America Inc NE3515S02-T1D-A 0.6700
RFQ
ECAD 654 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 4 V 4-SMD,平坦的铅 12GHz HFET S02 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 2,000 88mA 10 MA 14dBm 12.5db 0.3dB 2 v
UPA2751GR-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2751GR-E1-AT 0.9700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA2751 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-psop - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 2 n 通道(双) 30V 9a,8a 15.5MOHM @ 4.5A,10V 2.5V @ 1mA 21NC @ 10V 1040pf @ 10V 逻辑级别门
NP80N04NDG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP80N04NDG-S18-AY 1.8400
RFQ
ECAD 400 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA MOSFET (金属 o化物) TO-262 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 80A(TC) 4.8mohm @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V 6900 PF @ 25 V - 1.8W(ta),115W(tc)
NE3521M04-T2-A Renesas Electronics America Inc NE3521M04-T2-A 0.2100
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 4 V 4-SMD,平坦的铅 20GHz GAAS HJ-FET 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 3,000 n通道 70mA 6 ma - 11DB 0.85dB 2 v
RJK0368DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0368DPA-00#j0 0.4400
RFQ
ECAD 61 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 20A(TA) 14.3mohm @ 10a,10v 2.5V @ 1mA 6.2 NC @ 4.5 V 730 pf @ 10 V - 25W(TC)
UPA802T-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA802T-T1-A 0.4300
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 200MW SOT-363 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 3,000 12DB 10V 65mA 2 NPN (双) 70 @ 7mA,3v 7GHz 1.4db @ 1GHz
NE3503M04-T2B-A Renesas Electronics America Inc NE3503M04-T2B-A 0.7600
RFQ
ECAD 163 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 4 V 4-SMD,平坦的铅 12GHz HFET M04 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0075 3,000 70mA 10 MA - 12DB 0.45dB 2 v
RJK0332DPB-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0332DPB-00#j0 1.0000
RFQ
ECAD 9208 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 - 表面安装 SC-100,SOT-669 MOSFET (金属 o化物) LFPAK - 不适用 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 35A(TA) 4.7MOHM @ 17.5A,10V - 14 NC @ 4.5 V 2180 pf @ 10 V - -
RJK0348DSP-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0348DSP-00#j0 0.8200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) MOSFET (金属 o化物) 8-sop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 22a(22a) 3.4mohm @ 11a,10v - 34 NC @ 4.5 V 5100 PF @ 10 V - 2.5W(TA)
RJK03E3DNS-00#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03E3DNS-00#j5 -
RFQ
ECAD 1777年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-hwson(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 30 V 14A(TA) 11.6mohm @ 7A,10V - 5.7 NC @ 4.5 V 1050 pf @ 10 V - 10W(TC)
UPA2802T1L-E2-AY Renesas Electronics America Inc UPA2802T1L-E2-AY 1.2900
RFQ
ECAD 210 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-vdfn暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8 dfn3333 (3.3x3.3) - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 20 v 18A(18A) 5.8mohm @ 18a,10v 2.5V @ 1mA 16 NC @ 5 V 1800 pf @ 10 V -
UPA1793G-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA1793G-E1-AT 0.6000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) UPA1793 MOSFET (金属 o化物) 2W 8-psop - rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 2,500 n和p通道 20V 3a 69mohm @ 1.5A,4.5V 1.5V @ 1mA 3.1nc @ 4V 160pf @ 10V 逻辑级别门
RJK03B7DPA-00#J53 Renesas Electronics America Inc RJK03B7DPA-00#j53 0.5500
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 - 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET (金属 o化物) 8-wpak - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 30a(TA) 7.8mohm @ 15a,10v - 11 NC @ 4.5 V 1670 pf @ 10 V - 30W(TC)
RJK0379DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK0379DPA-00#j5a 1.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 50a(ta) 2.3MOHM @ 25A,10V - 37 NC @ 4.5 V 5150 pf @ 10 V - 55W(TC)
UPA810T-T1-A Renesas Electronics America Inc UPA810T-T1-A 0.4300
RFQ
ECAD 807 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 200MW SOT-363 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 3,000 9DB 12V 100mA 2 NPN (双) 70 @ 7mA,3v 4.5GHz 1.2db @ 1GHz
2SK3814-AZ Renesas Electronics America Inc 2SK3814-az 1.5200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-251-3,IPAK,TO-251AA MOSFET (金属 o化物) TO-251 下载 rohs3符合条件 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 60a(TC) 8.7MOHM @ 30a,10v - 95 NC @ 10 V 5450 pf @ 10 V - 1W(ta),84W tc(TC)
UPA2521T1H-T2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2521T1H-T2-AT 0.7200
RFQ
ECAD 84 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅 MOSFET (金属 o化物) 8-VSOF - 不适用 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 8a(8a) 16.5MOHM @ 8A,10V 2.5V @ 1mA 7.6 NC @ 5 V 780 pf @ 15 V - 1W(ta)
NE4210S01-T1B Renesas Electronics America Inc NE4210S01-T1B 1.0000
RFQ
ECAD 5276 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 4 V 4-SMD 12GHz HFET SMD 下载 不适用 Ear99 8541.21.0075 4,000 15mA 10 MA - 13DB 0.5dB 2 v
UPA620TT-E1-A Renesas Electronics America Inc UPA620TT-E1-A 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 大部分 过时的 表面安装 6-SMD,平坦的铅 MOSFET (金属 o化物) 6-wsof - rohs3符合条件 Ear99 8541.21.0095 3,000 n通道 20 v 5A(5A) 38mohm @ 2.5a,4.5V 1.5V @ 1mA 5.5 NC @ 4 V 450 pf @ 10 V -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库