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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((()
RJK03M4DPA-00#J5A Renesas Electronics America Inc RJK03M4DPA-00#j5a 0.7598
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-WFDFN暴露垫 RJK03M4 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -1161-RJK03M4DPA-00#j5Act Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 30 V 35A(TA) 4.5V,10V 4.6mohm @ 17.5A,10V - 12 nc @ 4.5 V ±20V 2170 pf @ 10 V - 30W(TC)
RJK0602DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK0602DPN-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 1191 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 60 V 110a(ta) 10V 3.9mohm @ 50a,10v - 90 NC @ 10 V ±20V 6450 pf @ 10 V - 150W(TC)
RJK0603DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK0603DPN-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 4278 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 80a(ta) 10V 5.2MOHM @ 40a,10v - 57 NC @ 10 V ±20V 4150 pf @ 10 V - 125W(TC)
RJK0703DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK0703DPN-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 5103 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 75 v 70a(ta) 10V 6.7MOHM @ 35A,10V - 56 NC @ 10 V ±20V 4150 pf @ 10 V - 125W(TC)
RJK1001DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1001DPP-E0#t2 -
RFQ
ECAD 5749 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 80a(ta) 10V 5.5MOHM @ 40a,10v - 147 NC @ 10 V ±20V 10000 PF @ 10 V - 30W(TC)
RJK1002DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1002DPN-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 6456 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 70a(ta) 10V 7.6mohm @ 35a,10v - 94 NC @ 10 V ±20V 6450 pf @ 10 V - 150W(TC)
RJK1003DPN-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK1003DPN-E0#t2 -
RFQ
ECAD 1327 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 100 v 50a(ta) 10V 11mohm @ 25a,10v - 59 NC @ 10 V ±20V 4150 pf @ 10 V - 125W(TC)
RJK2057DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK2057DPA-00#j0 -
RFQ
ECAD 9498 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn RJK2057 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak (3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 200 v 20A(TA) 10V 85mohm @ 10a,10v - 19 nc @ 10 V ±30V 1250 pf @ 25 V - 30W(TC)
RJK2511DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc rjk2511dpk-00#t0 -
RFQ
ECAD 5234 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJK2511 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 250 v 65A(TA) 10V 34mohm @ 32.5a,10v - 120 NC @ 10 V ±30V 4900 PF @ 25 V - 200W(TC)
RJK2555DPA-00#J0 Renesas Electronics America Inc RJK25555DPA-00#j0 -
RFQ
ECAD 7244 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn RJK2555 MOSFET (金属 o化物) 8-wpak (3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 250 v 17A(TA) 10V 104MOHM @ 8.5A,10V - 39 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 25 V - 30W(TC)
RJK4013DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJK4013DPE-00#j3 -
RFQ
ECAD 7213 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 RJK4013 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 400 v 17A(TA) 10V 300MOHM @ 8.5A,10V - 38 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 100W(TC)
RJK5012DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJK5012DPE-00#j3 -
RFQ
ECAD 2176 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 RJK5012 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 12a(12a) 10V 620Mohm @ 6a,10v - 29 NC @ 10 V ±30V 1100 PF @ 25 V - 100W(TC)
RJK5020DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJK5020DPK-00#t0 -
RFQ
ECAD 6004 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJK5020 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 40a(ta) 10V 118mohm @ 20a,10v - 126 NC @ 10 V ±30V 5150 pf @ 25 V - 200W(TC)
RJK5030DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc RJK5030DPD-00#j2 -
RFQ
ECAD 9838 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 RJK5030 MOSFET (金属 o化物) MP-3A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 500 v 5A(5A) 10V 1.6OHM @ 2A,10V - ±30V 550 pf @ 25 V - 41.7W(TC)
RJK6006DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc RJK6006DPD-00#j2 -
RFQ
ECAD 5802 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 RJK6006 MOSFET (金属 o化物) MP-3A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 5A(5A) 10V 1.6OHM @ 2.5A,10V - 19 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 77.6W(TC)
RJK6013DPE-00#J3 Renesas Electronics America Inc RJK6013DPE-00#j3 -
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 RJK6013 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 600 v 11a(11a) 10V 700MOHM @ 5.5A,10V - 37.5 NC @ 10 V ±30V 1450 pf @ 25 V - 100W(TC)
RJK6014DPP-E0#T2 Renesas Electronics America Inc RJK6014DPP-E0 #T2 -
RFQ
ECAD 3035 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) TO-220FP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 16A(TA) 10V 575MOHM @ 8A,10V - 45 NC @ 10 V ±30V 1800 pf @ 25 V - 35W(TC)
RJK6018DPM-00#T1 Renesas Electronics America Inc rjk6018dpm-00 t1 -
RFQ
ECAD 1550 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJK6018 MOSFET (金属 o化物) to-3pfm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 30a(TA) 10V 235mohm @ 15a,10v - 92 NC @ 10 V ±30V 4100 PF @ 25 V - 60W(TC)
RJK6032DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc RJK6032DPD-00#j2 -
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) MP-3A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 3A(3A) 10V 4.3OHM @ 1.5A,10V - 9 NC @ 10 V ±30V 285 pf @ 25 V - 40.3W(TC)
RJL5012DPP-M0#T2 Renesas Electronics America Inc RJL5012DPP-M0 #T2 -
RFQ
ECAD 7525 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJL5012 MOSFET (金属 o化物) TO-220FL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 12a(12a) 10V 700mohm @ 6a,10v - 27.8 NC @ 10 V ±30V 1050 pf @ 25 V - 30W(TC)
RJL5020DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJL5020DPK-00#t0 -
RFQ
ECAD 1765年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJL5020 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 500 v 38a(ta) 10V 135mohm @ 19a,10v - 140 NC @ 10 V ±30V 4750 PF @ 25 V - 200W(TC)
RJL6020DPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJL6020DPK-00#t0 -
RFQ
ECAD 2862 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 RJL6020 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 30a(TA) 10V 210mohm @ 15a,10v - 130 NC @ 10 V ±30V 4750 PF @ 25 V - 200W(TC)
UPA2670T1R-E2-AX Renesas Electronics America Inc UPA2670T1R-E2-AX -
RFQ
ECAD 6950 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 6-WFDFN暴露垫 UPA2670 MOSFET (金属 o化物) 2.3W 6-Huson(2x2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 2(p 通道(双) 20V 3a 79mohm @ 1.5A,4.5V - 5.1nc @ 4.5V 473pf @ 10V 逻辑水平门,1.8V
UPA2816T1S-E2-AT Renesas Electronics America Inc UPA2816T1S-E2-AT 0.5301
RFQ
ECAD 4755 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powerwdfn UPA2816 MOSFET (金属 o化物) 8-hwson(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -1161 UPA2816T1S-E2-ATCT Ear99 8541.29.0095 5,000 P通道 30 V 17a(TC) 4.5V,10V 15.5mohm @ 17a,10v - 33.4 NC @ 10 V +20V,-25V 1160 pf @ 10 V - 1.5W(TA)
2SK4151TZ-E Renesas Electronics America Inc 2SK4151TZ-E -
RFQ
ECAD 1291 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) MOSFET (金属 o化物) 到92 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.21.0095 2,500 n通道 150 v 1A(1A) 2.5V,4V 1.95OHM @ 500mA,4V - 3.5 NC @ 4 V ±10V 98 pf @ 10 V - 750MW(TA)
H5N2522LSTL-E Renesas Electronics America Inc H5N2522LSTL-E -
RFQ
ECAD 1517年 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 H5N2522 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 250 v 20A(TA) 10V 180mohm @ 10a,10v - 47 NC @ 10 V ±30V 1300 pf @ 25 V - 75W(TC)
N0604N-S19-AY Renesas Electronics America Inc N0604N-S19-AY 2.8100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 积极的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3隔离选项卡 N0604N-S19 MOSFET (金属 o化物) TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 -1161-N0604N-S19-AY Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 82a(ta) 10V 6.5MOHM @ 41A,10V - 75 NC @ 10 V ±20V 4150 PF @ 25 V - 1.5W(TA),156w(tc)
NP110N055PUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP110N055PUG-E1-AY -
RFQ
ECAD 3593 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 110A(TC) 10V 2.4MOHM @ 55A,10V 4V @ 250µA 380 NC @ 10 V ±20V 25700 PF @ 25 V - 1.8W(TA),288W(tc)
NP160N055TUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP160N055TUK-E1-AY 3.7200
RFQ
ECAD 740 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) NP160N055 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 160a(TC) 10V 2.1MOHM @ 80A,10V 4V @ 250µA 189 NC @ 10 V ±20V 11250 PF @ 25 V - 1.8W(TA),250W(TC)
NP180N055TUK-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP180N055TUK-E1-AY 4.2100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) NP180N055 MOSFET (金属 o化物) TO-263-7 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 180a(TC) 10V 1.4MOHM @ 90A,10V 4V @ 250µA 294 NC @ 10 V ±20V 16050 PF @ 25 V - 1.8W(TA),348W(tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库