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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2SK3402（0）-z-e1-az	-	RFQ	3966	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000						36a（TC）
2SJ648-T1-A	-	RFQ	6602	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.21.0095	3,000						400mA（TJ）
2SD2425-T1-AZ	-	RFQ	9003	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000
RJK03P8DPA-00＃j5a	1.4800	RFQ	792	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3,000
2SA1443（1）-s6-az	2.1800	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
UPA2760T1A-E1-AT	1.2000	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	250
RJH60V2BDPE-00＃j3	-	RFQ	3948	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJH60V	标准		63 W	ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，12A，5OHM，15V												25 ns	沟	600 v	25 a	2.2V @ 15V，12a	30µJ（在）（180µJ）（OFF）上）	32 NC	33NS/65NS
2SD1780（0）-t-az	-	RFQ	3910	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
UPA3753GR-E1-AX	0.7655	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UPA3753		MOSFET （金属 o化物）	1.12W	8-sop	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA3753GR-E1-AXCT	Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				60V	5A（5A）		56mohm @ 2.5a，10v	-	13.4NC @ 10V		640pf @ 10V	-
NP100P06PLG-E1-AY	2.9904	RFQ	8911	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-NP100P06PLG-E1-AYCT	Ear99	8541.29.0095	800		P通道			60 V	100A（TC）	4.5V，10V	6mohm @ 50a，10v	2.5V @ 1mA	300 NC @ 10 V	±20V	15000 pf @ 10 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
RQA0004PXDQS＃h1	-	RFQ	6466	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	TO-243AA			MOSFET （金属 o化物）		Upak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道			16 V	300mA（TA）	-	-	900mv @ 1mA		±5V	10 pf @ 0 V	-	（3W）（TA）
2SK3899（0）-zk-e1-az	-	RFQ	3360	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000						84A（TC）
UPA2716AGR-E1-AT	0.8900	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）			MOSFET （金属 o化物）		8-psop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			30 V	14A（TA）		7MOHM @ 7A，10V	-	95 NC @ 10 V		3000 pf @ 10 V	-	2W（TA）
RJK5030DPP-M0 ＃T2	2.5500	RFQ	10	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	RJK5030		MOSFET （金属 o化物）		TO-220FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-RJK5030DPP-M0 ＃T2	Ear99	8541.29.0095	25		n通道			500 v	5A（5A）	10V	1.6OHM @ 2A，10V	-	13 NC @ 10 V	±30V	550 pf @ 25 V	-	28.5W（TC）
HAT2160H-EL-E	-	RFQ	8138	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2160		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			20 v	60a（ta）	4.5V，10V	2.6mohm @ 30a，10v	2.3V @ 1mA	54 NC @ 4.5 V	±20V	7750 pf @ 10 V	-	30W（TC）
2SJ621-T1B-AT	0.1652	RFQ	8881	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买		表面安装	SC-96			MOSFET （金属 o化物）		SC-96-3，薄的迷你模具	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			12 v	3.5A（ta）		44mohm @ 2A，4.5V	1.5V @ 1mA	6.2 NC @ 4 V		630 pf @ 10 V	-
UPA1764G-E1-A	-	RFQ	5262	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的				UPA1764		-			下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000													-
RJK0216DPA-00＃j53	1.1800	RFQ	72	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN	RJK0216		MOSFET （金属 o化物）	10W，20W	8-DFN（5x6）	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1	2 n 通道（半桥）				25V	15a，32a		9.2MOHM @ 7.5A，10V	-	6.2nc @ 4.5V		1130pf @ 10V	逻辑级别门，4.5V驱动器
2SJ243-T1-A	0.2600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416			MOSFET （金属 o化物）		SC-75-3，USM	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道			30 V	（100mA）（TA）		25ohm @ 10mA，4V	2.3V @ 10µA			16 pf @ 5 V	-
HFA3128BZ	-	RFQ	7455	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3128			150MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-hfa3128bz	Ear99	8541.21.0075	48				-													15V	65mA					5 PNP	20 @ 10mA，2V	5.5GHz	3.5db @ 1GHz
2SK2371-A	8.1000	RFQ	302	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1
UPA2735GR-E1-AX	1.0036	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	UPA2735		MOSFET （金属 o化物）		8-sop	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1161-UPA2735GR-E1-axct	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道			30 V	16A（TA）	4.5V，10V	5mohm @ 16a，10v	-	195 NC @ 10 V	±20V	6250 PF @ 10 V	-	2.5W（TA）
RJK0366DPA-02＃j0b	0.8500	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WFDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	25A（TA）		10mohm @ 12.5a，10v	-	6.8 NC @ 4.5 V		1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
NP70N10KUF-E1-AY	-	RFQ	6909	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	70A（TC）	10V	20mohm @ 35a，10v	3.3V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），120W（tc）
2SJ598（0）-z-e1-az	-	RFQ	4962	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000						12A（TC）
UPA2384T1P-E1-A YK1	-	RFQ	7107	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的				UPA2384		-			-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	1													-
2SK3483-ZK-E1-AZ	-	RFQ	1356	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				2SK3483		-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1													-
2SK1859-E	-	RFQ	7099	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SK1859		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			900 v	6a（6a）	10V	3欧姆 @ 3A，10V	-		±30V	980 pf @ 10 V	-	60W（TC）
NP88N04NUG-S18-AY	-	RFQ	3105	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道			40 V	88A（TC）	10V	3.4MOHM @ 44A，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	1.8W（TA），200W（（（（（（（（（（（
2SK3322（1）-zk-e2-az	1.8500	RFQ	6	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²