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| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | fet | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | VGS（VGS） | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | （（（） |
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| RJK0651DPB-00＃j5 | 1.7700 | | 20 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 积极的 | 150°C（TJ） | 表面安装 | SC-100，SOT-669 | RJK0651 | MOSFET （金属 o化物） | LFPAK | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 60 V | 25A（TA） | 4.5V，10V | 14mohm @ 12.5a，10v | - | 15 NC @ 4.5 V | ±20V | 2030 pf @ 10 V | - | 45W（TC） | |
 | RJK0602DPN-E0 ＃T2 | - | | 1191 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET （金属 o化物） | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 60 V | 110a（ta） | 10V | 3.9mohm @ 50a，10v | - | 90 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 10 V | - | 150W（TC） | ||
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 | 2SK4151TZ-E | - | | 1291 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴（（tr） | 过时的 | 150°C（TJ） | 通过洞 | TO-226-3，TO-92-3 to-226AA） | MOSFET （金属 o化物） | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 1A（1A） | 2.5V，4V | 1.95OHM @ 500mA，4V | - | 3.5 NC @ 4 V | ±10V | 98 pf @ 10 V | - | 750MW（TA） |
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