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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	频率	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	当前 -测试	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电压 -测试	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
UPA2350T1G-E4-A	0.7200	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	4-XBGA，4-FCBGA	UPA2350		MOSFET （金属 o化物）	1.3W	4-Flipchip	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	5,000	2 n 通道（双）						20V	6a		35mohm @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	8.6nc @ 4V		542pf @ 10V	逻辑级别门
RJK1560DPP-M0 ＃T2	2.2900	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1		n通道					150 v	20A（TA）		60mohm @ 10a，4v	-	52 NC @ 4 V		6720 PF @ 25 V	-	28.5W（TC）
NE5531079A-T1-A	-	RFQ	1431	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	30 V			4-SMD，平坦的铅		460MHz	ldmos		79a	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0075	1,000			3a	200 ma	40dBm	-											-			7.5 v
RJK0349DPA-01＃j0b	0.7700	RFQ	112	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					30 V	45A（TA）		3.1MOHM @ 22.5A，10V	-	25 NC @ 4.5 V		3850 pf @ 10 V	-	50W（TC）
2SC4957-T1-A	0.3300	RFQ	165	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-253-4，TO-253AA				180MW	SOT-143	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000						11DB												6V	30mA		NPN	75 @ 10mA，3v	12GHz	1.5db @ 2GHz
NE3511S02-T1C-A	-	RFQ	4927	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET		S02	下载	不适用			Ear99	8541.21.0075	2,000			70mA	10 MA	-	13.5dB											0.3dB			2 v
UPA503T-T1-A	0.3100	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-74A，SOT-753	UPA503		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59-5，迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）						50V	100mA		60ohm @ 10mA，10v	2.5V @ 1µA	-		17pf @ 5V	-
NP82N04MDG-S18-AY	2.1600	RFQ	700	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	管子	过时的		175°C	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	900		n通道					40 V	82A（TC）		4.2MOHM @ 41A，10V	2.5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），143W（tc）
UPA675T-T1-A	0.1700	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363	UPA675		MOSFET （金属 o化物）	200MW	SC-88	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						16V	100mA		12ohm @ 10mA，4V	1.1V @ 10µA	-		10pf @ 3V	-
RJK1003DPP-A0 ＃T2	3.2300	RFQ	5147	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的		150°C	通过洞	TO-220-3	RJK1003		MOSFET （金属 o化物）		TO-220ABA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	25		n通道					100 v	50a（ta）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 1mA	59 NC @ 10 V	±20V	4150 pf @ 10 V	-	25W（TA）
UPA2550T1H-T2-AT	0.5500	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2550		MOSFET （金属 o化物）	2.2W	8-VSOF	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000	2（p 通道（双）						12V	5a		40mohm @ 2.5a，4.5V	1V @ 1mA	8.7nc @ 4V		930pf @ 10V	逻辑级别门
UPA2723UT1A-E1-AY	1.9400	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	33A（TA）		2.5MOHM @ 17a，10v	2.5V @ 1mA	64 NC @ 5 V		8100 PF @ 10 V	-
UPA2810T1L-E2-AY	1.0100	RFQ	170	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-vdfn暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道					30 V	13A（TA）		12MOHM @ 13A，10V	2.5V @ 1mA	40 NC @ 10 V		1860 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
UPA606T-T1-A	1.0000	RFQ	9371	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6	UPA606		MOSFET （金属 o化物）	300MW	6分钟	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						50V	100mA		25ohm @ 10mA，10v	-	-		16pf @ 5V	逻辑级别门
RJK03B8DPA-00＃j53	0.5100	RFQ	115	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	30a（TA）		9.3mohm @ 15a，10v	-	9 NC @ 4.5 V		1330 pf @ 10 V	-	28W（TC）
UPA602T-T1-A	0.3200	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	SC-59-6	UPA602		MOSFET （金属 o化物）	300MW	SC-59	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）						50V	100mA		25ohm @ 10mA，10v	1.8V @ 1µA	-		16pf @ 5V	逻辑级别门
HAT2172N-EL-E	1.8500	RFQ	27	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道					40 V	30a（TA）		7.8mohm @ 15a，10v	-	32 NC @ 10 V		2420 PF @ 10 V	-	20W（TC）
NE3512S02-T1D-A	0.6500	RFQ	16	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	HFET		S02	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	10,000			70mA	10 MA	-	13.5dB											0.35dB			2 v
UPA1872BGR-9JG-E1-A	0.7300	RFQ	230	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	UPA1872		MOSFET （金属 o化物）	2W	8-tssop	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000	2 n 通道（双）						20V	10a		13mohm @ 5A，4.5V	1.5V @ 1mA	10NC @ 4V		945pf @ 10V	逻辑级别门
RJK03M9DNS-00＃j5	0.3800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道					30 V	14A（TA）		11.1MOHM @ 7A，10V	-	6 NC @ 4.5 V		980 pf @ 10 V	-	10W（TC）
NE3510M04-T2-A	0.8300	RFQ	250	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			SOT-343F		4GHz	HFET		M04	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000			97MA	15 ma	-	16dB											0.45dB			2 v
2SK3054-T1-A	0.1200	RFQ	12	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323			MOSFET （金属 o化物）		SC-70-3，SSP，微型迷你模具	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道					50 V	（100mA）（TA）		20ohm @ 10mA，4V	1.5V @ 1µA			8000 pf @ 3 V	-
NP40N055KLE-E1-AY	0.9800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		n通道					55 v	40a（TC）		23mohm @ 20a，10v	2.5V @ 250µA	41 NC @ 5 V		1950 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），66W（tc）
NE55410GR-T3-AZ	4.8200	RFQ	31	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	65 v			16-DFF，裸露的垫子		2.14GHz	ldmos		16-HTSSOP	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000			250mA，1a	20 ma	35.4dBm	13.5dB											-			28 V
2SK3659-az	1.4000	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			通过洞	TO-220-3隔离选项卡			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	200		n通道					20 v	65A（TC）		5.7MOHM @ 40a，10V	2.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V		1700 PF @ 10 V	-
NE3513M04-T2B-A	0.9700	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	4 V			4-SMD，平坦的铅		12GHz	GAAS HJ-FET		4超级迷你霉菌	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000	n通道		60mA	10 MA	125MW	13DB											0.65dB			2 v
UPA895TS-T3-A	1.0000	RFQ	6770	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅				130MW	6杀手无铅的Minimold	-	不适用			Ear99	8541.21.0075	10,000						-												5.5V	100mA		2 NPN （双）	100 @ 5mA，1V	6.5GHz	1.9db〜2.5dB @ 2GHz
UPA901TU-T3-A	0.7700	RFQ	30	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的			表面安装	8-SMD，平坦的铅裸垫				410MW	8毫米	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	5,000						-												4.5V	75mA，250mA		2 NPN （双）	80 @ 6mA，3v / 80 @ 20mA，3v	-	-
RJK0395DPA-00＃j53	0.5100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		-	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道					30 V	30a（TA）		7.7MOHM @ 15A，10V	-	11 NC @ 4.5 V		1670 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK6026DPP-E0 ＃T2	1.4400	RFQ	40	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1		n通道					600 v	5A（5A）		2.4OHM @ 2.5a，10v	-	14 NC @ 10 V		440 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²