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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试
NP82N055NUG-S18-AY	1.9800	RFQ	350	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		175°C	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA				MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50		n通道						55 v	82A（TC）		6mohm @ 41a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	9600 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
UPA2450CTL-E1-A	0.4800	RFQ	21	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-VFDFN暴露垫	UPA2450			MOSFET （金属 o化物）	700MW	6-hwson	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	8.6a		17.5MOHM @ 4A，4.5V	1.5V @ 1mA	6NC @ 4V		564pf @ 10V	逻辑级别门
2SK3107-T1-A	0.2600	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-75，SOT-416				MOSFET （金属 o化物）		SC-75-3，USM	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道						30 V	（100mA）（TA）		5ohm @ 10mA，10v	1.8V @ 10µA			9 pf @ 3 V	-
2SK3659-az	1.4000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3隔离选项卡				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200		n通道						20 v	65A（TC）		5.7MOHM @ 40a，10V	2.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V		1700 PF @ 10 V	-
RJK0301DPB-00＃j0	2.0400	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	SC-100，SOT-669				MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						30 V	60a（ta）		2.8mohm @ 30a，10v	-	32 NC @ 4.5 V		5000 pf @ 10 V	-	65W（TC）
NE3513M04-T2B-A	0.9700	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅			12GHz	GAAS HJ-FET		4超级迷你霉菌	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道		60mA		10 MA	125MW	13DB											0.65dB								2 v
UPA2561T1H-T1-AT	0.3800	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2561			MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-VSOF	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）							20V	4.5a		50MOHM @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	5.4NC @ 4.5V		455pf @ 10V	逻辑级别门
NE651R479A-T1-A	7.3400	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	8 V			4-SMD，平坦的铅			1.9GHz	HFET		79a	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	1,000			1a		50 mA	27dBm	12DB											-								3.5 v
haf1004-90str-e	-	RFQ	4334	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的											-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	559-HAF1004-90STR-ETRET	过时的		2,500									-
UPA602T-T2-A	0.1600	RFQ	51	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-59-6	UPA602			MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59	下载					Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）							50V	100mA		25ohm @ 10mA，10v	1.8V @ 1µA	-		16pf @ 5V	逻辑级别门
2SC2620QBTR-E	0.1700	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1
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RJH60D2DPP-E0 ＃T2	2.4400	RFQ	28	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.29.0095	1
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2SK3712-Z-E1-AZ	1.2400	RFQ	22	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道						250 v	9A（TC）		580MOHM @ 4.5A，10V	4.5V @ 1mA	14 NC @ 10 V		450 pf @ 10 V	-
2SC2620QCTR-E	0.1700	RFQ	52	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的											下载					Ear99	8541.21.0075	1
NP90N06VDK-E1-AY	1.7500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-NP90N06VDK-E1-AYTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），147W（TC）
NP90N04VDK-E1-AY	1.7800	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	559-NP90N04VDK-E1-AYTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	90A（TC）	4.5V，10V	2.8mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），147W（TC）
NP89N06PDK-E1-AY	2.0000	RFQ	346	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	托盘	积极的		175°C	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						60 V	90A（TC）	4.5V，10V	5.3MOHM @ 45A，10V	2.5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP60N06VLK-E1-AY	1.5600	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	NP60N06			MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						60 V	60a（TC）	4.5V，10V	7.9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
NP75N04VDK-E1-AY	1.3200	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 38A，10V	2.5V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 25 V	-	1.2W（ta），75W（tc）
RBA160N04AHPF-4UA01 ＃GB0	4.4900	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6个线索 +选项卡，TO-263CB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263-7	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道						40 V	160a（TC）	10V	1.25MOHM @ 80A，10V	4V @ 250µA	236 NC @ 10 V	±20V	13200 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），250W（TC）
NP60N04VLK-E1-AY	1.5600	RFQ	2903	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-NP60N04VLK-E1-AYCT	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道						40 V	60a（TC）	4.5V，10V	3.9mohm @ 30a，10v	2.5V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	3680 pf @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RJP65T43DPM-00 t1	5.2800	RFQ	1204	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准			68.8 w	to-3pfm	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，20a，10ohm，15V															沟	650 v	40 a	2.4V @ 15V，20A	170µJ（在）（110µJ）上（OFF）	70 NC	30ns/107ns
N0608N-ZK-E1-AY	1.1500	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道						60 V	52A（TC）	10V	14.3mohm @ 26a，10v	4V @ 1mA	37 NC @ 10 V	±20V	1950 pf @ 25 V	-	1W（ta），50.2W（TC）
RJL5014DPP-A0 ＃T2	4.9400	RFQ	1859年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道						500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TA）
NP50P04SLG-E1-AY	2.1100	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道						40 V	50a（ta）	4.5V，10V	9.6mohm @ 25a，10v	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 10 V	-	1.2W（ta），84W（tc）
NP29N04QUK-E1-AY	1.8600	RFQ	7558	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的		175°C	表面安装	8-Powerldfn	NP29			MOSFET （金属 o化物）	1W（ta），44W（tc）	8-hson（5x5.4）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）							40V	30A（TC）		10.1MOHM @ 15A，10V	4V @ 250µA	29nc @ 10V		1500pf @ 25V	-
2SK3814-Z-E1-AZ	2.5600	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	条	上次购买		150°C	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3Z）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000		n通道						60 V	60a（ta）	4.5V，10V	8.7MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	95 NC @ 10 V	±20V	5450 pf @ 10 V	-	84W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²