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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
NP88N055KUG-E1-AY	-	RFQ	7875	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	88A（TC）	10V	3.9MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	14400 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
NP90N04MUG-S18-AY	-	RFQ	5428	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	90A（TC）	10V	3mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±20V	11200 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），217W（TC）
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RJK03C1DPB-00＃j5	-	RFQ	8724	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669			MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 30a，10V	-	42 NC @ 4.5 V	±20V	6000 pf @ 10 V	（（（）	65W（TC）
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2SK3481-az	-	RFQ	1860年	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	200		n通道		100 v	30A（TC）	4.5V，10V	50mohm @ 15a，10v	-	48 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	1.5W（TA），56W（tc）
2SK3483-az	-	RFQ	2596	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-251	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	28a（28a）	4.5V，10V	52mohm @ 14a，10v	-	49 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 10 V	-	1W（ta），40W（40W）TC）
RJM0603JSC-00 ＃12	-	RFQ	2687	Renesas Electronics America Inc	汽车，AEC-Q101	托盘	积极的	175°C	表面安装	20-SOIC （0.433英寸，11.00mm宽度）	RJM0603		MOSFET （金属 o化物）	54W	20-hsop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	700	3n和3p 通道（3相桥）			60V	20a		20mohm @ 10a，10v	2.5V @ 1mA	43nc @ 10V		2600pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
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RJK2075DPA-00＃j5a	1.4302	RFQ	1977年	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	RJK2075		MOSFET （金属 o化物）		WPAK（3F）（5x6）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-RJK2075DPA-00＃j5act	Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		200 v	20A（TA）	10V	69mohm @ 10a，10v	-	38 NC @ 10 V	±30V	2200 PF @ 25 V	-	65W（TA）
RJP65T54DPM-A0 ＃T2	3.8600	RFQ	725	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	SC-94	RJP65T54	标准		63.5 w	TO-3PFP	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-1161-RJP65T54DPM-A0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	1			400V，30a，10ohm，15V												沟	650 v	60 a	1.68V @ 15V，30a	（330µJ）（在760µJ上）	72 NC	35NS/120NS
GWS9293	-	RFQ	9815	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-vdfn	GWS92		MOSFET （金属 o化物）	3.6W	4 QFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水			20V	9.4A（TA）		17mohm @ 3A，4.5V	1.5V @ 1mA	3.5nc @ 4V		400pf @ 10V	-
NP89N04MUK-S18-AY	-	RFQ	5418	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NP89N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	90A（TC）	10V	3.3MOHM @ 45A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP89N04PUK-E1-AY	2.3100	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP89N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		40 V	90A（TC）	10V	2.95MOHM @ 45A，5V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	5850 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP89N055NUK-S18-AY	-	RFQ	6995	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3完整包，i²pak	NP89N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	90A（TC）	10V	4.4mohm @ 45A，10V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP89N055PUK-E1-AY	2.2300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	NP89N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		55 v	90A（TC）	10V	4mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），147W（TC）
NP90N04MUK-S18-AY	-	RFQ	1574年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NP90N04		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	90A（TC）	10V	2.8mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7050 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），176w（tc）
NP90N055MUK-S18-AY	-	RFQ	8898	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	NP90N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	90A（TC）	10V	3.8mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	7350 pf @ 25 V	-	1.8W（TA），176w（tc）
NP90N055VUK-E1-AY	1.7500	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	NP90N055		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	90A（TC）	10V	3.85MOHM @ 45A，5V	4V @ 250µA	102 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	1.2W（TA），147W（TC）
RJH1CM5DPQ-E0 ＃T2	-	RFQ	4522	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		245 w	TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			600V，15A，5OHM，15V											200 ns	-	1200 v	30 a	2.7V @ 15V，15a	1.6MJ（在）上，700µJ（700µJ）	74 NC	40NS/100NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²