SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 当前 -收集器截止(最大) 晶体管类型 vce 饱和度(最大) @ ib,ic (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 电阻 -底座( -r1) 电阻 -发射极底座( r2) 噪声图( db typ @ f)
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1001DPP-E0#t2 -
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 80a(ta) 10V 5.5MOHM @ 40a,10v - 147 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 10 V - 30W(TC)
RJK1002DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1002DPN-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 6456 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 70a(ta) 10V 7.6mohm @ 35a,10v - 94 NC @ 10 V ±20V 6450 pf @ 10 V - 150W(TC)
RJK1003DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1003DPN-E0#t2 -
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 50a(ta) 10V 11mohm @ 25a,10v - 59 NC @ 10 V ±20V 4150 pf @ 10 V - 125W(TC)
RJK2057DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK2057DPA-00#j0 -
RFQ
ECAD 9498 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn RJK2057 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak (3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 20A(TA) 10V 85mohm @ 10a,10v - 19 nc @ 10 V ±30V 1250 pf @ 25 V - 30W(TC)
RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc rjk2511dpk-00#t0 -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJK2511 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 250 v 65A(TA) 10V 34mohm @ 32.5a,10v - 120 NC @ 10 V ±30V 4900 PF @ 25 V - 200W(TC)
RJK2555DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK25555DPA-00#j0 -
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn RJK2555 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak (3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 250 v 17A(TA) 10V 104MOHM @ 8.5A,10V - 39 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 25 V - 30W(TC)
RJK4013DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJK4013DPE-00#j3 -
RFQ
ECAD 7213 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 RJK4013 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 17A(TA) 10V 300MOHM @ 8.5A,10V - 38 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 100W(TC)
RJK5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJK5012DPE-00#j3 -
RFQ
ECAD 2176 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 RJK5012 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 12a(12a) 10V 620Mohm @ 6a,10v - 29 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 100W(TC)
RQJ0303PGDQA#H6 Renesas Electronics America Inc RQJ0303PGDQA#H6 -
RFQ
ECAD 6934 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 RQJ0303 MOSFET (金属 o化物) 3-mpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 3.3a(ta) 4.5V,10V 68mohm @ 1.6A,10V - 12 nc @ 10 V +10V,-20V 625 pf @ 10 V - 800MW(TA)
NP34N055SLE-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP34N055SLE-E1-AY -
RFQ
ECAD 5548 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 34A(ta) 4.5V,10V 18mohm @ 17a,10v 2.5V @ 250µA 72 NC @ 5 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 1.2W(ta),88W(tc)
NP100P06PDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP100P06PDG-E1-AY 4.5300
RFQ
ECAD 5487 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NP100P06 MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 100A(TC) 4.5V,10V 6mohm @ 50a,10v 2.5V @ 1mA 300 NC @ 10 V ±20V 15000 pf @ 10 V - 1.8W(TA),200W(((((((((((
2SD1843-T-AZ Renesas Electronics America Inc 2SD1843-T-AZ 0.4300
RFQ
ECAD 26 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
RJM0306JSP-01#J0 Renesas Electronics America Inc RJM0306JSP-01#j0 -
RFQ
ECAD 7201 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 - 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) RJM0306 MOSFET (金属 o化物) 2.2W 8-sop - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 2n和2p通道(半桥) 30V 3.5a 65mohm @ 2a,10v - 5NC @ 10V 290pf @ 10V 逻辑水平门,4V驱动器
2SB1093-AZ Renesas Electronics America Inc 2SB1093-AZ 1.3500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 1
2SC4942-T1-AZ Renesas Electronics America Inc 2SC4942-T1-AZ -
RFQ
ECAD 1303 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 下载 rohs3符合条件 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 3,000
HFA3128B Renesas Electronics America Inc HFA3128B -
RFQ
ECAD 4909 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - - 过时的 150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) HFA3128 150MW 16-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 48 - 15V 65mA 5 PNP 20 @ 10mA,2V 5.5GHz 3.5db @ 1GHz
UPA2719GR-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2719GR-E1-AT 0.9400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500
RJK03E3DNS-WS#J5 Renesas Electronics America Inc RJK03E3DNS-WS#j5 0.5500
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Renesas Electronics America Inc * 大部分 积极的 - 不适用 (1 (无限) 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1
HFA3128RZ Renesas Electronics America Inc HFA3128RZ -
RFQ
ECAD 7874 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 表面安装 16-VFQFN暴露垫 HFA3128 150MW 16 QFN (3x3) 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 100 - 15V 65mA 5 PNP 20 @ 10mA,2V 5.5GHz 3.5db @ 1GHz
HD1A3M(0)-T1-AZ Renesas Electronics America Inc HD1A3M(0)-T1-AZ -
RFQ
ECAD 6751 0.00000000 Renesas Electronics America Inc HD1 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-243AA HD1A3 2W SC-62 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 3,000 60V 1a 100NA(ICBO) 1 NPN预先偏见,1 NPN - 200 @ 1A,2V - 1KOHMS 1KOHMS
HFA3128R96 Renesas Electronics America Inc HFA3128R96 -
RFQ
ECAD 4216 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 16-VFQFN暴露垫 HFA3128 150MW 16 QFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 6,000 - 15V 65mA 5 PNP 20 @ 10mA,2V 5.5GHz 3.5db @ 1GHz
FA4F4M-T1B-A Renesas Electronics America Inc FA4F4M-T1B-A -
RFQ
ECAD 6661 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 盒子 过时的 FA4F4M 200兆 下载 (1 (无限) Ear99 8541.21.0095 1 50 V 100 ma 100NA(ICBO) npn-预先偏见 200mv @ 250µ,5mA 60 @ 50mA,5V 22欧姆 22欧姆
HFA3128R Renesas Electronics America Inc HFA3128R -
RFQ
ECAD 4535 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 表面安装 16-VFQFN暴露垫 HFA3128 150MW 16 QFN (3x3) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 100 - 15V 65mA 5 PNP 20 @ 10mA,2V 5.5GHz 3.5db @ 1GHz
HAT2096H-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT2096H-EL-E -
RFQ
ECAD 6762 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 HAT2096 MOSFET (金属 o化物) LFPAK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 40a(ta) 4.5V,10V 5.3MOHM @ 20A,10V - 40 NC @ 10 V ±20V 2200 PF @ 10 V - 20W(TC)
HFA3046B96 Renesas Electronics America Inc HFA3046B96 -
RFQ
ECAD 3111 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) HFA3046 150MW 14-Soic 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 2,500 - 12V 65mA 5 NPN 40 @ 10mA,2V 8GHz 3.5db @ 1GHz
RJK6018DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJK6018DPK-00#t0 -
RFQ
ECAD 1472 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJK6018 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 30a(TA) 10V 235mohm @ 15a,10v - 92 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 25 V - 200W(TC)
HFA3096B Renesas Electronics America Inc HFA3096B -
RFQ
ECAD 6471 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - - 过时的 150°C(TJ) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) HFA3096 150MW 16-Soic 下载 Rohs不合规 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0075 48 - 12V,15V 65mA 3 NPN + 2 PNP 40 @ 10mA,2v / 20 @ 10mA,2V 8GHz,5.5GHz 3.5db @ 1GHz
RJH1CV7DPQ-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJH1CV7DPQ-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 5458 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 标准 320 w TO-247 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 600V,35A,5OHM,15V 200 ns 1200 v 70 a 2.3V @ 15V,35a 3.2MJ(在)上,2.5MJ(2.5MJ) 166 NC 53ns/185ns
NP90N03VLG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP90N03VLG-E1-AY -
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 90A(TC) 4.5V,10V 3.2MOHM @ 45A,10V 2.5V @ 250µA 135 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 1.2W(ta),105W((((((()
NP82N055PUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP82N055PUG-E1-AY -
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NP82N055 MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 82A(TC) 10V 5.2MOHM @ 41A,10V 4V @ 250µA 160 NC @ 10 V ±20V 9600 PF @ 25 V - 1.8W(TA),143W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库