SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 获得 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C 晶体管类型 (HFE)(最小) @ ic,vce 频率 -过渡 噪声图( db typ @ f)
NP36P04SDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP36P04SDG-E1-AY 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 NP36P04 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 36a(TC) 4.5V,10V 17mohm @ 18a,10v 2.5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 10 V - 1.2W(TA),56W(tc)
NP36P06KDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc np36p06kdg-e1-ay 1.8800
RFQ
ECAD 460 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB NP36P06 MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 60 V 36a(TC) 4.5V,10V 29.5MOHM @ 18A,10V 2.5V @ 1mA 54 NC @ 10 V ±20V 3100 pf @ 10 V - 1.8W(ta),56W(TC)
NP48N055KLE-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP48N055KLE-E1-AY -
RFQ
ECAD 7356 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 48A(TC) 4.5V,10V 17mohm @ 24a,10v 2.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±20V 3000 pf @ 25 V - 1.8W(TA),85W(tc)
NP50P04KDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP50P04KDG-E1-AY 2.6700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 40 V 50A(TC) 4.5V,10V 10mohm @ 25a,10v 2.5V @ 1mA 100 nc @ 10 V ±20V 5100 PF @ 10 V - 1.8W(ta),90W(90W)TC)
NP50P04SDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP50P04SDG-E1-AY 1.9900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 NP50P04 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 40 V 50A(TC) 4.5V,10V 9.6mohm @ 25a,10v 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V ±20V 5000 pf @ 10 V - 1.2W(ta),84W(tc)
NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP50P06SDG-E1-AY 1.9300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 P通道 60 V 50A(TC) 16.5MOHM @ 25A,10V 2.5V @ 250µA 100 nc @ 10 V 5000 pf @ 10 V - 1.2W(ta),84W(tc)
NP55N055SDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP55N055SDG-E1-AY -
RFQ
ECAD 8865 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 55A(TC) 4.5V,10V 9.5MOHM @ 28A,10V 2.5V @ 250µA 96 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 1.2W(ta),77W(77W)TC)
NP55N055SUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP55N055SUG-E1-AY -
RFQ
ECAD 5787 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 55 v 55A(TC) 10V 10mohm @ 28a,10v - 90 NC @ 10 V ±20V 5250 pf @ 25 V - 1.2W(ta),77W(77W)TC)
NP60N03SUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP60N03SUG-E1-AY -
RFQ
ECAD 4533 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) TO-252(MP-3ZK) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 60a(TC) 10V 3.8mohm @ 30a,10v 4V @ 250µA 135 NC @ 10 V ±20V 7500 PF @ 25 V - 1.2W(ta),105W((((((()
NP74N04YUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP74N04YUG-E1-AY 0.7300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 175°C(TJ) 表面安装 8-SMD,平坦的铅裸垫 NP74N04 MOSFET (金属 o化物) 8-hson 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 40 V 75A(TC) 10V 5.5MOHM @ 37.5A,10V 4V @ 250µA 96 NC @ 10 V ±20V 5430 pf @ 25 V - 1W(ta),120W​​(tc)
NP80N06PLG-E1B-AY Renesas Electronics America Inc NP80N06PLG-E1B-ay -
RFQ
ECAD 2066 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 80A(TC) 4.5V,10V 8.3mohm @ 40a,10v 2.5V @ 250µA 128 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 1.8W(ta),115W(tc)
NP83P04PDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP83P04PDG-E1-AY 3.2500
RFQ
ECAD 7259 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 P通道 40 V 83A(TC) 5.3MOHM @ 41.5A,10V 2.5V @ 1mA 200 NC @ 10 V 9820 PF @ 10 V -
NP88N03KDG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP88N03KDG-E1-AY -
RFQ
ECAD 5379 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 88A(TC) 4.5V,10V 2.4MOHM @ 44A,10V 2.5V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 13500 PF @ 25 V - 1.8W(TA),200W(((((((((((
NP88N055KUG-E1-AY Renesas Electronics America Inc NP88N055KUG-E1-AY -
RFQ
ECAD 7875 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MOSFET (金属 o化物) TO-263 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 55 v 88A(TC) 10V 3.9MOHM @ 44A,10V 4V @ 250µA 250 NC @ 10 V ±20V 14400 PF @ 25 V - 1.8W(TA),200W(((((((((((
NP90N04MUG-S18-AY Renesas Electronics America Inc NP90N04MUG-S18-AY -
RFQ
ECAD 5428 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 90A(TC) 10V 3mohm @ 45a,10v 4V @ 250µA 182 NC @ 10 V ±20V 11200 PF @ 25 V - 1.8W(TA),217W(TC)
RJK6024DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc RJK6024DPD-00#j2 -
RFQ
ECAD 3284 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 MOSFET (金属 o化物) MP-3A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 600 v 400mA(TA) 10V 42OHM @ 200mA,10v - 4.3 NC @ 10 V ±30V 37.5 pf @ 25 V - 27.2W(TC)
HFA3134IH96 Renesas Electronics America Inc HFA3134IH96 -
RFQ
ECAD 2521 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 HFA3134 - 6-SOT 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 过时的 0000.00.0000 3,000 - 9V 26MA 2 NPN (双) 48 @ 10mA,2V 8.5GHz 2.4db @ 1GHz
HFA3134IHZ96 Renesas Electronics America Inc HFA3134IHZ96 8.0000
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 HFA3134 - 6-SOT 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 - 9V 26MA 2 NPN (双) 48 @ 10mA,2V 8.5GHz 2.4db @ 1GHz
HFA3135IHZ96 Renesas Electronics America Inc HFA3135IHZ96 8.1997
RFQ
ECAD 5994 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SOT-23-6 HFA3135 - 6-SOT 下载 rohs3符合条件 2(1年) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0075 3,000 - 9V 26MA 2 PNP (双) 15 @ 10mA,2V 7GHz 5.2db @ 900MHz
HAT2099H-EL-E Renesas Electronics America Inc HAT2099H-E -
RFQ
ECAD 7964 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 HAT2099 MOSFET (金属 o化物) LFPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 50a(ta) 4.5V,10V 3.7MOHM @ 25A,10V - 75 NC @ 10 V ±20V 4750 pf @ 10 V - 30W(TC)
2SJ162-E Renesas Electronics America Inc 2SJ162-E -
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 P通道 160 v 7a(ta) 10V - - ±15V 900 pf @ 10 V - 100W(TC)
2SK2315TYTR-E Renesas Electronics America Inc 2SK2315TYTR-E -
RFQ
ECAD 7123 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 上次购买 150°C(TJ) 表面安装 TO-243AA 2SK2315 MOSFET (金属 o化物) Upak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 60 V 2A(TA) 3V,4V 450MOHM @ 1A,4V - ±20V 173 PF @ 10 V - 1W(ta)
HAF1002-90STL-E Renesas Electronics America Inc HAF1002-90STL-E -
RFQ
ECAD 8701 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 haf1002 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1,000 P通道 60 V 15A(TA) 4V,10V 90MOHM @ 7.5A,10V - +3V,-16V - 50W(TC)
RJK0301DPB-02#J0 Renesas Electronics America Inc RJK0301DPB-02#j0 -
RFQ
ECAD 8789 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-100,SOT-669 RJK0301 MOSFET (金属 o化物) LFPAK 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 30 V 60a(ta) 4.5V,10V 2.8mohm @ 30a,10v - 32 NC @ 4.5 V +16V,-12V 5000 pf @ 10 V - 65W(TC)
RJH1BG7RDPK-00#T0 Renesas Electronics America Inc RJH1BG7RDPK-00 t0 -
RFQ
ECAD 5779 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 管子 过时的 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1
RJH60A01RDPD-A0#J2 Renesas Electronics America Inc RJH60A01RDPD-A0#j2 -
RFQ
ECAD 2487 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 标准 29.4 w TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 300V,5a,5ohm,15V 100 ns 600 v 10 a 2.3V @ 15V,5A (130µJ)(在70µJ上) 11 NC 30NS/40NS
RJH60A83RDPD-A0#J2 Renesas Electronics America Inc RJH60A83RDPD-A0#j2 -
RFQ
ECAD 4546 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 标准 51 w TO-252 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 300V,10a,5ohm,15V 130 ns 600 v 20 a 2.6V @ 15V,10a (230µJ)(在160µJ)上(OFF) 19.7 NC 31ns/54ns
RJK5002DPD-00#J2 Renesas Electronics America Inc RJK5002DPD-00#j2 0.5851
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK(2 LEADS + TAB),SC-63 RJK5002 MOSFET (金属 o化物) MP-3A 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -1161-RJK5002DPD-00#j2ct Ear99 8541.29.0095 3,000 n通道 500 v 2.4A(TA) 10V 5ohm @ 1.2A,10V - 6.7 NC @ 10 V ±30V 165 pf @ 25 V - 30W(TC)
UPA2812T1L-E1-AT Renesas Electronics America Inc UPA2812T1L-E1-AT -
RFQ
ECAD 7980 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 过时的 150°C(TJ) 表面安装 8-Powervdfn MOSFET (金属 o化物) 8-hvson(3.3x3.3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 30 V 30A(TC) 4.5V,10V 4.8mohm @ 30a,10v - 100 nc @ 10 V ±20V 3740 pf @ 10 V - 1.5W(ta),52W(TC)
H7N1002LS-E Renesas Electronics America Inc H7N1002LS-E -
RFQ
ECAD 2261 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - 胶带和卷轴((tr) 积极的 150°C(TJ) 表面安装 SC-83 H7N1002 MOSFET (金属 o化物) ldpak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 100 v 75a(ta) 4.5V,10V 10mohm @ 37.5A,10V - 155 NC @ 10 V ±20V 9700 PF @ 10 V - 100W(TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库