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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() |
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![]() | RJK0602DPN-E0 #T2 | - | ![]() | 1191 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 60 V | 110a(ta) | 10V | 3.9mohm @ 50a,10v | - | 90 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 10 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | RJK0603DPN-E0 #T2 | - | ![]() | 4278 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 60 V | 80a(ta) | 10V | 5.2MOHM @ 40a,10v | - | 57 NC @ 10 V | ±20V | 4150 pf @ 10 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | RJK0703DPN-E0 #T2 | - | ![]() | 5103 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 75 v | 70a(ta) | 10V | 6.7MOHM @ 35A,10V | - | 56 NC @ 10 V | ±20V | 4150 pf @ 10 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | RJK1001DPP-E0#t2 | - | ![]() | 5749 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 80a(ta) | 10V | 5.5MOHM @ 40a,10v | - | 147 NC @ 10 V | ±20V | 10000 PF @ 10 V | - | 30W(TC) | |||||
![]() | RJK1002DPN-E0 #T2 | - | ![]() | 6456 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 100 v | 70a(ta) | 10V | 7.6mohm @ 35a,10v | - | 94 NC @ 10 V | ±20V | 6450 pf @ 10 V | - | 150W(TC) | |||||
![]() | RJK1003DPN-E0#t2 | - | ![]() | 1327 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220AB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 25 | n通道 | 100 v | 50a(ta) | 10V | 11mohm @ 25a,10v | - | 59 NC @ 10 V | ±20V | 4150 pf @ 10 V | - | 125W(TC) | |||||
![]() | RJK2057DPA-00#j0 | - | ![]() | 9498 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | RJK2057 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak (3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 200 v | 20A(TA) | 10V | 85mohm @ 10a,10v | - | 19 nc @ 10 V | ±30V | 1250 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||
![]() | rjk2511dpk-00#t0 | - | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJK2511 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 250 v | 65A(TA) | 10V | 34mohm @ 32.5a,10v | - | 120 NC @ 10 V | ±30V | 4900 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||
![]() | RJK25555DPA-00#j0 | - | ![]() | 7244 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | RJK2555 | MOSFET (金属 o化物) | 8-wpak (3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 250 v | 17A(TA) | 10V | 104MOHM @ 8.5A,10V | - | 39 NC @ 10 V | ±30V | 2400 PF @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||
![]() | RJK4013DPE-00#j3 | - | ![]() | 7213 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-83 | RJK4013 | MOSFET (金属 o化物) | ldpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 400 v | 17A(TA) | 10V | 300MOHM @ 8.5A,10V | - | 38 NC @ 10 V | ±30V | 1450 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||
![]() | RJK5012DPE-00#j3 | - | ![]() | 2176 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-83 | RJK5012 | MOSFET (金属 o化物) | ldpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 500 v | 12a(12a) | 10V | 620Mohm @ 6a,10v | - | 29 NC @ 10 V | ±30V | 1100 PF @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||
![]() | RJK5020DPK-00#t0 | - | ![]() | 6004 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJK5020 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 500 v | 40a(ta) | 10V | 118mohm @ 20a,10v | - | 126 NC @ 10 V | ±30V | 5150 pf @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||
![]() | RJK5030DPD-00#j2 | - | ![]() | 9838 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RJK5030 | MOSFET (金属 o化物) | MP-3A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 500 v | 5A(5A) | 10V | 1.6OHM @ 2A,10V | - | ±30V | 550 pf @ 25 V | - | 41.7W(TC) | |||||
![]() | RJK6006DPD-00#j2 | - | ![]() | 5802 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | RJK6006 | MOSFET (金属 o化物) | MP-3A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 5A(5A) | 10V | 1.6OHM @ 2.5A,10V | - | 19 nc @ 10 V | ±30V | 600 pf @ 25 V | - | 77.6W(TC) | ||||
![]() | RJK6013DPE-00#j3 | - | ![]() | 3038 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-83 | RJK6013 | MOSFET (金属 o化物) | ldpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 600 v | 11a(11a) | 10V | 700MOHM @ 5.5A,10V | - | 37.5 NC @ 10 V | ±30V | 1450 pf @ 25 V | - | 100W(TC) | ||||
![]() | RJK6014DPP-E0 #T2 | - | ![]() | 3035 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 16A(TA) | 10V | 575MOHM @ 8A,10V | - | 45 NC @ 10 V | ±30V | 1800 pf @ 25 V | - | 35W(TC) | |||||
rjk6018dpm-00 t1 | - | ![]() | 1550 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJK6018 | MOSFET (金属 o化物) | to-3pfm | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 30a(TA) | 10V | 235mohm @ 15a,10v | - | 92 NC @ 10 V | ±30V | 4100 PF @ 25 V | - | 60W(TC) | |||||
![]() | RJK6032DPD-00#j2 | - | ![]() | 1319 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 | MOSFET (金属 o化物) | MP-3A | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | n通道 | 600 v | 3A(3A) | 10V | 4.3OHM @ 1.5A,10V | - | 9 NC @ 10 V | ±30V | 285 pf @ 25 V | - | 40.3W(TC) | |||||
![]() | RJL5012DPP-M0 #T2 | - | ![]() | 7525 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJL5012 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 500 v | 12a(12a) | 10V | 700mohm @ 6a,10v | - | 27.8 NC @ 10 V | ±30V | 1050 pf @ 25 V | - | 30W(TC) | ||||
![]() | RJL5020DPK-00#t0 | - | ![]() | 1765年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJL5020 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 500 v | 38a(ta) | 10V | 135mohm @ 19a,10v | - | 140 NC @ 10 V | ±30V | 4750 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||
![]() | RJL6020DPK-00#t0 | - | ![]() | 2862 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | RJL6020 | MOSFET (金属 o化物) | to-3p | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 600 v | 30a(TA) | 10V | 210mohm @ 15a,10v | - | 130 NC @ 10 V | ±30V | 4750 PF @ 25 V | - | 200W(TC) | ||||
![]() | UPA2670T1R-E2-AX | - | ![]() | 6950 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 6-WFDFN暴露垫 | UPA2670 | MOSFET (金属 o化物) | 2.3W | 6-Huson(2x2) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 3a | 79mohm @ 1.5A,4.5V | - | 5.1nc @ 4.5V | 473pf @ 10V | 逻辑水平门,1.8V | ||||||
![]() | UPA2816T1S-E2-AT | 0.5301 | ![]() | 4755 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powerwdfn | UPA2816 | MOSFET (金属 o化物) | 8-hwson(3.3x3.3) | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | -1161 UPA2816T1S-E2-ATCT | Ear99 | 8541.29.0095 | 5,000 | P通道 | 30 V | 17a(TC) | 4.5V,10V | 15.5mohm @ 17a,10v | - | 33.4 NC @ 10 V | +20V,-25V | 1160 pf @ 10 V | - | 1.5W(TA) | |||
![]() | 2SK4151TZ-E | - | ![]() | 1291 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | MOSFET (金属 o化物) | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 150 v | 1A(1A) | 2.5V,4V | 1.95OHM @ 500mA,4V | - | 3.5 NC @ 4 V | ±10V | 98 pf @ 10 V | - | 750MW(TA) | |||||
![]() | H5N2522LSTL-E | - | ![]() | 1517年 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 150°C(TJ) | 表面安装 | SC-83 | H5N2522 | MOSFET (金属 o化物) | ldpak | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 250 v | 20A(TA) | 10V | 180mohm @ 10a,10v | - | 47 NC @ 10 V | ±30V | 1300 pf @ 25 V | - | 75W(TC) | ||||
![]() | N0604N-S19-AY | 2.8100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 管子 | 积极的 | 150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3隔离选项卡 | N0604N-S19 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220隔离选项卡 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | -1161-N0604N-S19-AY | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 60 V | 82a(ta) | 10V | 6.5MOHM @ 41A,10V | - | 75 NC @ 10 V | ±20V | 4150 PF @ 25 V | - | 1.5W(TA),156w(tc) | |||
![]() | NP110N055PUG-E1-AY | - | ![]() | 3593 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB | MOSFET (金属 o化物) | TO-263 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 110A(TC) | 10V | 2.4MOHM @ 55A,10V | 4V @ 250µA | 380 NC @ 10 V | ±20V | 25700 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA),288W(tc) | |||||
![]() | NP160N055TUK-E1-AY | 3.7200 | ![]() | 740 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | NP160N055 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 160a(TC) | 10V | 2.1MOHM @ 80A,10V | 4V @ 250µA | 189 NC @ 10 V | ±20V | 11250 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA),250W(TC) | ||||
![]() | NP180N055TUK-E1-AY | 4.2100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 175°C(TJ) | 表面安装 | TO-263-7,D²Pak(6 +选项卡) | NP180N055 | MOSFET (金属 o化物) | TO-263-7 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 800 | n通道 | 55 v | 180a(TC) | 10V | 1.4MOHM @ 90A,10V | 4V @ 250µA | 294 NC @ 10 V | ±20V | 16050 PF @ 25 V | - | 1.8W(TA),348W(tc) |
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