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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
2SK3113-Z-AZ	-	RFQ	3200	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
haf1004-90str-e	-	RFQ	4334	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	559-HAF1004-90STR-ETRET	过时的		2,500					-
2SK3058-AZ	-	RFQ	6474	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
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RJL5014DPP-A0 ＃T2	4.9400	RFQ	1859年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220FN	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	（19a ta）	10V	400MOHM @ 9.5A，10V	4V @ 1mA	43 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	35W（TA）
RJK0301DPB-00＃j0	2.0400	RFQ	39	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	60a（ta）		2.8mohm @ 30a，10v	-	32 NC @ 4.5 V		5000 pf @ 10 V	-	65W（TC）
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HF9969-91	21.8900	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²