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（2349））

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	晶体管类型	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
2SK3107-T1-AT	0.2600	RFQ	16	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000
2SK1283-az	1.3100	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
N0100P-T1-AT	-	RFQ	2854	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000						3.5A（ta）
2SC3632-Z-e1-az	-	RFQ	9267	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	2,000
RJK0366DPA-00＃j0	0.8500	RFQ	19	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-	不适用				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	25A（TA）		11.1MOHM @ 12.5A，10V	-	6.8 NC @ 10 V		1010 PF @ 10 V	-	30W（TC）
2SC2619FBTR-E	0.1700	RFQ	15	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	3,000
HAT2166H-EL-E	-	RFQ	2655	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2166		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	45A（TA）	4.5V，10V	3.8mohm @ 22.5a，10v	2.5V @ 1mA	27 NC @ 4.5 V	±20V	4400 pf @ 10 V	-	25W（TC）
UPA2822T1L-E1-AT	-	RFQ	4768	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	UPA2822		MOSFET （金属 o化物）		8-hwson（3.3x3.3）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		n通道			30 V	34A（TC）	4.5V，10V	2.6mohm @ 34a，10v	-	83 NC @ 10 V	±20V	4660 pf @ 10 V	-	1.5W（TA）
N0603N-S23-AY	2.8400	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	-	管子	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	N0603N-S23		MOSFET （金属 o化物）		TO-262	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	-1161-N0603N-S23-AY	Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	100A（TA）	10V	4.6mohm @ 50a，10v	-	133 NC @ 10 V	±20V	7730 PF @ 25 V	-	1.5W（TA），156w（tc）
RJK0354DSP-WS＃j0	-	RFQ	1681年	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的									-				559-RJK0354DSP-WS＃j0	过时的		1
UPA1874GR-9JG-E1-A	0.7700	RFQ	9	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000
NP90N055VDG-E1-AY	1.6200	RFQ	750	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			55 v	90A（TC）		6mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RJK0328DPB-01＃j0	1.5057	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	RJK0328		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	60a（ta）	4.5V，10V	2.1MOHM @ 30a，10v	2.5V @ 1mA	42 NC @ 4.5 V	±20V	6380 pf @ 10 V	-	65W（TC）
2SJ601（0）-z-e1-az	-	RFQ	7924	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									下载	rohs3符合条件	供应商不确定			Ear99	8541.29.0095	3,000						36a（TC）
CA3127MZ	-	RFQ	7343	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）				85MW	16-Soic	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	48				27db〜30dB													15V	20mA					5 NPN	35 @ 5mA，6v	1.15GHz	3.5db @ 100MHz
2SK973L-E	1.1500	RFQ	1	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	过时的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
GWS9294	-	RFQ	1941年	Renesas Electronics America Inc	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-vdfn	GWS92		MOSFET （金属 o化物）	3.6W	4 QFN（2x2）	下载	rohs3符合条件	3（168））			Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）公共排水				20V	10.1a（ta）		13mohm @ 6.5a，4.5V	1.5V @ 1mA	11NC @ 4V		900pf @ 10V	-
HAT2185WPWS-E	-	RFQ	2271	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-wpak （3）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			150 v	10a（10a）	10V	190MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 1mA	9.7 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RJK03M2DPA-WS＃j5a	-	RFQ	8320	Renesas Electronics America Inc	*	托盘	过时的									-				559-RJK03M2DPA-WS＃j5a	过时的		1
HAT2116H-EL-E	-	RFQ	7380	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	SC-100，SOT-669	HAT2116		MOSFET （金属 o化物）		LFPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			30 V	30a（TA）	4.5V，10V	8.2MOHM @ 15A，10V	-	26 NC @ 10 V	±20V	1650 pf @ 10 V	-	15W（TC）
2SJ550S-E	-	RFQ	1414	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	3,000
NP90N04VLG-E1-AY	1.6800	RFQ	2	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道			40 V	90A（TC）		4mohm @ 45a，10v	2.5V @ 250µA	135 NC @ 10 V		6900 PF @ 25 V	-	1.2W（ta），105W（（（（（（（）
RQHC6140-6DWA＃w0	-	RFQ	3534	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-	-	-			-		-	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	2,000		-				-	-	-	-		-		-	-
2SK3814（01）-Z-e1-az	-	RFQ	2155	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的									-	rohs3符合条件	供应商不确定			过时的	0000.00.0000	3,000						50A（TC）
NP80N06MLG-S18-AY	-	RFQ	3442	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	500		n通道			60 V	80A（TC）	4.5V，10V	8.6mohm @ 40a，10v	2.5V @ 250µA	128 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	1.8W（ta），115W（tc）
HFA3102B96	-	RFQ	2406	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）	HFA3102			250MW	14-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		过时的	0000.00.0000	2,500				12.4db〜17.5dB													12V	30mA					6 NPN	40 @ 10mA，3v	10GHz	1.8db〜2.1db @ 500MHz〜1GHz
RJH60V1BDPE-00＃j3	-	RFQ	5036	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SC-83	RJH60V	标准		52 w	ldpak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000			300V，8A，5OHM，15V												25 ns	沟	600 v	16 a	2.2V @ 15V，8a	17µJ（在）（110µJ）上（OFF）	19 nc	30ns/55ns
RJJ0315DPA-00＃j5a	1.0000	RFQ	5885	Renesas Electronics America Inc	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-WDFN暴露垫			MOSFET （金属 o化物）			下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道			30 V	35A（TA）		5.9MOHM @ 17.5A，10V	2.5V @ 1mA	48 NC @ 4.5 V		4300 PF @ 10 V	-	30W（TC）
NFD15-T-az	0.5200	RFQ	42	Renesas Electronics America Inc	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	1
HAT1069C-EL-E	-	RFQ	9194	Renesas Electronics America Inc	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C	表面安装	6-SMD，平坦的铅			MOSFET （金属 o化物）		6-cmfpak	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.21.0095	2,500		P通道			12 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	52MOHM @ 1.5A，4.5V	1.2V @ 1mA	16 NC @ 4.5 V	±8V	1380 pf @ 10 V	-	900MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（2349））

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²