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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | 测试条件 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | trr) | IGBT类型 | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic | 切换能量 | 门充电 | TD (开/关) @ 25°C | 当前 -收集器截止(最大) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电阻 -底座( -r1) | 电阻 -发射极底座( r2) | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RJK1001DPP-E0#t2 | - | ![]() | 5749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 80a(ta) | 10V | 5.5MOHM @ 40a,10v | - | 147 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 10 V | - | 30W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK1002DPN-E0 #T2 | - | ![]() | 6456 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 70a(ta) | 10V | 7.6mohm @ 35a,10v | - | 94 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 10 V | - | 150W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK1003DPN-E0#t2 | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 50a(ta) | 10V | 11mohm @ 25a,10v | - | 59 NC @ 10 V | ±20V | 4150 pf @ 10 V | - | 125W(TC) | |||||||||||||||||||||||
![]() | RJK2057DPA-00#j0 | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | RJK2057 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak (3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 20A(TA) | 10V | 85mohm @ 10a,10v | - | 19 nc @ 10 V | ±30V | 1250 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | rjk2511dpk-00#t0 | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJK2511 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 250 v | 65A(TA) | 10V | 34mohm @ 32.5a,10v | - | 120 NC @ 10 V | ±30V | 4900 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK25555DPA-00#j0 | - | ![]() | 7244 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | RJK2555 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak (3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 17A(TA) | 10V | 104MOHM @ 8.5A,10V | - | 39 NC @ 10 V | ±30V | 2400 PF @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK4013DPE-00#j3 | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-83 | RJK4013 | MOSFET (金属 o化物) | ldpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 400 v | 17A(TA) | 10V | 300MOHM @ 8.5A,10V | - | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1450 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RJK5012DPE-00#j3 | - | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-83 | RJK5012 | MOSFET (金属 o化物) | ldpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 12a(12a) | 10V | 620Mohm @ 6a,10v | - | 29 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | RQJ0303PGDQA#H6 | - | ![]() | 6934 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 上次购买 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | RQJ0303 | MOSFET (金属 o化物) | 3-mpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | P通道 | 30 V | 3.3a(ta) | 4.5V,10V | 68mohm @ 1.6A,10V | - | 12 nc @ 10 V | +10V,-20V | 625 pf @ 10 V | - | 800MW(TA) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NP34N055SLE-E1-AY | - | ![]() | 5548 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252(MP-3ZK) | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 55 v | 34A(ta) | 4.5V,10V | 18mohm @ 17a,10v | 2.5V @ 250µA | 72 NC @ 5 V | ±20V | 3000 pf @ 25 V | - | 1.2W(ta),88W(tc) | |||||||||||||||||||||||
![]() | NP100P06PDG-E1-AY | 4.5300 | ![]() | 5487 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NP100P06 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | P通道 | 60 V | 100A(TC) | 4.5V,10V | 6mohm @ 50a,10v | 2.5V @ 1mA | 300 NC @ 10 V | ±20V | 15000 pf @ 10 V | - | 1.8W(TA),200W((((((((((( | ||||||||||||||||||||||
![]() | 2SD1843-T-AZ | 0.4300 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJM0306JSP-01#j0 | - | ![]() | 7201 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | - | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | RJM0306 | MOSFET (金属 o化物) | 2.2W | 8-sop | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 2n和2p通道(半桥) | 30V | 3.5a | 65mohm @ 2a,10v | - | 5NC @ 10V | 290pf @ 10V | 逻辑水平门,4V驱动器 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SB1093-AZ | 1.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2SC4942-T1-AZ | - | ![]() | 1303 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3128B | - | ![]() | 4909 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | - | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | HFA3128 | 150MW | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 48 | - | 15V | 65mA | 5 PNP | 20 @ 10mA,2V | 5.5GHz | 3.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | UPA2719GR-E1-AT | 0.9400 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK03E3DNS-WS#j5 | 0.5500 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | 大部分 | 积极的 | - | 不适用 | (1 (无限) | 供应商不确定 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3128RZ | - | ![]() | 7874 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | HFA3128 | 150MW | 16 QFN (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 2(1年) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 100 | - | 15V | 65mA | 5 PNP | 20 @ 10mA,2V | 5.5GHz | 3.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HD1A3M(0)-T1-AZ | - | ![]() | 6751 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | HD1 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-243AA | HD1A3 | 2W | SC-62 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 60V | 1a | 100NA(ICBO) | 1 NPN预先偏见,1 NPN | - | 200 @ 1A,2V | - | 1KOHMS | 1KOHMS | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3128R96 | - | ![]() | 4216 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | HFA3128 | 150MW | 16 QFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 6,000 | - | 15V | 65mA | 5 PNP | 20 @ 10mA,2V | 5.5GHz | 3.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | FA4F4M-T1B-A | - | ![]() | 6661 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 盒子 | 过时的 | FA4F4M | 200兆 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | 50 V | 100 ma | 100NA(ICBO) | npn-预先偏见 | 200mv @ 250µ,5mA | 60 @ 50mA,5V | 22欧姆 | 22欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3128R | - | ![]() | 4535 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | 16-VFQFN暴露垫 | HFA3128 | 150MW | 16 QFN (3x3) | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 100 | - | 15V | 65mA | 5 PNP | 20 @ 10mA,2V | 5.5GHz | 3.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | HAT2096H-EL-E | - | ![]() | 6762 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-100,SOT-669 | HAT2096 | MOSFET (金属 o化物) | LFPAK | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 40a(ta) | 4.5V,10V | 5.3MOHM @ 20A,10V | - | 40 NC @ 10 V | ±20V | 2200 PF @ 10 V | - | 20W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3046B96 | - | ![]() | 3111 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 14- 材料( 0.154英寸,宽度为3.90mm) | HFA3046 | 150MW | 14-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | - | 12V | 65mA | 5 NPN | 40 @ 10mA,2V | 8GHz | 3.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJK6018DPK-00#t0 | - | ![]() | 1472 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJK6018 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 30a(TA) | 10V | 235mohm @ 15a,10v | - | 92 NC @ 10 V | ±30V | 4100 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | HFA3096B | - | ![]() | 6471 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | - | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | HFA3096 | 150MW | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 48 | - | 12V,15V | 65mA | 3 NPN + 2 PNP | 40 @ 10mA,2v / 20 @ 10mA,2V | 8GHz,5.5GHz | 3.5db @ 1GHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RJH1CV7DPQ-E0 #T2 | - | ![]() | 5458 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | 标准 | 320 w | TO-247 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 600V,35A,5OHM,15V | 200 ns | 沟 | 1200 v | 70 a | 2.3V @ 15V,35a | 3.2MJ(在)上,2.5MJ(2.5MJ) | 166 NC | 53ns/185ns | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NP90N03VLG-E1-AY | - | ![]() | 4154 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | TO-252 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 30 V | 90A(TC) | 4.5V,10V | 3.2MOHM @ 45A,10V | 2.5V @ 250µA | 135 NC @ 10 V | ±20V | 7500 PF @ 25 V | - | 1.2W(ta),105W((((((() | |||||||||||||||||||||||
![]() | NP82N055PUG-E1-AY | - | ![]() | 4455 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | NP82N055 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 82A(TC) | 10V | 5.2MOHM @ 41A,10V | 4V @ 250µA | 160 NC @ 10 V | ±20V | 9600 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA),143W(tc) |
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