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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 晶体管类型 | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2SK4093TZ-E | - | ![]() | 5952 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 | MOSFET (金属 o化物) | to-92mod | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 1A(1A) | 2.5V,4V | 2.6ohm @ 500mA,4V | - | 5.5 NC @ 4 V | ±10V | 140 pf @ 25 V | - | 900MW(TA) | |||||||||||
![]() | HAT1126RWS-E | - | ![]() | 8182 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | HAT1126 | MOSFET (金属 o化物) | (3W)(TA) | 8-sop | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2(p 通道(双) | 60V | 6a(6a) | 50mohm @ 3a,10v | 2.5V @ 1mA | 37NC @ 10V | 2300pf @ 10V | 逻辑级别门,4.5V驱动器 | ||||||||||||||
![]() | UPA1572BH((1)-az | 1.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP90N04VUG-E1-AY | - | ![]() | 7680 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 40 V | 90A(TC) | 10V | 4mohm @ 45a,10v | 4V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 7500 PF @ 25 V | - | 1.2W(ta),105W((((((() | |||||||||||
![]() | H5N2513PL-E | 16.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SK2371(2)-a | 8.1000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | NP82N04PDG-E1-AY | - | ![]() | 3591 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 40 V | 82A(TC) | 4.5V,10V | 3.5MOHM @ 41A,10V | 2.5V @ 250µA | 150 NC @ 10 V | ±20V | 9000 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA),143W(tc) | |||||||||||
![]() | CA3127M | - | ![]() | 6374 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | 85MW | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 48 | 27db〜30dB | 15V | 20mA | 5 NPN | 35 @ 5mA,6v | 1.15GHz | 3.5db @ 100MHz | |||||||||||||||
![]() | 2SJ327-az | - | ![]() | 5852 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 |
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