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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 晶体管类型 | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | NP82N04NDG-S18-AY | 2.1600 | ![]() | 8193 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3完整包,i²pak | MOSFET (金属 o化物) | TO-262-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 82A(TC) | 4.2MOHM @ 41A,10V | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | 9 pf @ 25 V | - | 1.8W(TA),143W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NP82N04MLG-S18-AY | 2.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 900 | n通道 | 40 V | 82A(TC) | 4.2MOHM @ 41A,10V | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | 9 pf @ 25 V | - | 1.8W(TA),143W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPA654TT-E1-A | 0.2900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MOSFET (金属 o化物) | 6-wsof | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 12 v | - | 88mohm @ 1.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 2.7 NC @ 4 V | 250 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK1002DPN-A0 #T2 | 3.2838 | ![]() | 3531 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 上次购买 | 150°C | 通过洞 | TO-220-3 | RJK1002 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220ABA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 70a(ta) | 10V | 7.6mohm @ 35a,10v | 4V @ 1mA | 94 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 10 V | - | 150W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | NE3503M04-T2-A | 0.7600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 4 V | SOT-343F | 12GHz | HFET | M04 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 70mA | 10 MA | - | 12DB | 0.45dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA652TT-E1-A | 0.2400 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MOSFET (金属 o化物) | 6-wsof | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 20 v | 2A(TA) | 294MOHM @ 1A,4.5V | 1.5V @ 250µA | 1.1 NC @ 4 V | 126 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK1001DPP-A0 #T2 | 6.7400 | ![]() | 5871 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | TO-220-3 | RJK1001 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220ABA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 80a(ta) | 10V | 5.5MOHM @ 40a,10v | 4V @ 1mA | 147 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 10 V | - | 30W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | RJK1002DPP-A0 #T2 | 4.4700 | ![]() | 1710 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C | 通过洞 | TO-220-3 | RJK1002 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220ABA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 70a(ta) | 10V | 7.6mohm @ 35a,10v | 4V @ 1mA | 94 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 10 V | - | 30W(TA) | |||||||||||||||||
![]() | 2SK3510-AZ | 3.8900 | ![]() | 5223 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 15 | n通道 | 75 v | 83A(TC) | 8.5MOHM @ 42A,10V | - | 150 NC @ 10 V | 8500 PF @ 10 V | - | 1.5W(ta),125W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3634-Z-E1-AZ | 1.0000 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(MP-3Z) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 200 v | 6A(TC) | 600mohm @ 3a,10v | 4.5V @ 1mA | 9 NC @ 10 V | 270 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SJ355-T1-AZ | 1.0000 | ![]() | 5104 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | TO-243AA | MOSFET (金属 o化物) | SC-62 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | P通道 | 30 V | 2A(TA) | 350MOHM @ 1A,10V | 2V @ 1mA | 12.2 NC @ 10 V | 300 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||
NE3515S02-T1D-A | 0.6700 | ![]() | 654 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 4 V | 4-SMD,平坦的铅 | 12GHz | HFET | S02 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 88mA | 10 MA | 14dBm | 12.5db | 0.3dB | 2 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2751GR-E1-AT | 0.9700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | UPA2751 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-psop | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2 n 通道(双) | 30V | 9a,8a | 15.5MOHM @ 4.5A,10V | 2.5V @ 1mA | 21NC @ 10V | 1040pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||
![]() | NP80N04NDG-S18-AY | 1.8400 | ![]() | 400 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 通过洞 | TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-262 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 40 V | 80A(TC) | 4.8mohm @ 40a,10v | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | 6900 PF @ 25 V | - | 1.8W(ta),115W(tc) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NE3521M04-T2-A | 0.2100 | ![]() | 39 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 4 V | 4-SMD,平坦的铅 | 20GHz | GAAS HJ-FET | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | n通道 | 70mA | 6 ma | - | 11DB | 0.85dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0368DPA-00#j0 | 0.4400 | ![]() | 61 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 20A(TA) | 14.3mohm @ 10a,10v | 2.5V @ 1mA | 6.2 NC @ 4.5 V | 730 pf @ 10 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPA802T-T1-A | 0.4300 | ![]() | 86 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 12DB | 10V | 65mA | 2 NPN (双) | 70 @ 7mA,3v | 7GHz | 1.4db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||
NE3503M04-T2B-A | 0.7600 | ![]() | 163 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 4 V | 4-SMD,平坦的铅 | 12GHz | HFET | M04 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 70mA | 10 MA | - | 12DB | 0.45dB | 2 v | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0332DPB-00#j0 | 1.0000 | ![]() | 9208 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 35A(TA) | 4.7MOHM @ 17.5A,10V | - | 14 NC @ 4.5 V | 2180 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0348DSP-00#j0 | 0.8200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | MOSFET (金属 o化物) | 8-sop | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 22a(22a) | 3.4mohm @ 11a,10v | - | 34 NC @ 4.5 V | 5100 PF @ 10 V | - | 2.5W(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03E3DNS-00#j5 | - | ![]() | 1777年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-hwson(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | n通道 | 30 V | 14A(TA) | 11.6mohm @ 7A,10V | - | 5.7 NC @ 4.5 V | 1050 pf @ 10 V | - | 10W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2802T1L-E2-AY | 1.2900 | ![]() | 210 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 8 dfn3333 (3.3x3.3) | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 18A(18A) | 5.8mohm @ 18a,10v | 2.5V @ 1mA | 16 NC @ 5 V | 1800 pf @ 10 V | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA1793G-E1-AT | 0.6000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-SOIC (0.173“,4.40mm宽度) | UPA1793 | MOSFET (金属 o化物) | 2W | 8-psop | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n和p通道 | 20V | 3a | 69mohm @ 1.5A,4.5V | 1.5V @ 1mA | 3.1nc @ 4V | 160pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03B7DPA-00#j53 | 0.5500 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | - | 表面安装 | 8-Powerwdfn | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 30a(TA) | 7.8mohm @ 15a,10v | - | 11 NC @ 4.5 V | 1670 pf @ 10 V | - | 30W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK0379DPA-00#j5a | 1.4800 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-WFDFN暴露垫 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 50a(ta) | 2.3MOHM @ 25A,10V | - | 37 NC @ 4.5 V | 5150 pf @ 10 V | - | 55W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPA810T-T1-A | 0.4300 | ![]() | 807 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200MW | SOT-363 | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 9DB | 12V | 100mA | 2 NPN (双) | 70 @ 7mA,3v | 4.5GHz | 1.2db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK3814-az | 1.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-251-3,IPAK,TO-251AA | MOSFET (金属 o化物) | TO-251 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 60 V | 60a(TC) | 8.7MOHM @ 30a,10v | - | 95 NC @ 10 V | 5450 pf @ 10 V | - | 1W(ta),84W tc(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2521T1H-T2-AT | 0.7200 | ![]() | 84 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-SMD,平坦的铅 | MOSFET (金属 o化物) | 8-VSOF | - | 不适用 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 30 V | 8a(8a) | 16.5MOHM @ 8A,10V | 2.5V @ 1mA | 7.6 NC @ 5 V | 780 pf @ 15 V | - | 1W(ta) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NE4210S01-T1B | 1.0000 | ![]() | 5276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 4 V | 4-SMD | 12GHz | HFET | SMD | 下载 | 不适用 | Ear99 | 8541.21.0075 | 4,000 | 15mA | 10 MA | - | 13DB | 0.5dB | 2 v | |||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA620TT-E1-A | 0.2700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 6-SMD,平坦的铅 | MOSFET (金属 o化物) | 6-wsof | - | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 5A(5A) | 38mohm @ 2.5a,4.5V | 1.5V @ 1mA | 5.5 NC @ 4 V | 450 pf @ 10 V | - |
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