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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2SA1615-Z-E1-AZ	-	RFQ	1644年	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			1 w	TO-252（MP-3Z）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	284												20 v	10 a	1µA（ICBO）	PNP	250mv @ 50mA，4a	200 @ 500mA，2V	180MHz
RJK03E0DNS-WS＃j5	0.5100	RFQ	4	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				RJK03	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1										-
2SK3354-Z-AZ	-	RFQ	6823	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				2SK3354	-			下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1										-
FX20KMJ-3 ＃B00	1.7900	RFQ	94	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的				fx20kmj	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1										-
2SA673B-E	0.4100	RFQ	5	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载				Ear99	8541.21.0095	1
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2SJ356（0）-t1-ay	0.4300	RFQ	14	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载				Ear99	8541.29.0095	1
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2SD467CTZ-E	0.1300	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的								下载				Ear99	8541.21.0075	2,500
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RJK03C0DPA-00＃j53	1.8500	RFQ	463	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	-	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	70a（ta）	2mohm @ 35a，10v	2.5V @ 1mA	66 NC @ 4.5 V	11000 PF @ 10 V	-	65W（TC）
2SC4536-az	-	RFQ	2856	Renesas Electronics America Inc	-	条	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA			2W	SOT-89	-	不适用			Ear99	8541.29.0075	1			7.2dB									15V	250mA		NPN		60 @ 50mA，10v	-	2DB @ 1GHz
UPA2727UT1A-E1-AY	0.6300	RFQ	3	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-vdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		8 dfn3333 （3.3x3.3）	下载	不适用			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	16A（TA）	9.6mohm @ 8a，10v	2.5V @ 1mA	11 NC @ 5 V	1170 pf @ 15 V	-
UPA2718AGR-E1-AT	0.9400	RFQ	7	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-psop	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		30 V	13A（TA）	9mohm @ 6.5a，10v	2.5V @ 1mA	67 NC @ 10 V	2810 PF @ 10 V	-
UPA2210T1M-T1-AT	0.6500	RFQ	180	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅		MOSFET （金属 o化物）		8-VSOF	-	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道		20 v	7.2A（ta）	29mohm @ 7.2A，4.5V	1.5V @ 1mA	16.3 NC @ 4.5 V	1350 pf @ 10 V	-	1.1W（TA）
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RJK03B7DPA-00＃j5a	0.5100	RFQ	197	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道		30 V	30a（TA）	7.8mohm @ 15a，10v	-	11 NC @ 4.5 V	1670 pf @ 10 V	-	30W（TC）
RJK0366DPA-00＃j0	0.8500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn		MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	25A（TA）	11.1MOHM @ 12.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V	1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
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UPA811T-T1-A	0.4300	RFQ	18	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200MW	SOT-363	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000			7.5dB									10V	35mA		2 NPN （双）		80 @ 5mA，3v	8GHz	1.9dB @ 2GHz
2SK3984-ZK-E1-AY	0.8700	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252（MP-3ZK）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	18A（TC）	85mohm @ 9a，10v	-	13 NC @ 10 V	750 pf @ 10 V	-	1W（ta），20W（20W）TC）
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2SC5606-T1-A	1.0000	RFQ	4600	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-523			115MW	SOT-523	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	3,000			14dB									3.3V	35mA		NPN		60 @ 5mA，2V	21GHz	1.2dB @ 2GHz
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2SJ243-T1-A	0.2600	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的		表面安装	SC-75，SOT-416		MOSFET （金属 o化物）		SC-75-3，USM	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	3,000		P通道		30 V	（100mA）（TA）	25ohm @ 10mA，4V	2.3V @ 10µA		16 pf @ 5 V	-
UPA2590T1H-T1-AT	0.5500	RFQ	66	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	UPA2590	MOSFET （金属 o化物）	1.24W	8-VSOF	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	3,000	n和p通道			30V	4.5a	50MOHM @ 2A，10V	2.5V @ 1mA	6.6nc @ 10V	310pf @ 10V	逻辑级别门
HAT2165N-EL-E	1.9100	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powersoic（0.154英寸，3.90mm宽度）		MOSFET （金属 o化物）		8-LFPAK-IV	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		30 V	55A（ta）	3.6mohm @ 27.5a，10v	-	33 NC @ 4.5 V	5180 pf @ 10 V	-	30W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²